Определение объемной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в МЛЭ КРТ n-типа проводимости с x=0.295 методом сканирования светового пятна диодом фотоприёмной матрицы

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-142

А. В. Вишняков, В. В. Васильев, В. С. Варавин

{"title":"Определение объемной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в МЛЭ\nКРТ n-типа проводимости с x=0.295 методом сканирования светового пятна диодом\nфотоприёмной матрицы","authors":"А. В. Вишняков, В. В. Васильев, В. С. Варавин","doi":"10.34077/rcsp2021-142","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"С целью определения объемной длины диффузии ld фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в\nматериале кадмий-ртуть-теллур (КРТ) n-типа проводимости были проведены измерения профилей\nсканирования диодом p-на-n фотоприёмной матрицы пятна засветки в виде узкой засвеченной полоски\nпри последовательном уменьшении отбираемого из слоя абсорбера фототока. В эксперименте\nиспользовался фотоприемник средневолнового ИК-диапазона, абсорбер которого был легирован\nиндием до концентрации 3.9·1015 см-3\nв процессе роста материала методом МЛЭ. Стехиометрический\nкоэффициент материала КРТ абсорбера был равен x=0.295. Период матрицы составлял 15 мкм, а размер\nеё диодов был равен ≈ 5x5 мкм.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"51 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-142","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

С целью определения объемной длины диффузии ld фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в материале кадмий-ртуть-теллур (КРТ) n-типа проводимости были проведены измерения профилей сканирования диодом p-на-n фотоприёмной матрицы пятна засветки в виде узкой засвеченной полоски при последовательном уменьшении отбираемого из слоя абсорбера фототока. В эксперименте использовался фотоприемник средневолнового ИК-диапазона, абсорбер которого был легирован индием до концентрации 3.9·1015 см-3 в процессе роста материала методом МЛЭ. Стехиометрический коэффициент материала КРТ абсорбера был равен x=0.295. Период матрицы составлял 15 мкм, а размер её диодов был равен ≈ 5x5 мкм.

查看原文本刊更多论文

x=0.295光电接收基质扫描光电斑点的方法

为了确定d光电射电载流子(crt) n型导电性载流子的容积长度，用p- n光电量基质对光电点的轮廓扫描进行了测量。该实验使用的是中波红外波段光电接收器，该光电吸收器在材料的生长过程中是有效的。吸收材料的速率为x=0.295。基质周期为15 mkm，二极管的维数为35 x5 mkm。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量