ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ最新文献_第8页

Механизм протекания тока в ВЧ-магнетронно напыленных пленкахIn2O3:Er на кремнии hmv磁极喷漆胶片2o3中的电流流动机制

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-132

К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев

{"title":"Механизм протекания тока в ВЧ-магнетронно напыленных пленках\u0000In2O3:Er на кремнии","authors":"К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев","doi":"10.34077/rcsp2021-132","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-132","url":null,"abstract":"Работа в перспективе направлена на получение электролюминесцентного материала в прозрачном\u0000для оптоволоконных линий спектральном диапазоне 1.5 мкм по технологии, совместимой с\u0000кремниевой. Это откроет возможность гибридизации оптических систем передачи данных с\u0000электронными системами обработки информации на уровне процессоров и позволит развить\u0000элементную базу оптических коммуникационных систем. Здесь предлагается рассмотреть\u0000альтернативный общепринятому A3B5 класс материалов: легированные редкоземельными элементами\u0000оксиды. Эта работа посвящена исследованию механизма протекания тока в пленках n- и pSiIn2O3:ErIn-контакт.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"41 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132435206","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Эффективные времена жизни фотогенерированных носителей заряда в фотоприемныхматрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур 光电充电载体在光电接收基质中的有效寿命

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-143

В.А. Стучинский, А. В. Вишняков

{"title":"Эффективные времена жизни фотогенерированных носителей заряда в фотоприемных\u0000матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур","authors":"В.А. Стучинский, А. В. Вишняков","doi":"10.34077/rcsp2021-143","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-143","url":null,"abstract":"В настоящей работе демонстрируются возможности разработанного нами подхода к Монте-Карло\u0000моделированию диффузии фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в фотоприемных матрицах на\u0000основе материала КРТ [1] в применении к вычислению временных характеристик процесса диффузии.\u0000В качестве примера в работе изучалось распределение ФНЗ по временам жизни в традиционных КРТматрицах с квадратными диодами при однородной засветке таких матриц. Отметим, что вычисление\u0000временных характеристик процессов переноса ФНЗ в фотоприемных структурах может представлять\u0000интерес, например, для лидарных применений фотоприёмников. Кроме того, знание времен жизни\u0000ФНЗ в матрицах позволяет судить о величине (эффективной) длины диффузии ФНЗ ld eff,\u0000реализующейся в условиях отбора фототока диодами матрицы из абсорбера при разных значениях\u0000геометрических и материальных параметров матриц.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"40 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115358879","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Частотно-контрастная характеристика ИК КРТ матриц в режиме работы с частичнозакрытыми пиксельными входными транзисторами 部分关闭像素输入晶体管工作模式下红外基质频率对比特性

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-135

В. В. Васильев, А. В. Вишняков, Г. И. Сидоров

{"title":"Частотно-контрастная характеристика ИК КРТ матриц в режиме работы с частично\u0000закрытыми пиксельными входными транзисторами","authors":"В. В. Васильев, А. В. Вишняков, Г. И. Сидоров","doi":"10.34077/rcsp2021-135","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-135","url":null,"abstract":"Диоды ИК фотоприемной матрицы управляются входными пиксельными транзисторами, которые\u0000определяют время накопления сигнала и рабочее напряжение на ИК фотодиодах. При обычных\u0000рабочих условиях сопротивление входного транзистора намного меньше сопротивления фотодиода и\u0000не лимитирует параметры работающего фотоприемного устройства. Входной пиксельный транзистор\u0000определяет нагрузочную кривую, вдоль которой изменяются ток и напряжение ИК-фотодиода при\u0000изменении входного фототока. Входные транзисторы открываются/закрываются изменением\u0000напряжения на затворе. В случае хорошо открытых транзисторов полное изменение тока равно\u0000изменению входного фототока.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"29 32","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"120836060","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Формирование пленки CaSi2 в условиях радиационного воздействия на структуруCaF2/Si CaSi2胶片在辐射影响下的形成

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-52

А. В. Кацюба, Анатолий Васильевич Двуреченский, Г.Н. Камаев

引用次数: 0

Влияние величины изгиба флип-чип фотоприёмника на его разрушение примногократных циклах охлаждения до температуры жидкого азота 光电接收器的折射率影响其多次冷却周期到液氮温度的破坏

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-152

А.Р. Новоселов, П. А. Алдохин, П.П. Добровольский

{"title":"Влияние величины изгиба флип-чип фотоприёмника на его разрушение при\u0000многократных циклах охлаждения до температуры жидкого азота","authors":"А.Р. Новоселов, П. А. Алдохин, П.П. Добровольский","doi":"10.34077/rcsp2021-152","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-152","url":null,"abstract":"Исследовано влияние изгиба поверхности гибридных фотоприемников\u0000(для двух флип-чип фотоприёмника выпуклой формы по двум\u0000перпендикулярным осям, см. рисунок) на их постепенное разрушение при\u0000многократных циклах охлаждения до температуры 77 K. Контроль формы\u0000поверхности фотоприемников был осуществлен интерференционным\u0000методом по непланарной стороне GaAs подложек.\u0000Флип-чип фотоприёмники были изготовлены ИФП СО РАН в рамках\u0000выполнения темы «Баян». Массивы фоточувствительных элементов были\u0000гетероэпитаксиальные твердые растворы кадмия, ртути и теллура (КРТ) на\u0000подложках из GaAs.\u0000Исследование выполнено на оборудовании Центра коллективного\u0000пользования «Спектроскопия и оптика» ИАиЭ СО РАН.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"60 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126463171","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Супер-разрешение без микросканирования: восстановление субпиксельныхизображений из фотосигналов окрестных диодов матрицы как некорректнопоставленная задача 没有微扫描的超级分辨率:从基质二极管的光信号中恢复亚像素图像是一个错误的任务

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-144

В.А. Стучинский, А. В. Вишняков

{"title":"Супер-разрешение без микросканирования: восстановление субпиксельных\u0000изображений из фотосигналов окрестных диодов матрицы как некорректно\u0000поставленная задача","authors":"В.А. Стучинский, А. В. Вишняков","doi":"10.34077/rcsp2021-144","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-144","url":null,"abstract":"В настоящей работе изучался следующий алгоритм восстановления СИ в фотоприемных матрицах,\u0000базирующийся на использовании в них фотоэлектрической связи между фотоэлементами. Полагаем,\u0000что подлежащее регистрации изображение сосредоточено в области между четырьмя диодами\u0000матрицы. Мы разбиваем эту область на 4x4 квадратных площадок, - и, моделируя диффузию\u0000фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в матрице методом Монте-Карло [1], вычисляем\u0000фотосигналы 4x4 окрестных диодов при однородном освещении светом каждой из площадок. При\u0000освещении фрагмента матрицы, образованной 16-ю площадками, “фигурным” излучением (например,\u0000в виде однородно засвеченного круга, кольца, и т.п.), применяя тот же метод моделирования, мы\u0000аналогичным образом можем сосчитать фотосигналы рассматриваемых 16-ти фотодиодов. Теперь\u0000задача состоит в том, чтобы приблизить использованное для засветки матрицы “фигурное”\u0000изображение картиной, образованной однородно (но с разной интенсивностью!) засвеченными\u0000площадками.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"37 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126920189","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Детектирование ТГц волн в кристаллах GaSe:S с помощью фемтосекундных лазерныхимпульсов на длине волны 1550 нм GaSe晶体中的thc波检索:使用5t秒激光脉冲，波长为1550纳米

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-41

О. Н. Шевченко, Н. А. Николаев, К. А. Кох

{"title":"Детектирование ТГц волн в кристаллах GaSe:S с помощью фемтосекундных лазерных\u0000импульсов на длине волны 1550 нм","authors":"О. Н. Шевченко, Н. А. Николаев, К. А. Кох","doi":"10.34077/rcsp2021-41","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-41","url":null,"abstract":"Особый интерес для инженерии устройств прикладной оптики в ТГц диапазоне частот представляет\u0000разработка эффективных детекторов излучения методами нелинейной оптики. Цель данной работы\u0000заключается в исследовании одного из таких детекторов – кристаллов Ga50%Se50-x%Sx%, где x принимает\u0000значения: 0, 1.5, 6, 8, 11, на эффективность детектирования ТГц волн в телекоммуникационном\u0000диапазоне (1550 нм).\u0000Образцы для исследований были изготовлены в ИГиМ СО РАН. Атомное вхождение серы\u0000определялось методом ЭДС СЭМ.\u0000Также, на базе ИАиЭ СО РАН был собран ТГц спектрометр с генерацией лазерного излучения на\u0000длине волны 1550 нм. В работе проведено сравнение эффективности детектирования терагерцового\u0000поля в вышеупомянутом ряде кристаллов и приведено сравнение с наиболее распространенным\u0000детектором для длин волн 1550 нм – кристаллом GaAs.\u0000Предварительные результаты демонстрируют, что наибольшей чувствительностью обладает\u0000кристалл детектора GaSe с процентным содержанием серы в количестве 6%, а также падение\u0000чувствительности детектора на основе Ga50%Se44%S6% относительно GaAs на 25 % с учетом потерь на\u0000переотражение. Впервые произведена оценка электрооптического коэффициента для кристаллов GaSe\u0000(для длин волн 1550 нм), для наиболее чувствительного кристалла r33=2,36 пм/В.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"58 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128203186","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Диэлектрические микро- и нанорезонаторы на светоизлучающих SiGe структурах

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-28

Алексей Викторович Новиков, М. В. Степихова, С.А. Дьяконов

{"title":"Диэлектрические микро- и нанорезонаторы на светоизлучающих SiGe структурах","authors":"Алексей Викторович Новиков, М. В. Степихова, С.А. Дьяконов","doi":"10.34077/rcsp2021-28","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-28","url":null,"abstract":"Использование различных резонаторов позволило значительно расширить возможности по\u0000управлению оптическими свойствами широкого класса структур. Одной из основных задач\u0000применения резонаторов для светоизлучающих структур является повышение эффективности\u0000источников излучения на их основе. В последние годы значительный интерес для решения этой задачи\u0000привлекают к себе диэлектрические микро- и нанорезонаторы, что во многом связано с низким\u0000уровнем потерь в них по сравнению с плазмонными резонаторами. В данной работе представлены\u0000результаты исследований использования различных диэлектрических резонаторов для управления\u0000излучением SiGe структур, которые направлены на создание источников излучения для кремниевой\u0000фотоники.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"41 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128215287","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Применение эквивалентной шуму разности температур для конгруэнтностифотоприемников сверхвысокой размерности на основе многослойных структур сквантовыми ямами 利用等效温度差来应用超高频光电接收器，基于多个开口结构

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-150

Анатолий Иванович Козлов

{"title":"Применение эквивалентной шуму разности температур для конгруэнтности\u0000фотоприемников сверхвысокой размерности на основе многослойных структур с\u0000квантовыми ямами","authors":"Анатолий Иванович Козлов","doi":"10.34077/rcsp2021-150","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-150","url":null,"abstract":"Мозаичный принцип - один из перспективных технологических\u0000подходов для достижения сверхвысокой размерности ИК ФП.\u0000Мозаичные фотоприемники (МФП) сверхвысокой размерности\u0000создают на базе прорывной технологии прецизионной\u0000микросборки фотоприемных кристаллов субмодулей меньших\u0000форматов, которые оптимальны для изготовления (Рис. 3) [6-7]. В\u0000работе исследованы зависимости основных характеристик ИК\u0000МФП сверхвысокой размерности от λmax, шага МСКЯ и формата\u0000субмодулей (Рис.1-2) [5-8]. МФП сверхвысокой размерности\u0000обладают огромной, расширяющейся индустриальной сферой\u0000применения в перспективных исследованиях.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"15 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126960589","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Фотоприемные устройства на основе InGaAs InGaAs光电接收设备

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-145

Н. Ю. Яковлева, И. Д. Бурлаков, К.О. Болтарь

{"title":"Фотоприемные устройства на основе InGaAs","authors":"Н. Ю. Яковлева, И. Д. Бурлаков, К.О. Болтарь","doi":"10.34077/rcsp2021-145","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-145","url":null,"abstract":"Представлены результаты исследований матричных фотоприемных устройств (ФПУ) на основе\u0000тройных соединений InGaAs коротковолнового ИК диапазона спектра формата 320х256 элементов с\u0000шагом 30 мкм и 640х512 элементов с шагом 15 мкм, работающих в пассивном и активно-импульсном\u0000режимах реального времени [1]. Важной функциональной возможностью ФПУ формата 320х256\u0000является функционирование в четырех режимах реального времени: пассивном 2D; активном 2D с\u0000заданной глубиной по дальности; активно-импульсном 3D (дальномерном); асинхронном бинарном\u0000для обнаружения внешних лазерных излучателей [2].","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"144 8","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114047108","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0