ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ最新文献

筛选
英文 中文
Определение частотно-контрастной характеристики ИК объективов 红外物镜频率对比特性测定
В. В. Васильев, А. В. Вишняков, Г. И. Сидоров
{"title":"Определение частотно-контрастной характеристики ИК объективов","authors":"В. В. Васильев, А. В. Вишняков, Г. И. Сидоров","doi":"10.34077/rcsp2021-54","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-54","url":null,"abstract":"В настоящей работе предложен метод определения ЧКХ ИК- объектива, в котором\u0000используется матричный ИК- фотоприемник совместно с помещенным на него напыленным\u0000на кремниевую подложку металлическим экраном с протравленными узкими апертурными\u0000щелями, ширина которых меньше ширины пятна Эйри. В этом случае пространственное\u0000разрешение апертурированного фотоприемника определяется шириной щелей.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"3 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132354307","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Установление типов переходов, ответственных за фиолетовую полосуфотолюминесценции в сильно легированном AlN:Si 在高合金化的AlN:Si中确定紫色条纹发光的过渡类型
И. В. Осинных, Т. В. Малин, Д.С. Милахин
{"title":"Установление типов переходов, ответственных за фиолетовую полосу\u0000фотолюминесценции в сильно легированном AlN:Si","authors":"И. В. Осинных, Т. В. Малин, Д.С. Милахин","doi":"10.34077/rcsp2021-121","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-121","url":null,"abstract":"В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования\u0000фотолюминесценции серий сильнолегированных слоев AlN, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках, концентрация атомов кремния (NSi) составляла\u00001.11020 см-3\u0000. При измерении ФЛ в диапазоне температур 300-1000 К использовалось возбуждение 4-\u0000ой гармоникой импульсного Nd:YLF лазера (λ=263 нм, мощность 1 мВт, длительность импульса 7 нс).\u0000При измерении ФЛ в широком диапазоне генерации носителей заряда использовалась возбуждение 4-\u0000ой гармоникой стационарного YAG лазера (λ=266 нм), максимальная мощность составляла 65 мВт.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"8 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"131869176","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Кристаллическая структура и преобладающие дефекты в квантовых точках CdS,сформированных методом Ленгмюра-Блоджетт lengmur - blogett量子点中的晶体结构和普遍缺陷
К.А. Свит, К. А. Зарубанов, Т. А. Дуда
{"title":"Кристаллическая структура и преобладающие дефекты в квантовых точках CdS,\u0000сформированных методом Ленгмюра-Блоджетт","authors":"К.А. Свит, К. А. Зарубанов, Т. А. Дуда","doi":"10.34077/rcsp2021-62","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-62","url":null,"abstract":"В данной работе кристаллическая структура и форма КТ CdS, полученных методом ЛенгмюраБлоджетт, изучались методами просвечивающей электронной микроскопии, спектроскопии тонкой\u0000структуры расширенного поглощения рентгеновских лучей (EXAFS) и ультрафиолетовой\u0000спектроскопии. Для определения\u0000преобладающих дефектов поверхности\u0000использовались методы рентгеновской\u0000фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и\u0000стационарной фотолюминесцентной\u0000спектроскопии (ФЛ).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"70 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132627174","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Циркулярно-поляризованная фотолюминесценция в наноструктурах InGaAs/GaAs,дельта-легированных Mn InGaAs/GaAs纳米复合光电发光,delta合金Mn
М. В. Дорохин, Марина Витальевна Ведь, П. Б. Демина
{"title":"Циркулярно-поляризованная фотолюминесценция в наноструктурах InGaAs/GaAs,\u0000дельта-легированных Mn","authors":"М. В. Дорохин, Марина Витальевна Ведь, П. Б. Демина","doi":"10.34077/rcsp2021-42","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-42","url":null,"abstract":"ранее нами были сформированы гетероструктуры InGaAs/GaAs/дельта, в\u0000которых дельта-слой Mn выполняет функции ферромагнитного слоя, а близкорасположенная (2-12 нм)\u0000к нему квантовая яма InGaAs/GaAs локализует носители заряда. При намагничивании дельта-слоя\u0000носители в квантовой яме ориентируются по спину вследствие взаимодействия с ионами Mn. Спиновая\u0000поляризация носителей изучается путём измерения циркулярной поляризации фотолюминесценции\u0000(ФЛ), возбуждаемой при облучении структуры лазером. В настоящей работе рассмотрен режим\u0000облучения структуры последовательно двумя циркулярно-поляризованными импульсами Tiсапфирового лазера с разным знаком поляризации. Длина волны лазера составляла 890 нм, что близко\u0000по величине к длине волны ФЛ квантовой ямы InGaAs, таким образом было реализовано резонансное\u0000возбуждение носителей в квантовой яме.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"87 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133319033","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Свойства квантовых ям и их применение в компактных лазерах ближнего ИКдиапазона 量子坑属性及其在近距离激光器中的应用
Н. Н. Рубцова, Андрей Андреевич Ковалев, Д. В. Ледовских
{"title":"Свойства квантовых ям и их применение в компактных лазерах ближнего ИК\u0000диапазона","authors":"Н. Н. Рубцова, Андрей Андреевич Ковалев, Д. В. Ледовских","doi":"10.34077/rcsp2021-72","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-72","url":null,"abstract":"В докладе сообщается о корреляции между строением квантовых ям (их состав, толщина барьеров,\u0000концентрация дефектов, степень согласованности по параметрам решетки материалов квантовых ям и\u0000барьеров и даже особенности технологии переноса слоев квантовых ям на диэлектрический\u0000широкополосный отражатель) и основными параметрами оптических затворов (механическая\u0000прочность, уровень ненасыщаемых потерь, максимальная глубина насыщения и быстродействие).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"5 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121083246","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Оптические и структурные свойства двумерных слоёв кремния, встроенных вдиэлектрическую матрицу фторида кальция 二维硅层光学和结构特性,嵌入氟化物钙矩阵
Виктор Александрович Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин
{"title":"Оптические и структурные свойства двумерных слоёв кремния, встроенных в\u0000диэлектрическую матрицу фторида кальция","authors":"Виктор Александрович Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин","doi":"10.34077/rcsp2021-95","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-95","url":null,"abstract":"В настоящее время во всем мире наблюдается повышенный интерес к двумерным материалам на\u0000основе кремния и германия [1]. Ожидается, что эти материалы будут иметь электронную структуру с\u0000прямой запрещенной зоной, что должно приводить к эффективной люминесценции. Настоящая работа\u0000направлена на поиск оптимальных условий для формирования двумерных слоёв Si, встроенных в\u0000диэлектрическую матрицу CaF2, а так же на исследование их структурных и оптических свойств. Нами\u0000был проведён рост эпитаксиальных структур, содержащих тонкие слои Si, встроенные в\u0000диэлектрическую матрицу CaF2. Рост проводился методом молекулярно-лучевой эпитаксии на\u0000подложках Si(111). Исследования морфологии поверхности выращенных структур позволили\u0000определить условия роста, благоприятные для формирования двумерных слоёв Si. Методом\u0000спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) были проведены исследования колебательных\u0000спектров созданных структур. В спектрах КРС от структур с одним бислоем Si, встроенным в CaF2,\u0000обнаружен узкий пик при 418 см-1\u0000, который обусловлен колебаниями Si-Si связей в плоскости\u0000двумерного слоя Si, интеркалированного в CaF2.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"23 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116406192","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Опыт и перспективы перехода оптико-электронного приборостроения наотечественную элементную базу 国内电子设备设备转换的经验和前景
Е. В. Гаврилов, Д. В. Брунев, В. М. Тимофеев
{"title":"Опыт и перспективы перехода оптико-электронного приборостроения на\u0000отечественную элементную базу","authors":"Е. В. Гаврилов, Д. В. Брунев, В. М. Тимофеев","doi":"10.34077/rcsp2021-24","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-24","url":null,"abstract":"В свете комплекса мер, принимаемых правительством РФ для обеспечения стратегической\u0000стабильности в целом и локализации значимых для государства наукоемких производств на\u0000территории страны, вопросам импортозамещения уделяется все большее внимание на всех уровнях\u0000принятия решений. В связи с этим, большинство предприятий военно-промышленного комплекса\u0000активно переориентируются на потребление новых отечественных разработок.\u0000На примере ряда перспективных оптико-электронных систем авиационного и морского\u0000базирования, разрабатываемых и производимых АО «НПК ПЕЛЕНГАТОР», изложен опыт\u0000применения серийно выпускаемых и вновь разработанных компонентов и комплектующих\u0000отечественного производства.\u0000Рассмотрен ряд проблемных вопросов, возникающих при работе с отечественными электронными,\u0000оптическими и оптико-электронными компонентами на всех этапах их жизненного цикла. Вынесен на\u0000обсуждение перечень перспективных направлений развития, востребованных в рассматриваемой\u0000области применения.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"17 10","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133169808","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
О возможности регулирования фотоэлектрического отклика полупроводниковспециальным пространственным профилированием потока излучения 光电响应调节能力,半导体空间通量剖析
В А Холоднов
{"title":"О возможности регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников\u0000специальным пространственным профилированием потока излучения","authors":"В А Холоднов","doi":"10.34077/rcsp2021-58","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-58","url":null,"abstract":"Показано, что специальное пространственное профилирование потока излучения открывает возможность.\u0000регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников (от больше, чем дает ПКН, уменьшения до\u0000увеличения сопротивления образцов).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"30 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114277985","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Органические нелинейно-оптические материалы на основе дендронизованныхполифтортрифенилпиразолин-дицианоизофороновых хромофоров 有机非线性光学材料
В. В. Шелковников, С.Л. Микерин, А.Э. Симанчук
{"title":"Органические нелинейно-оптические материалы на основе дендронизованных\u0000полифтортрифенилпиразолин-дицианоизофороновых хромофоров","authors":"В. В. Шелковников, С.Л. Микерин, А.Э. Симанчук","doi":"10.34077/rcsp2021-124","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-124","url":null,"abstract":"Материалы с квадратичной оптической нелинейностью на основе донорно-акцепторных\u0000хромофоров обладают большим потенциалом применения в оптико-электронных модуляторах [1-3].\u0000Для проявления нелинейно-оптических свойств ацентрическия несимметричная ориентация\u0000хромофоров в полимерной матрице наводится внешним электрическим полем в ходе полинга. Для\u0000достижения высоких значений нелинейного отклика необходимо обеспечить высокую концетрацию\u0000хромофоров в полимерной матрице. Дендронизованные структуры синтезированных Д-А красителей\u0000позволяют достичь высоких концентраций хромофоров в полимере.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"77 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122112975","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Исследование спектров поглощения и отражения высокого разрешения в терагерцовоми дальнем инфракрасном диапазоне монокристаллов гибридных металлоорганическихперовскитов 特雷赫兹高分辨率光谱研究,远距离红外光谱混合有机金属磷酸盐单晶范围
Вера Васильевна Аникеева, К. Н. Болдырев, О. И. Семенова
{"title":"Исследование спектров поглощения и отражения высокого разрешения в терагерцовом\u0000и дальнем инфракрасном диапазоне монокристаллов гибридных металлоорганических\u0000перовскитов","authors":"Вера Васильевна Аникеева, К. Н. Болдырев, О. И. Семенова","doi":"10.34077/rcsp2021-91","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-91","url":null,"abstract":"Гибридные металлорганические перовскиты (МОП) относятся к классу полупроводниковых\u0000материалов, применяемых при создании оптоэлектронных устройств. В однокомпонентных солнечных\u0000элементах на основе МОП в апреле 2021 года была достигнута 25,6% эффективность преобразования\u0000солнечной энергии в электрическую [1]. Рекордные показатели однокомпонентных солнечных\u0000элементов на основе МОП обусловлены такими свойствами как большая длина диффузии и высокая\u0000подвижность носителей заряда, а также широкая полоса поглощения в спектре солнечного излучения\u0000[2]. Исследование особенностей электрон-фононного взаимодействия позволяет прояснить природу и\u0000высокие значения многих характеристик гибридных перовскитов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"47 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"124131477","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
相关产品
×
本文献相关产品
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:604180095
Book学术官方微信