Структурные и излучательные свойства упорядоченных Ge(Si) квантовых точек, встроенных в фотонные кристаллы

Ж. В. Смагина, Виктор Александрович Зиновьев, Е. Е. Родякина
{"title":"Структурные и излучательные свойства упорядоченных Ge(Si) квантовых точек,\nвстроенных в фотонные кристаллы","authors":"Ж. В. Смагина, Виктор Александрович Зиновьев, Е. Е. Родякина","doi":"10.34077/rcsp2021-76","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В данной работе представлены результаты по самоорганизации\nпространственно-упорядоченных Ge(Si) КТ в процессе гетероэпиаксиального роста на\nструктурированной поверхности кремния на изоляторе (SOI) и исследованию люминесцентных\nсвойств упорядоченных КТ, встроенных в двумерные фотонные кристаллы (ФК). Для встраивания КТ\nв ФК использовались два подхода.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"80 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-76","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

В данной работе представлены результаты по самоорганизации пространственно-упорядоченных Ge(Si) КТ в процессе гетероэпиаксиального роста на структурированной поверхности кремния на изоляторе (SOI) и исследованию люминесцентных свойств упорядоченных КТ, встроенных в двумерные фотонные кристаллы (ФК). Для встраивания КТ в ФК использовались два подхода.
在光子晶体中嵌入的有序的Ge(Si)量子点的结构和辐射特性
本文介绍了在绝缘体(SOI)上结构硅表面的异位增长和二维光子晶体(fk)中嵌入的光敏晶体中发光的kt的结果。使用了两种方法来构建ktv fk。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 求助全文
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术官方微信