ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ最新文献_第7页

Использование микросферной фотолитографии для селективного синтезаполупроводниковых структур группы A3B5 на Si 微球形光谱学用于选择半导体组A3B5在Si中的合成半导体结构

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-83

Л. Н. Дворецкая, А. М. Можаров, Валерий Валерьевич Федоров

{"title":"Использование микросферной фотолитографии для селективного синтеза\u0000полупроводниковых структур группы A3B5 на Si","authors":"Л. Н. Дворецкая, А. М. Можаров, Валерий Валерьевич Федоров","doi":"10.34077/rcsp2021-83","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-83","url":null,"abstract":"В данной работе будет продемонстрирован метод создания\u0000подложек для селективной эпитаксии с использованием микросферной фотолитографии, позволяющей\u0000создавать гексагональные массивы наноструктур на больших площадях. Выбирая диаметр\u0000микросферических частиц и задавая дозу экспонирования на этапе фотолитографии по микросферам,\u0000появляется возможность контролируемого варьирования диаметра и периода отверстий в маске.\u0000Подобные маски могут быть использованы при синтезе различных эпитаксиальных наноструктур,\u0000таких как нитевидные нанокристаллы, наноколонки, нанодиски и др. При этом, такой подход к\u0000подготовке ростовых подложек позволяет не только обеспечить текстурирование пластин большой\u0000площади, но и существенно сократить время экспонирования резиста.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"121 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115168579","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Новый тип оптического сенсора в структуре кремний на изоляторе 绝缘体硅结构中的新型光学传感器

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-63

Андрей Валерьевич Царев

{"title":"Новый тип оптического сенсора в структуре кремний на изоляторе","authors":"Андрей Валерьевич Царев","doi":"10.34077/rcsp2021-63","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-63","url":null,"abstract":"В данной работе представлены результаты [1] численного моделирования модифицированной\u0000конструкции оптического сенсора на основе сегментированной периодической решетки оксинитрида\u0000кремния (SiON), расположенного над кремниевым волноводом (кремниевой проволоки) в структуре\u0000кремний на изоляторе (КНИ). Решетка отделена от волновода тонким окисным слоем,\u0000обеспечивающего эффективную туннельную связь их оптических полей. Данная сегментированная\u0000решетка работает как вытекающий волновод, который фильтрует входную мощность от\u0000широкополосного оптического источника и излучает ее в виде выходящего оптического пучка,\u0000содержащего спектральные компоненты в узком диапазоне длин волн, а также обладающих небольшой\u0000угловой расходимостью. Угол излучения сильно зависит от показателя преломления окружающей\u0000сенсор среды. Это дет возможность проводить считывания данных с данного интегрально-оптического\u0000сенсора путем измерения картины дальнего поля в фокальной плоскости объектива, который\u0000расположен рядом с сенсорным элементом. Концепция работы данного типа оптического сенсора была\u0000проверена прямым численным моделированием с помощью метода конечных разностей во\u0000временной области (FDTD) с использованием оптического пакета от Rsoft. Датчик\u0000продемонстрировал умеренный собственный предел обнаружения (iLOD) ≈ 0,004 RIU при потенциале\u0000увеличения iLOD до 0,001 RIU в случае применении длинных структур порядка 10 мм.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"9 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"123710021","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Чувствительность пленок PbSnTe:In к тепловому излучению низкотемпературных(вплоть до Т=60К) источников PbSnTe胶片的敏感度:在低温辐射(t = 60k)源

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-39

Алексей Евгеньевич Климов, В. А. Голяшов, Д В Горшков

{"title":"Чувствительность пленок PbSnTe:In к тепловому излучению низкотемпературных\u0000(вплоть до Т=60К) источников","authors":"Алексей Евгеньевич Климов, В. А. Голяшов, Д В Горшков","doi":"10.34077/rcsp2021-39","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-39","url":null,"abstract":"ФД ИК диапазона широко используются в системах формирования теплового изображения\u0000источника и «сцены». Их важнейшим параметром является не только температурное разрешение, но и\u0000допустимая средняя температура «сцены». Очевидно,\u0000что чем больше кр, тем меньшая температура «сцены»\u0000может регистрироваться. В работе представлены\u0000результаты прямых измерений параметров макетов\u0000детекторов с большими ф при Т = 4,2 К к излучению\u0000АЧТ с ТАЧТ < 80 К в условиях сверхнизкого фонового\u0000потока. Подобные условия могут реализовываться,\u0000например, при наблюдении за удаленными объектами\u0000Солнечной системы. При ТАЧТ = 70 К получено значение\u0000температурного разрешения Т < 0,0007 К,\u0000соответствующее интегральной обнаружительной\u0000способности по этому источнику D* > 1014 смГц0,5Вт-1\u0000.\u0000Рассмотрены механизмы фоточувствительности,\u0000оценено значение кр и возможность управления ф в\u0000PbSnTe:In-фотодетекторах на основе впервые\u0000созданных МДП-структур с Al2O3 подзатворным\u0000диэлектриком. В качестве иллюстрации на рисунке\u0000показано изменение тока канала структуры этого типа\u0000под действием освещения в условиях малых потоков\u0000фотонов Ф.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"116 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115683394","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Восстановление p-типа проводимости HgCdTe после плазмохимического травленияпри низких температурах 在低温下等离子化学腐蚀后HgCdTe导电性p型还原

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-51

Д В Горшков, В. С. Варавин, Г. И. Сидоров

引用次数: 0

Применение современной ИК термографии для изучения скорости пульсовой волны

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-34

Б. Г. Вайнер

{"title":"Применение современной ИК термографии для изучения скорости пульсовой волны","authors":"Б. Г. Вайнер","doi":"10.34077/rcsp2021-34","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-34","url":null,"abstract":"Скорость распространения пульсовой волны (pulse wave velocity – PWV) в артериях является\u0000общепризнанным показателем жесткости сосудов, которая, в свою очередь, характеризует состояние\u0000кардиоваскулярной системы и служит предвестником развития грозных заболеваний (гипертония и\u0000пр.). Обычно, определяя PWV, усредняют порядка 10-20 измеренных значений ввиду разброса\u0000показаний, обусловленного, в частности, влиянием легочного дыхания. Однако, вплоть до\u0000настоящего времени не было проведено исследований, позволяющих сопоставить фазу амплитудной\u0000модуляции PWV с фазой циркуляции воздуха в дыхательных отверстиях. С учетом того, что\u0000возможный фазовый сдвиг здесь способен количественно характеризовать функциональную\u0000взаимосвязь дыхательной и сердечно-сосудистой систем организма, получение объективной\u0000информации о данном параметре является\u0000высоко актуальным.\u0000В проведенных исследованиях\u0000применена оригинальная технология,\u0000впервые позволившая подойти к решению\u0000сформулированной выше проблемы и\u0000получить пилотные результаты.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"8 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"129699492","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Резонансный фотоотклик плавного потенциального барьера

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-74

Д. М. Казанцев, В. А. Ткаченко, В. Л. Альперович

引用次数: 0

Численное моделирование сенсоров на основе линейных металлических решеток 线性金属格栅传感器数值模拟

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-85

О. Э. Камешков, Виталий Владимирович Герасимов, Борис Александрович Князев

{"title":"Численное моделирование сенсоров на основе линейных металлических решеток","authors":"О. Э. Камешков, Виталий Владимирович Герасимов, Борис Александрович Князев","doi":"10.34077/rcsp2021-85","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-85","url":null,"abstract":"В данной работе проводилось сравнение методом численного моделирования сенсорных\u0000возможностей одномерных дифракционных и субволновых решеток. Оптимизированная\u0000дифракционная решетка представляет перспективный, недорогой и простой в изготовлении ТГц\u0000датчик показателя преломления. Мы численно исследовали влияние периода решетки, глубины\u0000решетки и показателя преломления на ППР-свойства решетки. Одномерные субволновые\u0000металлические прямоугольные решетки исследовались в схеме нарушенного полного внутреннего\u0000отражения (конфигурация Отто), которая используется для удовлетворения условий фазового\u0000синхронизма. Выполнен параметрический анализ данной сенсорной системы.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"9 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121249483","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Проявления связанных состояний в континууме в люминесцентном откликенаноостровков Ge(Si) в двумерных фотонных кристаллах 在二维光子晶体中的发光反应Ge(Si)中，连续状态的表现

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-81

М. В. Степихова, С. А. Дьяков, А. Н. Яблонский

{"title":"Проявления связанных состояний в континууме в люминесцентном отклике\u0000наноостровков Ge(Si) в двумерных фотонных кристаллах","authors":"М. В. Степихова, С. А. Дьяков, А. Н. Яблонский","doi":"10.34077/rcsp2021-81","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-81","url":null,"abstract":"В работе приводятся результаты экспериментальных исследований двумерных фотонных\u0000кристаллов (ФК), сформированных на кремниевых структурах с самоформирующимися\u0000наноостровками Ge(Si). Интерес к таким структурам вызван, прежде всего, их излучательной\u0000способностью в диапазоне длин волн 1.2-1.6 мкм и возможностями интегрирования в схемы\u0000современной микроэлектроники. В работе рассмотрены особенности процессов взаимодействия\u0000излучающей среды (наноносостровков Ge(Si)) с модами ФК, в частности, так называемыми\u0000связанными состояниями в континууме (bound states in the continuum - BIC), вносящими\u0000преимущественный вклад в усиление люминесцентного отклика наноостровков.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"45 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116459668","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Алгоритм формирования трехмерной сцены инфракрасного диапазона 红外波段三维场景形成算法

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-139

А. В. Зверев, Д.Е. Ипатов

{"title":"Алгоритм формирования трехмерной сцены инфракрасного диапазона","authors":"А. В. Зверев, Д.Е. Ипатов","doi":"10.34077/rcsp2021-139","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-139","url":null,"abstract":"На сегодняшний день машинное зрение является одним из наиболее значимых применений\u0000интеллектуальных систем во множестве областей человеческой деятельности [1]. В таких системах\u0000анализ окружения выполняется с применением различных сенсоров, среди которых наиболее\u0000распространенными являются фотоприёмные устройства (ФПУ). Для достижения высочайшей\u0000эффективности в решении поставленных задач, машинному зрению требуется улучшение следующих\u0000качественных и количественных характеристик ФПУ: входной динамический диапазон, латентность\u0000по выводу сигнала и возможность работы в инфракрасном (ИК) спектре длин волн. Последнее\u0000требование особенно важно в сложных и крайне опасных для человека экстремальных условиях.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"19 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126829906","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Эллипсометрическая in situ диагностика температуры в технологии выращиванияслоёв кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-90

В.А. Швец, Д.В. Марин, И. А. Азаров

{"title":"Эллипсометрическая in situ диагностика температуры в технологии выращивания\u0000слоёв кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии","authors":"В.А. Швец, Д.В. Марин, И. А. Азаров","doi":"10.34077/rcsp2021-90","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-90","url":null,"abstract":"Температура подложки при выращивании слоёв кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в технологии\u0000молекулярно-лучевой эпитаксии является одним из ключевых параметров, который обеспечивает\u0000стабильный рост бездефектных эпитаксиальных плёнок с заданными характеристиками.\u0000Используемые в мировой практике методы контроля температуры, такие как пирометрия,\u0000спектроскопия края поглощения, термопарный либо малоэффективны, либо требуют дополнительной\u0000технической адаптации вакуумного оборудования.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"75 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132721612","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0