Формирование пленки CaSi2 в условиях радиационного воздействия на структуру CaF2/Si

Abstract

В настоящей работе представлены результаты исследований по изучению возможности формирования тонких пленок CaSi2, путем воздействия электронного пучка с энергией 20 кэВ и плотностью тока 50 мкА/м2 на эпитаксиальную плёнку CaF2 на поверхности Si, т.е. в условиях радиационно-стимулированного роста