CaSi2胶片在辐射影响下的形成

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-52

А. В. Кацюба, Анатолий Васильевич Двуреченский, Г.Н. Камаев

{"title":"CaSi2胶片在辐射影响下的形成","authors":"А. В. Кацюба, Анатолий Васильевич Двуреченский, Г.Н. Камаев","doi":"10.34077/rcsp2021-52","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В настоящей работе представлены результаты исследований по изучению возможности\nформирования тонких пленок CaSi2, путем воздействия электронного пучка с энергией 20 кэВ и\nплотностью тока 50 мкА/м2 на эпитаксиальную плёнку CaF2 на поверхности Si, т.е. в условиях\nрадиационно-стимулированного роста","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"62 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Формирование пленки CaSi2 в условиях радиационного воздействия на структуру\\nCaF2/Si\",\"authors\":\"А. В. Кацюба, Анатолий Васильевич Двуреченский, Г.Н. Камаев\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2021-52\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В настоящей работе представлены результаты исследований по изучению возможности\\nформирования тонких пленок CaSi2, путем воздействия электронного пучка с энергией 20 кэВ и\\nплотностью тока 50 мкА/м2 на эпитаксиальную плёнку CaF2 на поверхности Si, т.е. в условиях\\nрадиационно-стимулированного роста\",\"PeriodicalId\":356596,\"journal\":{\"name\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"volume\":\"62 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2021-09-27\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-52\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-52","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

摘要

本文介绍了CaSi2薄膜可能形成的研究结果，通过电子束的影响，20 kev的电流密度为50毫升/ m2 / Si表面的CaF2表皮，即条件刺激增长。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

查看原文本刊更多论文

Формирование пленки CaSi2 в условиях радиационного воздействия на структуру CaF2/Si

В настоящей работе представлены результаты исследований по изучению возможности формирования тонких пленок CaSi2, путем воздействия электронного пучка с энергией 20 кэВ и плотностью тока 50 мкА/м2 на эпитаксиальную плёнку CaF2 на поверхности Si, т.е. в условиях радиационно-стимулированного роста

求助全文

通过发布文献求助，成功后即可免费获取论文全文。去求助

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量