Циркулярно-поляризованная фотолюминесценция в наноструктурах InGaAs/GaAs, дельта-легированных Mn

Abstract

ранее нами были сформированы гетероструктуры InGaAs/GaAs/дельта, в которых дельта-слой Mn выполняет функции ферромагнитного слоя, а близкорасположенная (2-12 нм) к нему квантовая яма InGaAs/GaAs локализует носители заряда. При намагничивании дельта-слоя носители в квантовой яме ориентируются по спину вследствие взаимодействия с ионами Mn. Спиновая поляризация носителей изучается путём измерения циркулярной поляризации фотолюминесценции (ФЛ), возбуждаемой при облучении структуры лазером. В настоящей работе рассмотрен режим облучения структуры последовательно двумя циркулярно-поляризованными импульсами Tiсапфирового лазера с разным знаком поляризации. Длина волны лазера составляла 890 нм, что близко по величине к длине волны ФЛ квантовой ямы InGaAs, таким образом было реализовано резонансное возбуждение носителей в квантовой яме.