ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ最新文献_第9页

Моделирование методом Монте-Карло поведения частотно-контрастнойхарактеристики фотоприёмных КРТ-матриц вблизи удвоенной частоты Найквиста monte carlo在naqueste频率附近的光电接收矩阵频率对比特征模拟

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-134

А. В. Вишняков, В.А. Стучинский

{"title":"Моделирование методом Монте-Карло поведения частотно-контрастной\u0000характеристики фотоприёмных КРТ-матриц вблизи удвоенной частоты Найквиста","authors":"А. В. Вишняков, В.А. Стучинский","doi":"10.34077/rcsp2021-134","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-134","url":null,"abstract":"Частотно-контрастная характеристика (ЧКХ) ИК КРТ-фотоприемных матриц убывает с ростом\u0000пространственной частоты засветки и обычно проходит через ноль вблизи удвоенной\u0000пространственной частоты Найквиста 2fN равной обратному шагу матрицы. Если аппроксимировать\u0000фоточувствительность пикселя константой в пределах квадрата со стороной w, меньшей или равной\u0000шагу матрицы, и нулем – за пределами этого квадрата, то ЧКХ такой площадки равна sin(fw)/fw (f -\u0000пространственная частота) и проходит через первый ноль на частоте f=1/w, равной или большей 2fN.\u0000Как видно из рисунка, на частоте 2fN распределение интенсивности синусоидальной волны засветки и\u0000соответствующие ему концентрация и ток фотоносителей обладают симметрией относительно границ\u0000пикселя, так что нормальная компонента фототока через границы пикселей зануляется.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"14 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"127323705","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Свойства квантовых ям и их применение в компактных лазерах ближнего ИКдиапазона 量子坑属性及其在近距离激光器中的应用

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-72

Н. Н. Рубцова, Андрей Андреевич Ковалев, Д. В. Ледовских

{"title":"Свойства квантовых ям и их применение в компактных лазерах ближнего ИК\u0000диапазона","authors":"Н. Н. Рубцова, Андрей Андреевич Ковалев, Д. В. Ледовских","doi":"10.34077/rcsp2021-72","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-72","url":null,"abstract":"В докладе сообщается о корреляции между строением квантовых ям (их состав, толщина барьеров,\u0000концентрация дефектов, степень согласованности по параметрам решетки материалов квантовых ям и\u0000барьеров и даже особенности технологии переноса слоев квантовых ям на диэлектрический\u0000широкополосный отражатель) и основными параметрами оптических затворов (механическая\u0000прочность, уровень ненасыщаемых потерь, максимальная глубина насыщения и быстродействие).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"5 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121083246","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Оптические методы обеспечения предельной эффективности преобразованияизображений в мозаичных фотоприемниках сверхвысокой размерности 超高频镶嵌光电接收器的极限效率保证光学方法

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-148

Анатолий Иванович Козлов

{"title":"Оптические методы обеспечения предельной эффективности преобразования\u0000изображений в мозаичных фотоприемниках сверхвысокой размерности","authors":"Анатолий Иванович Козлов","doi":"10.34077/rcsp2021-148","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-148","url":null,"abstract":"Разработаны и исследованы оптические методы\u0000обеспечения предельной эффективности преобразования\u0000изображений в мозаичных фотоприемниках (МФП)\u0000изображений сверхвысокой размерности инфракрасного\u0000(ИК) и терагерцового (ТГц) спектральных диапазонов\u0000(Рис.). МФП сверхвысокой размерности создают путем\u0000размещения на пластине-носителе (1) стык в стык\u0000кристаллов фотоприемных субмодулей (2) меньшего,\u0000оптимального для изготовления формата [1-13].\u0000Применение МФП ограничивается \"слепыми зонами\",\u0000обусловленными отсутствием фоточувствительных\u0000элементов (ФЧЭ) вдоль областей стыковки (7)\u0000кристаллов смежных субмодулей.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"22 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121215538","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Оптические и структурные свойства двумерных слоёв кремния, встроенных вдиэлектрическую матрицу фторида кальция 二维硅层光学和结构特性，嵌入氟化物钙矩阵

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-95

Виктор Александрович Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин

{"title":"Оптические и структурные свойства двумерных слоёв кремния, встроенных в\u0000диэлектрическую матрицу фторида кальция","authors":"Виктор Александрович Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин","doi":"10.34077/rcsp2021-95","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-95","url":null,"abstract":"В настоящее время во всем мире наблюдается повышенный интерес к двумерным материалам на\u0000основе кремния и германия [1]. Ожидается, что эти материалы будут иметь электронную структуру с\u0000прямой запрещенной зоной, что должно приводить к эффективной люминесценции. Настоящая работа\u0000направлена на поиск оптимальных условий для формирования двумерных слоёв Si, встроенных в\u0000диэлектрическую матрицу CaF2, а так же на исследование их структурных и оптических свойств. Нами\u0000был проведён рост эпитаксиальных структур, содержащих тонкие слои Si, встроенные в\u0000диэлектрическую матрицу CaF2. Рост проводился методом молекулярно-лучевой эпитаксии на\u0000подложках Si(111). Исследования морфологии поверхности выращенных структур позволили\u0000определить условия роста, благоприятные для формирования двумерных слоёв Si. Методом\u0000спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) были проведены исследования колебательных\u0000спектров созданных структур. В спектрах КРС от структур с одним бислоем Si, встроенным в CaF2,\u0000обнаружен узкий пик при 418 см-1\u0000, который обусловлен колебаниями Si-Si связей в плоскости\u0000двумерного слоя Si, интеркалированного в CaF2.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"23 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116406192","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Резонансы Ми и коллективные явления в спектрах фотолюминесценции одиночныхрезонаторов и их цепочек, сформированных на кремниевых структурах снаноостровками Ge(Si) e和集体现象在单个共振器及其链的光照发光光谱中，由硅基(Si)形成

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-79

М. В. Степихова, К. В. Барышникова, Михаил Игоревич Петров

引用次数: 0

Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-136

Александр Васильевич Войцеховский, Сергей Николаевич Несмелов, Станислав Михайлович Дзядух

{"title":"Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe","authors":"Александр Васильевич Войцеховский, Сергей Николаевич Несмелов, Станислав Михайлович Дзядух","doi":"10.34077/rcsp2021-136","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-136","url":null,"abstract":"Униполярные барьерные детекторы (например, в nBn-конфигурации) обеспечивают возможности\u0000повышения рабочей температуры инфракрасных детекторов [1] за счет подавления некоторых\u0000компонент темнового тока (в частности, поверхностной утечки и генерации в обедненных областях).\u0000Наибольшие успехи достигнуты при создании барьерных детекторов на основе материалов III-V c\u0000постоянной решетки 6.1 Å (например, на основе систем InAsSb/AlAsSb, InAs/GaSb), из-за того, что при\u0000использовании таких материалов можно обеспечить отсутствие потенциального барьера в валентной\u0000зоне. Помимо этого, использование барьерной архитектуры в детекторах на основе материалов III-V\u0000позволяет увеличить рабочую температуру приборов, поскольку в традиционных детекторах на основе\u0000таких материалов доминируют шумы, связанные с генерацией в обедненных областях. При\u0000изготовлении барьерных детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой\u0000эпитаксии (МЛЭ), исчезает необходимость использования ионной имплантации, которая снижает\u0000качество материала из-за генерации радиационных дефектов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"51 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115088393","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Оптический детектор спина свободных электронов с пространственным разрешениемна основе полупроводниковых гетероструктур 半导体异质结构空间分辨率的自由电子后背探测器

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-47

В. А. Голяшов, Данил Александрович Кустов, В. С. Русецкий

{"title":"Оптический детектор спина свободных электронов с пространственным разрешением\u0000на основе полупроводниковых гетероструктур","authors":"В. А. Голяшов, Данил Александрович Кустов, В. С. Русецкий","doi":"10.34077/rcsp2021-47","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-47","url":null,"abstract":"В данной работе обсуждается возможность создания пространственно-чувствительного спиндетектора на основе гибридной структуры - полупроводниковой гетероструктуры, на поверхность\u0000которой осажден тонкий ферромагнитный (ФМ) слой,\u0000позволяющей регистрировать пространственное\u0000распределение и поляризацию возникающей при инжекции в\u0000нее поляризованных по спину электронов\u0000катодолюминесценции (КЛ). Предлагаемый спиндетектор позволяет измерять три компоненты проекции\u0000спина: две компоненты спина в плоскости поверхности,\u0000используя тонкий ФМ слой в качестве спин-фильтра, и\u0000нормальную к его поверхности компоненту, измеряя\u0000циркулярную поляризацию КЛ.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"153 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115096603","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Резонансные оптические покрытия, состоящие из массивов частиц SiGe и Ge наподложках Si

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-26

А. А. Шкляев

{"title":"Резонансные оптические покрытия, состоящие из массивов частиц SiGe и Ge на\u0000подложках Si","authors":"А. А. Шкляев","doi":"10.34077/rcsp2021-26","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-26","url":null,"abstract":"Экспериментальные работы в области изучения эффективности оптоэлектронных элементов часто опережаются теоретическими исследованиями.\u0000Взаимодействие ЭМ волн с диэлектрическими частицами субволнового размера не имеет простой\u0000интерпретации для описания спектров отражения и пропускания. Единственным простым оценочным\u0000соотношением является формула m=nd, где m – длина волны магнитного дипольного резонанса, n –\u0000показатель преломления материала частицы и d – диаметр частицы. Была показано, что эта формула с\u0000высокой точностью выполняется для сферических частиц в среде воздуха. Для расчётов более сложных\u0000случаев могут быть использованы коммерческие программные пакеты.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"19 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130333926","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Генерация терагерцового излучения токами фотонного увлеченияв квантовых ямах a-Sn/Ge 量子坑a-Sn/Ge光子诱导电流振荡

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-69

В.Н. Трухин, И. А. Мустафин, F. V. Kusmartsev

{"title":"Генерация терагерцового излучения токами фотонного увлечения\u0000в квантовых ямах a-Sn/Ge","authors":"В.Н. Трухин, И. А. Мустафин, F. V. Kusmartsev","doi":"10.34077/rcsp2021-69","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-69","url":null,"abstract":"В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования фототоков в\u0000наноструктурах на основе квантовых ям α-Sn/Ge при их возбуждении фемтосекундными оптическими\u0000импульсами, как непосредственно контактным методом, так и регистрацией терагерцового излучения,\u0000индуцированного этими фототоками. Данная структура представляет интерес с точки зрения\u0000получения нового топологического материала. Исследуемые образцы представляли собой\u0000нанометровые слои Ge и α-Sn, синтезированные методом электронно-лучевого осаждения на\u0000поверхность подложки кремния с верхним слоем SiO2.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"57 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"117351079","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Межкраевой плазмон Берри как основа регулируемых однонаправленных устройствбез магнитного поля 边缘等离子体贝瑞是无磁场调节单向装置的基础。

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-82

Алексей Сергеевич Петров

{"title":"Межкраевой плазмон Берри как основа регулируемых однонаправленных устройств\u0000без магнитного поля","authors":"Алексей Сергеевич Петров","doi":"10.34077/rcsp2021-82","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-82","url":null,"abstract":"Мы предсказываем существование нового плазменного возбуждения, которое проявляет хиральные\u0000свойства в отсутствие внешнего магнитного поля. Это возбуждение, которое мы называем межкраевым\u0000плазмоном Берри (МКПБ), локализовано на границе раздела между двумя двумерными электронными\u0000системами (ДЭС) с различными аномальными холловскими проводимостями. Важно отметить,\u0000что МКПБ – это однонаправленная мода,\u0000направление распространения и частота\u0000которой поддаются контролю извне, в\u0000отличие от прочих современных устройств\u0000без магнитного поля. Мы считаем, что\u0000МКПБ представляет собой уникальную\u0000платформу для регулируемой передачи\u0000сигнала с защитой от обратного рассеяния\u0000в отсутствие магнитного поля.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"75 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121617276","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0