Установление типов переходов, ответственных за фиолетовую полосу фотолюминесценции в сильно легированном AlN:Si

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-121

И. В. Осинных, Т. В. Малин, Д.С. Милахин

{"title":"Установление типов переходов, ответственных за фиолетовую полосу\nфотолюминесценции в сильно легированном AlN:Si","authors":"И. В. Осинных, Т. В. Малин, Д.С. Милахин","doi":"10.34077/rcsp2021-121","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования\nфотолюминесценции серий сильнолегированных слоев AlN, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках, концентрация атомов кремния (NSi) составляла\n1.11020 см-3\n. При измерении ФЛ в диапазоне температур 300-1000 К использовалось возбуждение 4-\nой гармоникой импульсного Nd:YLF лазера (λ=263 нм, мощность 1 мВт, длительность импульса 7 нс).\nПри измерении ФЛ в широком диапазоне генерации носителей заряда использовалась возбуждение 4-\nой гармоникой стационарного YAG лазера (λ=266 нм), максимальная мощность составляла 65 мВт.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"8 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-121","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования фотолюминесценции серий сильнолегированных слоев AlN, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках, концентрация атомов кремния (NSi) составляла 1.11020 см-3 . При измерении ФЛ в диапазоне температур 300-1000 К использовалось возбуждение 4- ой гармоникой импульсного Nd:YLF лазера (λ=263 нм, мощность 1 мВт, длительность импульса 7 нс). При измерении ФЛ в широком диапазоне генерации носителей заряда использовалась возбуждение 4- ой гармоникой стационарного YAG лазера (λ=266 нм), максимальная мощность составляла 65 мВт.

查看原文本刊更多论文

在高合金化的AlN:Si中确定紫色条纹发光的过渡类型

此时工作结果提交实验исследованияфотолюминесценц系列重掺杂AlN,饲养方法молекулярнолучев外延层蓝宝石衬底,硅原子浓度(NSi)составляла1.13厘米- 1020。在300-1000 k范围内测量fl时，使用了脉冲Nd的第四谐波激光器(hlf Nd)。在广泛的电荷载体振荡范围内，用稳定的YAG激光器(266 nm)的第四谐波来测量fl，最大功率为65兆瓦。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量