Чувствительность пленок PbSnTe:In к тепловому излучению низкотемпературных (вплоть до Т=60К) источников

ФД ИК диапазона широко используются в системах формирования теплового изображения источника и «сцены». Их важнейшим параметром является не только температурное разрешение, но и допустимая средняя температура «сцены». Очевидно, что чем больше кр, тем меньшая температура «сцены» может регистрироваться. В работе представлены результаты прямых измерений параметров макетов детекторов с большими ф при Т = 4,2 К к излучению АЧТ с ТАЧТ < 80 К в условиях сверхнизкого фонового потока. Подобные условия могут реализовываться, например, при наблюдении за удаленными объектами Солнечной системы. При ТАЧТ = 70 К получено значение температурного разрешения Т < 0,0007 К, соответствующее интегральной обнаружительной способности по этому источнику D* > 1014 смГц0,5Вт-1 . Рассмотрены механизмы фоточувствительности, оценено значение кр и возможность управления ф в PbSnTe:In-фотодетекторах на основе впервые созданных МДП-структур с Al2O3 подзатворным диэлектриком. В качестве иллюстрации на рисунке показано изменение тока канала структуры этого типа под действием освещения в условиях малых потоков фотонов Ф.