ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ最新文献

Барьеры для инжекции носителей в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3:Er накремнии 磁控管喷积层In2O3中的载体注入屏障

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-61

К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев

{"title":"Барьеры для инжекции носителей в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3:Er на\u0000кремнии","authors":"К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев","doi":"10.34077/rcsp2021-61","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-61","url":null,"abstract":"Работа в перспективе направлена на получение электролюминесцентного материала в прозрачном\u0000для оптоволоконных линий спектральном диапазоне 1.5 мкм по технологии, совместимой с\u0000кремниевой. Это откроет возможность гибридизации оптических систем передачи данных с\u0000электронными системами обработки информации на уровне процессоров и позволит развить\u0000элементную базу оптических коммуникационных систем. Здесь предлагается рассмотреть\u0000альтернативный общепринятому A3B5 класс материалов: легированные редкоземельными элементами\u0000оксиды. Эта работа посвящена исследованию структуры и нахождению барьеров для инжекции тока в\u0000пленках n- и p-SiIn2O3:ErIn-контакт, а так же установлению электронной структуры гетероперехода.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"98 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115472231","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Определение объемной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в МЛЭКРТ n-типа проводимости с x=0.295 методом сканирования светового пятна диодомфотоприёмной матрицы x=0.295光电接收基质扫描光电斑点的方法

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-142

А. В. Вишняков, В. В. Васильев, В. С. Варавин

{"title":"Определение объемной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в МЛЭ\u0000КРТ n-типа проводимости с x=0.295 методом сканирования светового пятна диодом\u0000фотоприёмной матрицы","authors":"А. В. Вишняков, В. В. Васильев, В. С. Варавин","doi":"10.34077/rcsp2021-142","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-142","url":null,"abstract":"С целью определения объемной длины диффузии ld фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в\u0000материале кадмий-ртуть-теллур (КРТ) n-типа проводимости были проведены измерения профилей\u0000сканирования диодом p-на-n фотоприёмной матрицы пятна засветки в виде узкой засвеченной полоски\u0000при последовательном уменьшении отбираемого из слоя абсорбера фототока. В эксперименте\u0000использовался фотоприемник средневолнового ИК-диапазона, абсорбер которого был легирован\u0000индием до концентрации 3.9·1015 см-3\u0000в процессе роста материала методом МЛЭ. Стехиометрический\u0000коэффициент материала КРТ абсорбера был равен x=0.295. Период матрицы составлял 15 мкм, а размер\u0000её диодов был равен ≈ 5x5 мкм.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"51 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126930408","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Искусственные подложки GaAs/Si(001), выращенные методом молекулярно-лучевойэпитаксии, для оптоэлектронных приложений GaAs/Si(001)是光电应用程序的分子辐射生长支架

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-40

М. О. Петрушков, Евгений Александрович Емельянов, М. А. Путято

{"title":"Искусственные подложки GaAs/Si(001), выращенные методом молекулярно-лучевой\u0000эпитаксии, для оптоэлектронных приложений","authors":"М. О. Петрушков, Евгений Александрович Емельянов, М. А. Путято","doi":"10.34077/rcsp2021-40","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-40","url":null,"abstract":"Из-за несоответствия постоянных решёток и коэффициентов температурного линейного\u0000расширения Si и GaAs в эпитаксиальных пленках образуется большая плотность пронизывающих\u0000дислокаций (ПД), которые ухудшают оптические и электрофизические свойства гетероструктур. В\u0000данной работе с целью снижения ПД использовались дислокационные фильтры на основе слоев\u0000низкотемпературного GaAs (LT-GaAs), выращенных при 250ºС. Также проводились in situ\u0000циклические отжиги эпитаксиальных структур на различных этапах их выращивания и ex situ отжиги\u0000уже выращенных образцов. Температура отжигов составляла 650ºC, что всего на 50ºС превышает\u0000температуру роста GaAs. Определены условия, при которых совместное применение дислокационных\u0000фильтров на основе LT-GaAs и циклических отжигов позволяет снизить плотность ПД в\u0000приповерхностных слоях GaAs до 5·106\u0000см-2\u0000, а концентрацию центров безызлучательной рекомбинации\u0000до уровня, сравнимого с гомоэпитаксиальными структурами GaAs при общей толщине слоев GaAs/Si\u0000до 2.4 мкм.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"24 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114279159","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Исследование свойств пассивирующего покрытия Al2O3, выращенного при различныхпараметрах роста на CdHgTe 研究基于CdHgTe不同生长参数的被动Al2O3涂层特性

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-137

Д В Горшков, Г. И. Сидоров, Д.В. Марин

{"title":"Исследование свойств пассивирующего покрытия Al2O3, выращенного при различных\u0000параметрах роста на CdHgTe","authors":"Д В Горшков, Г. И. Сидоров, Д.В. Марин","doi":"10.34077/rcsp2021-137","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-137","url":null,"abstract":"Для применения тройного раствора CdHgTe в прикладных задачах необходимо подобрать для него\u0000хорошее пассивирующее покрытие. Пассивирующие покрытия характеризуется рядом параметров:\u0000плотностью поверхностных состояний, однородностью и величиной встроенного заряда в\u0000диэлектрической плёнке и др. В работах, исследовавших границу раздела гетеро-эпитаксиальных\u0000структур (ГЭС) CdHgTe выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксией (МЛЭ) и Al2O3,\u0000нанесенного методом плазменно-индуцированного атомно-слоевого осаждения (ПАСО) при\u0000температуре образца 120°С, отмечается, что данный диэлектрик обладает хорошими пассивирующими\u0000свойствами [1, 2]. Известно, что стехиометрия и количество примесей в Al2O3, выращенного методом\u0000ПАСО, достигает оптимума при температурах 200-300 °С [3]. С другой стороны, с поверхности\u0000CdHgTe, в вакууме, начинает испаряться ртуть уже при 80 °С [4]. В литературе не встречается работы,\u0000в которых проводились исследования по поиску оптимальных параметров роста Al2O3, выращенного\u0000методом ПАСО, на CdHgTe. Цель данной работы – исследование параметров пассивирующих слоев\u0000Al2O3, выращенного методом ПАСО на CdHgTe при различных температурах и обработках CdHgTe\u0000перед ростом диэлектрической плёнки.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"78 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130642585","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Скрайбирование кремниевых приборных пластин лазерным излучением в воднойсреде 硅仪表板在水生环境中被激光辐射掩埋

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-154

А.Р. Новоселов

引用次数: 0

Комбинационное рассеяние света полупроводниковых структур с нанометровымпространственным разрешением 纳米空间分辨率半导体光组合散射

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-55

А. Г. Милехин, Н. Н. Курусь, Л.С. Басалаева

引用次数: 0

Исследование комбинационного рассеяния света графеном с нанометровымпространственным разрешением 纳米空间分辨率光组合散射研究

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-66

Н. Н. Курусь, И. А. Милехин, Н.А. Небогатикова

{"title":"Исследование комбинационного рассеяния света графеном с нанометровым\u0000пространственным разрешением","authors":"Н. Н. Курусь, И. А. Милехин, Н.А. Небогатикова","doi":"10.34077/rcsp2021-66","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-66","url":null,"abstract":"Данная работа посвящена исследованию в режиме щелевого плазмона с нанометровым\u0000пространственным разрешением КРС оптическими колебаниями пленки мультиграфена,\u0000расположенного на подложке в виде периодического массива золотых нанодисков.\u0000Получено усиление (Ку ~ 100) основных колебательных мод мультиграфена, наблюдаемых в\u0000области золотых нанодисков. Известно, что колебательный спектр графена изменяется при отклонении\u0000кристаллической структуры от идеальной. В данной работе показано, что метод усиленного зондом\u0000комбинационного рассеяния света чувствителен к механическим напряжениям в графене. Благодаря\u0000нанометровому пространственному разрешению записана карта КРС, визуализирующая складки в\u0000графене, лежащем на массиве золотых нанодисков. Полученные результаты свидетельствуют о\u0000перспективности данного метода в исследовании локальных дефектов в структуре двумерных\u0000графеноподобных материалов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"28 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126518998","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Фундаментальные основы технологии мозаичных фотоприемников сверхвысокойразмерности 超高维马赛克光电接收器技术的基础

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-149

Андрей Игоревич Козлов, А.Р. Новоселов

{"title":"Фундаментальные основы технологии мозаичных фотоприемников сверхвысокой\u0000размерности","authors":"Андрей Игоревич Козлов, А.Р. Новоселов","doi":"10.34077/rcsp2021-149","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-149","url":null,"abstract":"Мозаичные фотоприемники (МФП) сверхвысокой размерности создают посредством технологии\u0000прецизионной микросборки субмодулей меньшего, приемлемого для изготовления формата [1-11].\u0000Мозаичная технология является прорывным решением проблемы кардинального увеличения форматов\u0000фотоприемников. Применение МФП ограничивается размерами \"слепых зон\" [1-8]. Уменьшение\u0000количества фоточувствительными элементов (ФЧЭ), потерянных в \"слепых зонах\", повышает\u0000эффективность преобразования изображений, увеличивает объем данных для последующей обработки\u0000и улучшает качество визуализируемых изображений.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130049963","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Удаление оксида с поверхности InP(001) в потоке мышьяка 砷流中从InP(001)表面去除氧化物

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-94

Д. В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, А.И. Торопов

{"title":"Удаление оксида с поверхности InP(001) в потоке мышьяка","authors":"Д. В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, А.И. Торопов","doi":"10.34077/rcsp2021-94","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-94","url":null,"abstract":"Возможность создания в одном технологическом процессе гетероэпитаксиальных структур (ГЭС)\u0000для излучающих, передающих, модулирующих и принимающих элементов, делает InP ключевым\u0000материалом для интегральных систем радиофотоники [1, 2]. Предэпитаксиальная термическая очистка\u0000подложек InP в сверхвысоком вакууме ростовой камеры в потоке мышьяка, позволяет получить резкую\u0000гетерограницу слой/подложка и избежать неконтролируемого встраивания фосфора в слои\u0000InAlAs/InGaAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с подложкой [3]. Однако, в\u0000процессе отжига на поверхности формируются InAs островки, которые образуют дефекты на\u0000гетерогранице. Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) in situ изучен процесс\u0000удаления оксида с поверхности epi-ready InP(001) подложки в потоке мышьяка в сверхвысоком\u0000вакууме.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130438502","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

БИС считывания с инкрементальным ΔΣ-АЦП в столбце для цифровой МФПУсканирующего типа с режимом ВЗН bis和增量腐蚀读出数字栏Σ- acpмфпусканирВЗН政权类型

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-146

Юрий Алексеевич Якимов, И.С. Мощев, М.Л. Храпунов

{"title":"БИС считывания с инкрементальным ΔΣ-АЦП в столбце для цифровой МФПУ\u0000сканирующего типа с режимом ВЗН","authors":"Юрий Алексеевич Якимов, И.С. Мощев, М.Л. Храпунов","doi":"10.34077/rcsp2021-146","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-146","url":null,"abstract":"Задача регистрации малоразмерных объектов часто решается с помощью применения многорядных\u0000ФПУ с режимом временной задержки и накопления (ВЗН), к которым предъявляются высокие\u0000требования по характеристикам и функциональным возможностям. В первую очередь эти требования\u0000распространяются на предварительную обработку и оцифровку сигнала, выполняемую в БИС\u0000считывания.\u0000Представлен результат разработки большой интегральной схемы (БИС) считывания для усиления и\u0000обработки сигнала фотоприёмного устройства (ФПУ) коротковолнового ИК-диапазона сканирующего\u0000типа формата 1024х10 с цифровым выходом. В состав фоточувствительного модуля входит матрица\u0000фоточувствительных элементов из CdHgTe, состыкованная с кремниевой БИС, имеющей следующую\u0000структуру: четыре субматрицы 256х10, сдвинутые на 15 мкм поперек направления сканирования,\u0000входные ячейки размером 60х45 мкм, далее сигнал коммутируется в блок ВЗН суммирования, после\u0000которого следует блок 1024 каналов ΔΣ-АЦП с разрешением 14 бит. Реализован новый способ\u0000расширения динамического диапазона с использованием схемы динамического антиблюминга, а также\u0000способ снижения шума с помощью фильтра на переключаемых конденсаторах.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"38 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"134295093","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0