{"title":"砷流中从InP(001)表面去除氧化物","authors":"Д. В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, А.И. Торопов","doi":"10.34077/rcsp2021-94","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Возможность создания в одном технологическом процессе гетероэпитаксиальных структур (ГЭС)\nдля излучающих, передающих, модулирующих и принимающих элементов, делает InP ключевым\nматериалом для интегральных систем радиофотоники [1, 2]. Предэпитаксиальная термическая очистка\nподложек InP в сверхвысоком вакууме ростовой камеры в потоке мышьяка, позволяет получить резкую\nгетерограницу слой/подложка и избежать неконтролируемого встраивания фосфора в слои\nInAlAs/InGaAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с подложкой [3]. Однако, в\nпроцессе отжига на поверхности формируются InAs островки, которые образуют дефекты на\nгетерогранице. Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) in situ изучен процесс\nудаления оксида с поверхности epi-ready InP(001) подложки в потоке мышьяка в сверхвысоком\nвакууме.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Удаление оксида с поверхности InP(001) в потоке мышьяка\",\"authors\":\"Д. В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, А.И. Торопов\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2021-94\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Возможность создания в одном технологическом процессе гетероэпитаксиальных структур (ГЭС)\\nдля излучающих, передающих, модулирующих и принимающих элементов, делает InP ключевым\\nматериалом для интегральных систем радиофотоники [1, 2]. Предэпитаксиальная термическая очистка\\nподложек InP в сверхвысоком вакууме ростовой камеры в потоке мышьяка, позволяет получить резкую\\nгетерограницу слой/подложка и избежать неконтролируемого встраивания фосфора в слои\\nInAlAs/InGaAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с подложкой [3]. Однако, в\\nпроцессе отжига на поверхности формируются InAs островки, которые образуют дефекты на\\nгетерогранице. Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) in situ изучен процесс\\nудаления оксида с поверхности epi-ready InP(001) подложки в потоке мышьяка в сверхвысоком\\nвакууме.\",\"PeriodicalId\":356596,\"journal\":{\"name\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"volume\":\"1 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2021-09-27\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-94\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-94","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Удаление оксида с поверхности InP(001) в потоке мышьяка
Возможность создания в одном технологическом процессе гетероэпитаксиальных структур (ГЭС)
для излучающих, передающих, модулирующих и принимающих элементов, делает InP ключевым
материалом для интегральных систем радиофотоники [1, 2]. Предэпитаксиальная термическая очистка
подложек InP в сверхвысоком вакууме ростовой камеры в потоке мышьяка, позволяет получить резкую
гетерограницу слой/подложка и избежать неконтролируемого встраивания фосфора в слои
InAlAs/InGaAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с подложкой [3]. Однако, в
процессе отжига на поверхности формируются InAs островки, которые образуют дефекты на
гетерогранице. Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) in situ изучен процесс
удаления оксида с поверхности epi-ready InP(001) подложки в потоке мышьяка в сверхвысоком
вакууме.
求助内容：
应助结果提醒方式：
京公网安备 11010802042870号
