- Book学术

发布求助

文献互助智能选刊最新文献

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-90

В.А. Швец, Д.В. Марин, И. А. Азаров

{"title":"Эллипсометрическая in situ диагностика температуры в технологии выращивания\nслоёв кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии","authors":"В.А. Швец, Д.В. Марин, И. А. Азаров","doi":"10.34077/rcsp2021-90","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Температура подложки при выращивании слоёв кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в технологии\nмолекулярно-лучевой эпитаксии является одним из ключевых параметров, который обеспечивает\nстабильный рост бездефектных эпитаксиальных плёнок с заданными характеристиками.\nИспользуемые в мировой практике методы контроля температуры, такие как пирометрия,\nспектроскопия края поглощения, термопарный либо малоэффективны, либо требуют дополнительной\nтехнической адаптации вакуумного оборудования.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"75 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-90","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

摘要

在分子束束辐射中，基质的生长过程中，基质温度是确保无胎面附着特征稳定增长的关键参数之一。全球实践中使用的温度控制方法，如高温测定、光谱学、热成对或需要对真空设备进行额外的技术调整。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

查看原文本刊更多论文

Эллипсометрическая in situ диагностика температуры в технологии выращивания слоёв кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Температура подложки при выращивании слоёв кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии является одним из ключевых параметров, который обеспечивает стабильный рост бездефектных эпитаксиальных плёнок с заданными характеристиками. Используемые в мировой практике методы контроля температуры, такие как пирометрия, спектроскопия края поглощения, термопарный либо малоэффективны, либо требуют дополнительной технической адаптации вакуумного оборудования.

求助全文

通过发布文献求助，成功后即可免费获取论文全文。去求助

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量