{"title":"Механизм протекания тока в ВЧ-магнетронно напыленных пленках\nIn2O3:Er на кремнии","authors":"К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев","doi":"10.34077/rcsp2021-132","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Работа в перспективе направлена на получение электролюминесцентного материала в прозрачном\nдля оптоволоконных линий спектральном диапазоне 1.5 мкм по технологии, совместимой с\nкремниевой. Это откроет возможность гибридизации оптических систем передачи данных с\nэлектронными системами обработки информации на уровне процессоров и позволит развить\nэлементную базу оптических коммуникационных систем. Здесь предлагается рассмотреть\nальтернативный общепринятому A3B5 класс материалов: легированные редкоземельными элементами\nоксиды. Эта работа посвящена исследованию механизма протекания тока в пленках n- и pSi\\In2O3:Er\\In-контакт.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"41 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-132","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
Работа в перспективе направлена на получение электролюминесцентного материала в прозрачном
для оптоволоконных линий спектральном диапазоне 1.5 мкм по технологии, совместимой с
кремниевой. Это откроет возможность гибридизации оптических систем передачи данных с
электронными системами обработки информации на уровне процессоров и позволит развить
элементную базу оптических коммуникационных систем. Здесь предлагается рассмотреть
альтернативный общепринятому A3B5 класс материалов: легированные редкоземельными элементами
оксиды. Эта работа посвящена исследованию механизма протекания тока в пленках n- и pSi\In2O3:Er\In-контакт.