Удаление оксида с поверхности InP(001) в потоке мышьяка

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-94

Д. В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, А.И. Торопов

{"title":"Удаление оксида с поверхности InP(001) в потоке мышьяка","authors":"Д. В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, А.И. Торопов","doi":"10.34077/rcsp2021-94","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Возможность создания в одном технологическом процессе гетероэпитаксиальных структур (ГЭС)\nдля излучающих, передающих, модулирующих и принимающих элементов, делает InP ключевым\nматериалом для интегральных систем радиофотоники [1, 2]. Предэпитаксиальная термическая очистка\nподложек InP в сверхвысоком вакууме ростовой камеры в потоке мышьяка, позволяет получить резкую\nгетерограницу слой/подложка и избежать неконтролируемого встраивания фосфора в слои\nInAlAs/InGaAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с подложкой [3]. Однако, в\nпроцессе отжига на поверхности формируются InAs островки, которые образуют дефекты на\nгетерогранице. Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) in situ изучен процесс\nудаления оксида с поверхности epi-ready InP(001) подложки в потоке мышьяка в сверхвысоком\nвакууме.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-94","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Возможность создания в одном технологическом процессе гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) для излучающих, передающих, модулирующих и принимающих элементов, делает InP ключевым материалом для интегральных систем радиофотоники [1, 2]. Предэпитаксиальная термическая очистка подложек InP в сверхвысоком вакууме ростовой камеры в потоке мышьяка, позволяет получить резкую гетерограницу слой/подложка и избежать неконтролируемого встраивания фосфора в слои InAlAs/InGaAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с подложкой [3]. Однако, в процессе отжига на поверхности формируются InAs островки, которые образуют дефекты на гетерогранице. Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) in situ изучен процесс удаления оксида с поверхности epi-ready InP(001) подложки в потоке мышьяка в сверхвысоком вакууме.

查看原文本刊更多论文

砷流中从InP(001)表面去除氧化物

在一个技术过程中，为辐射、调制和接收元素提供异质异质结构(gas)的可能性使InP成为集成光子系统的关键材料(1、2)。在砷流中超高上皮真空中，InP的热净化使其能够得到一层/底座，避免在晶体格栅参数(3)下不受控制地嵌入磷。然而，在退火过程中，InAs形成了一个岛屿，导致了异质边界的缺陷。在situ中，快速电子对反射(dbao)的衍射研究了超真空中砷流中的氧化过程(001)。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量