ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ最新文献_第6页

Получение двумерных нанокристаллов Bi2Te3 методом жидкофазной эксфолиации дляиспользования в датчиках ИК диапазона спектра 接收二维纳米晶体Bi2Te3，通过红外光谱传感器的液体移相法。

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-80

Н.А. Лаврентьев, Е. В. Мирофянченко, А. Е. Мирофянченко

{"title":"Получение двумерных нанокристаллов Bi2Te3 методом жидкофазной эксфолиации для\u0000использования в датчиках ИК диапазона спектра","authors":"Н.А. Лаврентьев, Е. В. Мирофянченко, А. Е. Мирофянченко","doi":"10.34077/rcsp2021-80","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-80","url":null,"abstract":"В работе, из объёмного кристаллического теллурида висмута, методом жидкостной эксфолиации\u0000формировали суспензии нанокристаллов, как в различных дисперсионных средах, так и при различных\u0000режимах ультразвуковой обработки. Различными аналитическими методами были измерены средние\u0000толщины и латеральные размеры частиц. Кроме этого, полученные рамановские спектры и данные\u0000рентгеновской дифрактометрии, показывают различия в строении кристаллической решётки\u0000полученных нанокристаллов и объемного материала. Кроме этого, были обнаружены зависимости\u0000спектральных характеристик от размера кристаллов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"26 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"123616360","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Выбор оптимальной структуры фоточувствительной гибридной сборки наохлаждаемом пьедестале криостата 选择光敏混合底座低温器的最佳结构

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-151

П.С. Загубисало, А.Р. Новоселов

{"title":"Выбор оптимальной структуры фоточувствительной гибридной сборки на\u0000охлаждаемом пьедестале криостата","authors":"П.С. Загубисало, А.Р. Новоселов","doi":"10.34077/rcsp2021-151","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-151","url":null,"abstract":"Проведено сравнение известных способов фиксации фоточувствительной гибридной сборки на\u0000охлаждаемом пьедестале криостата. Оно осуществлялось на модели сборки, состоящей из пластин:\u0000GaAs / In / Si / GaAs (опциональный компенсационный слой). Способы фиксации: закрепление сборки,\u0000позволяющее свободно изгибаться при охлаждении, жесткое крепление сборки на сапфировом растре\u0000со стороны кремниевой микросхемы. Варьирование толщин в рамках сравниваемых способов\u0000фиксации, позволило выбрать оптимальную конструкцию крепления гибридной сборки в охлаждаемом\u0000криостате. Исследование проводилось с помощью радиально-симметричной модели, в которой\u0000напряжения при охлаждении моделировались методом конечных элементов. Диаметр всех слоёв\u0000равнялся 10 мм. Толщины слоёв GaAs и кремния варьировались от 50 мкм до 700 мкм,\u0000компенсационного слоя GaAs – от 0 мкм до 700 мкм. Толщина слоя сапфира бралась много больше\u0000исследованных толщин GaAs и кремния.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130259976","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Влияние лазерной засветки на распознавание объектов оптико-электроннымисистемами на основе ИК матричных фотоприемных устройств 激光信号对基于红外光电设备的光电识别目标的影响

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-44

Д. С. Конради, М. В. Сахаров, В. Г. Средин

{"title":"Влияние лазерной засветки на распознавание объектов оптико-электронными\u0000системами на основе ИК матричных фотоприемных устройств","authors":"Д. С. Конради, М. В. Сахаров, В. Г. Средин","doi":"10.34077/rcsp2021-44","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-44","url":null,"abstract":"Для оценки\u0000возможностей корреляционные алгоритмов, с помощью\u0000которых производится сопоставление построенного изображения с заданным шаблоном с учетом\u0000яркости отдельных формирующих его пикселей, в условиях внеполевой засветки была разработана\u0000соответствующая модель стандартного изображения разнородного подстилающего фона с\u0000размещенными на нем различными геометрическими фигурами [4], в которой в зависимости от угла\u0000падения лазерного излучения на входную апертуру ОЭС и его мощности изменялось количество\u0000засвеченных пикселей в формируемом\u0000изображении.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"27 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"127816280","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Направления развития оптико-электронных систем и приборов в Филиале ИФП СОРАН "КТИПМ" 光电系统及仪器的发展方向

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-88

А В Голицын, А.А. Голицын, А. О. Лебедев

{"title":"Направления развития оптико-электронных систем и приборов в Филиале ИФП СО\u0000РАН \"КТИПМ\"","authors":"А В Голицын, А.А. Голицын, А. О. Лебедев","doi":"10.34077/rcsp2021-88","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-88","url":null,"abstract":"Оптико-электронные системы (ОЭС) находят всё более широкое применения, в том числе в\u0000мобильных интеллектуальных системах, где принятие решения по управлению системы возложено на\u0000вычислительное устройство. В связи с этим предъявляются новые требования на основные параметры\u0000ОЭС. Среди них – разработка новых эффективных программно-аппаратных комплексов с повышенной\u0000глубиной обработки информации, существенное снижение массогабаритных параметров и\u0000энергопотребления.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128976741","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

МЛЭ рост сложных фотоприёмных, лазерных и nBn структур на основе твердыхрастворов CdHgTe 复杂光电接收器、激光和nBn结构的生长是基于CdHgTe固定器。

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-45

Николай Николаевич Михайлов, Сергей Алексеевич Дворецкий, Р. В. Меньшиков

{"title":"МЛЭ рост сложных фотоприёмных, лазерных и nBn структур на основе твердых\u0000растворов CdHgTe","authors":"Николай Николаевич Михайлов, Сергей Алексеевич Дворецкий, Р. В. Меньшиков","doi":"10.34077/rcsp2021-45","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-45","url":null,"abstract":"Рассмотрены особенности выращивания сложных гетероструктур на основе твердого раствора\u0000CdHgTe и HgCdTe/HgTe квантовых ям (КЯ) на альтернативных подложках из (013) CdTe/ZnTe/GaAs\u0000диаметром до 3-х дюймов методом молекулярно-лучевой эпитаксии с in situ эллипсометрическим\u0000контролем состава и толщины на сверхвысоковакуумной установке “Обь-М” с модернизированной\u0000системой молекулярных источников. Для лазерных структур при последовательно росте\u0000выращиваются толстые волноводные слои CdHgTe с составами 0,7-0,95 молярных долей CdTe и\u0000толщиной 0.3-10 мкм, в объеме которых встроены квантовые ямы (КЯ) HgCdTe/HgTe/HgCdTe в\u0000количестве от 3 до 15 КЯ с такими параметрами: состав в КЯ и барьерах 30 нм составлял менее 0,05 и\u00000,7-0,95 и толщиной 2.5 - 7,8 нм и 30 нм соответственно. Такие структуры обеспечивают длину волны\u0000стимулированного излучения в диапазоне от 3 до 31 мкм.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"12 4","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"113934653","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Структурные и излучательные свойства упорядоченных Ge(Si) квантовых точек,встроенных в фотонные кристаллы 在光子晶体中嵌入的有序的Ge(Si)量子点的结构和辐射特性

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-76

Ж. В. Смагина, Виктор Александрович Зиновьев, Е. Е. Родякина

引用次数: 0

Эмиссия света двумерными островками дисульфида молибдена 二维二硫化物莫利登岛光发射

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-123

Алексей Валерьевич Марченко, А.Г. Милёхин, Н. Н. Курусь

{"title":"Эмиссия света двумерными островками дисульфида молибдена","authors":"Алексей Валерьевич Марченко, А.Г. Милёхин, Н. Н. Курусь","doi":"10.34077/rcsp2021-123","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-123","url":null,"abstract":"Двумерные халькогениды переходных металлов являются перспективными материалами для\u0000создания быстродействующих компонентов электронной техники и оптоэлектронных приборов.\u0000Особый интерес среди данного класса материалов представляет двумерный дисульфид молибдена\u0000(MoS2), обладающий уникальными электронными и оптическими свойствами. Так, при уменьшении\u0000толщины пленки дисульфида молибдена до нескольких монослоёв происходит изменение его\u0000электронной зонной структуры, что проявляется в изменениях спектров комбинационного рассеяния\u0000света (КРС) и фотолюминесценции (ФЛ). Таким образом, исследование взаимосвязи структурных и\u0000оптических свойств MoS2 является актуальной задачей.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"16 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"131646698","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Расчётная модель оптических характеристик соединения AlGaAs для контроляпараметров QWIP-структур QWIP结构控制AlGaAs化合物的光学特性设计模型

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-120

М.С. Кораблин, Владимир Васильевич Гончаров, А. В. Никонов

{"title":"Расчётная модель оптических характеристик соединения AlGaAs для контроля\u0000параметров QWIP-структур","authors":"М.С. Кораблин, Владимир Васильевич Гончаров, А. В. Никонов","doi":"10.34077/rcsp2021-120","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-120","url":null,"abstract":"В технологии изготовления гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами\u0000(QWIP-структур), применяемых для создания матричных фотоприемных устройств среднего и\u0000дальнего ИК-диапазона, существенную роль играет прецизионный контроль свойств\u0000фоточувствительных материалов [1]. Критически важными контролируемыми характеристиками\u0000являются распределение коэффициентов пропускания и отражения структуры по длинам волн\u0000излучения. В связи с топологической сложностью QWIP-структур на основе гетеропары AlGaAs/GaAs\u0000(количество и наноразмерная толщина эпитаксиальных слоев в активной области) актуальной задачей,\u0000стоящей перед разработчиками, является реализация расчётных методов, позволяющих как\u0000прогнозировать параметры структур с высокой точностью, так и предоставлять необходимые данные\u0000для обеспечения технологического процесса эпитаксиального роста.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"8 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116868340","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Малогабаритная тепловизионная камера с микросканированием на базе отечественного матричного КРТ фотоприемника 小型热照相机，在国内基质光电接收器上进行微扫描。

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-46

И. И. Кремис, Р. А. Гладков, А. С. Турбин

{"title":"Малогабаритная тепловизионная камера с микросканированием на базе отечественного матричного КРТ фотоприемника","authors":"И. И. Кремис, Р. А. Гладков, А. С. Турбин","doi":"10.34077/rcsp2021-46","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-46","url":null,"abstract":"В Филиале ИФП СО РАН «КТИПМ» разработана и изготовлена тепловизионная камера (ТПК) на\u0000базе отечественного матричного КРТ фотоприемника дальнего ИК-диапазона, с микросканированием.\u0000Корпус ТПК выполнен в габаритах французской камеры «Catrine-FC», передняя часть объектива\u0000выступает за корпус прибора на 75 мм.\u0000Камера позволяет получать качественное изображение высокого разрешения с использованием\u0000малоформатной матрицы. Коррекция неоднородности сигнала фотоприемника осуществляется в\u0000автоматическом режиме, с использованием встроенных в тракт оптической системы механизмов в\u0000комплексе с алгоритмами калибровки по сигналам сцены.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"34 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130694997","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Пассивация собственным окислом поверхности CdHgTe, подвергнутой жидкостномутравлению 受液体诱导的CdHgTe自身氧化表面被动

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-127

И. А. Краснова, Д В Горшков, Г. И. Сидоров

{"title":"Пассивация собственным окислом поверхности CdHgTe, подвергнутой жидкостному\u0000травлению","authors":"И. А. Краснова, Д В Горшков, Г. И. Сидоров","doi":"10.34077/rcsp2021-127","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-127","url":null,"abstract":"При изготовлении фотоприемных матриц для улучшения их частотно-контрастной характеристики\u0000(ЧКХ) необходимо уменьшить фотоэлектрическую связь между фотоприемными элементами.\u0000Поскольку влияние диффузии носителей заряда в CdHgTe (КРТ) увеличивается с уменьшением\u0000расстояния между фотодиодами, улучшение ЧКХ достигается за счет физического разделения при\u0000помощи травления меза-структуры. В настоящее время меза-структуры создаются с помощью\u0000жидкостного травления водным раствором Br+HBr. При таком травлении на поверхности КРТ\u0000образуется избыточный теллур, а также появляются другие дефекты, которые влияют на\u0000электрофизические свойства фотодетекторов. Для уменьшения влияния этих дефектов перспективным\u0000направлением является проведение дополнительных обработок КРТ после травления перед\u0000нанесением диэлектрика. Таким образом, целью данной работы является изучение влияния\u0000собственного окисла КРТ после жидкостного травления Br+HBr на электрофизические свойства\u0000границы раздела КРТ – Al2O3.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"29 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"124174261","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0