ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ最新文献_第9页

Оптический детектор спина свободных электронов с пространственным разрешениемна основе полупроводниковых гетероструктур 半导体异质结构空间分辨率的自由电子后背探测器

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-47

В. А. Голяшов, Данил Александрович Кустов, В. С. Русецкий

{"title":"Оптический детектор спина свободных электронов с пространственным разрешением\u0000на основе полупроводниковых гетероструктур","authors":"В. А. Голяшов, Данил Александрович Кустов, В. С. Русецкий","doi":"10.34077/rcsp2021-47","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-47","url":null,"abstract":"В данной работе обсуждается возможность создания пространственно-чувствительного спиндетектора на основе гибридной структуры - полупроводниковой гетероструктуры, на поверхность\u0000которой осажден тонкий ферромагнитный (ФМ) слой,\u0000позволяющей регистрировать пространственное\u0000распределение и поляризацию возникающей при инжекции в\u0000нее поляризованных по спину электронов\u0000катодолюминесценции (КЛ). Предлагаемый спиндетектор позволяет измерять три компоненты проекции\u0000спина: две компоненты спина в плоскости поверхности,\u0000используя тонкий ФМ слой в качестве спин-фильтра, и\u0000нормальную к его поверхности компоненту, измеряя\u0000циркулярную поляризацию КЛ.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"153 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115096603","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Фотоприемные устройства на основе InGaAs InGaAs光电接收设备

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-145

Н. Ю. Яковлева, И. Д. Бурлаков, К.О. Болтарь

{"title":"Фотоприемные устройства на основе InGaAs","authors":"Н. Ю. Яковлева, И. Д. Бурлаков, К.О. Болтарь","doi":"10.34077/rcsp2021-145","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-145","url":null,"abstract":"Представлены результаты исследований матричных фотоприемных устройств (ФПУ) на основе\u0000тройных соединений InGaAs коротковолнового ИК диапазона спектра формата 320х256 элементов с\u0000шагом 30 мкм и 640х512 элементов с шагом 15 мкм, работающих в пассивном и активно-импульсном\u0000режимах реального времени [1]. Важной функциональной возможностью ФПУ формата 320х256\u0000является функционирование в четырех режимах реального времени: пассивном 2D; активном 2D с\u0000заданной глубиной по дальности; активно-импульсном 3D (дальномерном); асинхронном бинарном\u0000для обнаружения внешних лазерных излучателей [2].","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"144 8","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114047108","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Гибридные перовскиты – прорыв в солнечной энергетике 混合过氧化物--太阳能工程的突破性进展

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-60

О. И. Семенова

引用次数: 0

Межкраевой плазмон Берри как основа регулируемых однонаправленных устройствбез магнитного поля 边缘等离子体贝瑞是无磁场调节单向装置的基础。

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-82

Алексей Сергеевич Петров

{"title":"Межкраевой плазмон Берри как основа регулируемых однонаправленных устройств\u0000без магнитного поля","authors":"Алексей Сергеевич Петров","doi":"10.34077/rcsp2021-82","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-82","url":null,"abstract":"Мы предсказываем существование нового плазменного возбуждения, которое проявляет хиральные\u0000свойства в отсутствие внешнего магнитного поля. Это возбуждение, которое мы называем межкраевым\u0000плазмоном Берри (МКПБ), локализовано на границе раздела между двумя двумерными электронными\u0000системами (ДЭС) с различными аномальными холловскими проводимостями. Важно отметить,\u0000что МКПБ – это однонаправленная мода,\u0000направление распространения и частота\u0000которой поддаются контролю извне, в\u0000отличие от прочих современных устройств\u0000без магнитного поля. Мы считаем, что\u0000МКПБ представляет собой уникальную\u0000платформу для регулируемой передачи\u0000сигнала с защитой от обратного рассеяния\u0000в отсутствие магнитного поля.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"75 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121617276","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Моделирование методом Монте-Карло поведения частотно-контрастнойхарактеристики фотоприёмных КРТ-матриц вблизи удвоенной частоты Найквиста monte carlo在naqueste频率附近的光电接收矩阵频率对比特征模拟

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-134

А. В. Вишняков, В.А. Стучинский

{"title":"Моделирование методом Монте-Карло поведения частотно-контрастной\u0000характеристики фотоприёмных КРТ-матриц вблизи удвоенной частоты Найквиста","authors":"А. В. Вишняков, В.А. Стучинский","doi":"10.34077/rcsp2021-134","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-134","url":null,"abstract":"Частотно-контрастная характеристика (ЧКХ) ИК КРТ-фотоприемных матриц убывает с ростом\u0000пространственной частоты засветки и обычно проходит через ноль вблизи удвоенной\u0000пространственной частоты Найквиста 2fN равной обратному шагу матрицы. Если аппроксимировать\u0000фоточувствительность пикселя константой в пределах квадрата со стороной w, меньшей или равной\u0000шагу матрицы, и нулем – за пределами этого квадрата, то ЧКХ такой площадки равна sin(fw)/fw (f -\u0000пространственная частота) и проходит через первый ноль на частоте f=1/w, равной или большей 2fN.\u0000Как видно из рисунка, на частоте 2fN распределение интенсивности синусоидальной волны засветки и\u0000соответствующие ему концентрация и ток фотоносителей обладают симметрией относительно границ\u0000пикселя, так что нормальная компонента фототока через границы пикселей зануляется.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"14 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"127323705","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Генерация терагерцового излучения токами фотонного увлеченияв квантовых ямах a-Sn/Ge 量子坑a-Sn/Ge光子诱导电流振荡

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-69

В.Н. Трухин, И. А. Мустафин, F. V. Kusmartsev

{"title":"Генерация терагерцового излучения токами фотонного увлечения\u0000в квантовых ямах a-Sn/Ge","authors":"В.Н. Трухин, И. А. Мустафин, F. V. Kusmartsev","doi":"10.34077/rcsp2021-69","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-69","url":null,"abstract":"В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования фототоков в\u0000наноструктурах на основе квантовых ям α-Sn/Ge при их возбуждении фемтосекундными оптическими\u0000импульсами, как непосредственно контактным методом, так и регистрацией терагерцового излучения,\u0000индуцированного этими фототоками. Данная структура представляет интерес с точки зрения\u0000получения нового топологического материала. Исследуемые образцы представляли собой\u0000нанометровые слои Ge и α-Sn, синтезированные методом электронно-лучевого осаждения на\u0000поверхность подложки кремния с верхним слоем SiO2.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"57 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"117351079","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Оптические методы обеспечения предельной эффективности преобразованияизображений в мозаичных фотоприемниках сверхвысокой размерности 超高频镶嵌光电接收器的极限效率保证光学方法

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-148

Анатолий Иванович Козлов

{"title":"Оптические методы обеспечения предельной эффективности преобразования\u0000изображений в мозаичных фотоприемниках сверхвысокой размерности","authors":"Анатолий Иванович Козлов","doi":"10.34077/rcsp2021-148","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-148","url":null,"abstract":"Разработаны и исследованы оптические методы\u0000обеспечения предельной эффективности преобразования\u0000изображений в мозаичных фотоприемниках (МФП)\u0000изображений сверхвысокой размерности инфракрасного\u0000(ИК) и терагерцового (ТГц) спектральных диапазонов\u0000(Рис.). МФП сверхвысокой размерности создают путем\u0000размещения на пластине-носителе (1) стык в стык\u0000кристаллов фотоприемных субмодулей (2) меньшего,\u0000оптимального для изготовления формата [1-13].\u0000Применение МФП ограничивается \"слепыми зонами\",\u0000обусловленными отсутствием фоточувствительных\u0000элементов (ФЧЭ) вдоль областей стыковки (7)\u0000кристаллов смежных субмодулей.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"22 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121215538","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Резонансные оптические покрытия, состоящие из массивов частиц SiGe и Ge наподложках Si

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-26

А. А. Шкляев

{"title":"Резонансные оптические покрытия, состоящие из массивов частиц SiGe и Ge на\u0000подложках Si","authors":"А. А. Шкляев","doi":"10.34077/rcsp2021-26","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-26","url":null,"abstract":"Экспериментальные работы в области изучения эффективности оптоэлектронных элементов часто опережаются теоретическими исследованиями.\u0000Взаимодействие ЭМ волн с диэлектрическими частицами субволнового размера не имеет простой\u0000интерпретации для описания спектров отражения и пропускания. Единственным простым оценочным\u0000соотношением является формула m=nd, где m – длина волны магнитного дипольного резонанса, n –\u0000показатель преломления материала частицы и d – диаметр частицы. Была показано, что эта формула с\u0000высокой точностью выполняется для сферических частиц в среде воздуха. Для расчётов более сложных\u0000случаев могут быть использованы коммерческие программные пакеты.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"19 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130333926","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Влияние ориентации поверхности на характеристики высокотемпературных отжиговподложек арсенида галлия 表面定向对阿森尼德·高卢高温退火特性的影响

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-71

Н. Л. Шварц, А.А. Спирина

{"title":"Влияние ориентации поверхности на характеристики высокотемпературных отжигов\u0000подложек арсенида галлия","authors":"Н. Л. Шварц, А.А. Спирина","doi":"10.34077/rcsp2021-71","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-71","url":null,"abstract":"В работе представлены результаты Монте-Карло моделирования ленгмюровского\u0000испарения подложек арсенида галлия. Анализировалось влияние ориентации поверхности\u0000подложек на характеристики неравновесных высокотемпературных отжигов.\u0000Рассматривались сингулярные и вицинальные поверхности GaAs(111)A и GaAs(111)В с\u0000разными углами разориентации. Моделирование осуществлялось в температурном диапазоне\u0000700 – 1000 K, включающем температуры конгруэнтного испарения Тс подложек с разным\u0000углом отклонения.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"140 6 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"129049701","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Резонансы Ми и коллективные явления в спектрах фотолюминесценции одиночныхрезонаторов и их цепочек, сформированных на кремниевых структурах снаноостровками Ge(Si) e和集体现象在单个共振器及其链的光照发光光谱中，由硅基(Si)形成

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-79

М. В. Степихова, К. В. Барышникова, Михаил Игоревич Петров

引用次数: 0