光电接收器的折射率影响其多次冷却周期到液氮温度的破坏

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-152

А.Р. Новоселов, П. А. Алдохин, П.П. Добровольский

{"title":"光电接收器的折射率影响其多次冷却周期到液氮温度的破坏","authors":"А.Р. Новоселов, П. А. Алдохин, П.П. Добровольский","doi":"10.34077/rcsp2021-152","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Исследовано влияние изгиба поверхности гибридных фотоприемников\n(для двух флип-чип фотоприёмника выпуклой формы по двум\nперпендикулярным осям, см. рисунок) на их постепенное разрушение при\nмногократных циклах охлаждения до температуры 77 K. Контроль формы\nповерхности фотоприемников был осуществлен интерференционным\nметодом по непланарной стороне GaAs подложек.\nФлип-чип фотоприёмники были изготовлены ИФП СО РАН в рамках\nвыполнения темы «Баян». Массивы фоточувствительных элементов были\nгетероэпитаксиальные твердые растворы кадмия, ртути и теллура (КРТ) на\nподложках из GaAs.\nИсследование выполнено на оборудовании Центра коллективного\nпользования «Спектроскопия и оптика» ИАиЭ СО РАН.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"60 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Влияние величины изгиба флип-чип фотоприёмника на его разрушение при\\nмногократных циклах охлаждения до температуры жидкого азота\",\"authors\":\"А.Р. Новоселов, П. А. Алдохин, П.П. Добровольский\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2021-152\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Исследовано влияние изгиба поверхности гибридных фотоприемников\\n(для двух флип-чип фотоприёмника выпуклой формы по двум\\nперпендикулярным осям, см. рисунок) на их постепенное разрушение при\\nмногократных циклах охлаждения до температуры 77 K. Контроль формы\\nповерхности фотоприемников был осуществлен интерференционным\\nметодом по непланарной стороне GaAs подложек.\\nФлип-чип фотоприёмники были изготовлены ИФП СО РАН в рамках\\nвыполнения темы «Баян». Массивы фоточувствительных элементов были\\nгетероэпитаксиальные твердые растворы кадмия, ртути и теллура (КРТ) на\\nподложках из GaAs.\\nИсследование выполнено на оборудовании Центра коллективного\\nпользования «Спектроскопия и оптика» ИАиЭ СО РАН.\",\"PeriodicalId\":356596,\"journal\":{\"name\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"volume\":\"60 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2021-09-27\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-152\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-152","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

摘要

研究了混合光电接收器表面弯曲的影响(双垂直轴凸起式光电接收器芯片，见图)，它们逐渐破坏了多倍的冷却周期到77 K。对光电接收器表面的控制是通过非平坦的GaAs勺子的干涉方法进行的。flip光电接收器是由ifp从伤口到框架执行bayan主题。光敏元件的数组是加斯底座上的异质镉、汞和特鲁拉固体溶液。这项研究是由ihae seo rang的光谱学和光学中心设备进行的。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

查看原文本刊更多论文

Влияние величины изгиба флип-чип фотоприёмника на его разрушение при многократных циклах охлаждения до температуры жидкого азота

Исследовано влияние изгиба поверхности гибридных фотоприемников (для двух флип-чип фотоприёмника выпуклой формы по двум перпендикулярным осям, см. рисунок) на их постепенное разрушение при многократных циклах охлаждения до температуры 77 K. Контроль формы поверхности фотоприемников был осуществлен интерференционным методом по непланарной стороне GaAs подложек. Флип-чип фотоприёмники были изготовлены ИФП СО РАН в рамках выполнения темы «Баян». Массивы фоточувствительных элементов были гетероэпитаксиальные твердые растворы кадмия, ртути и теллура (КРТ) на подложках из GaAs. Исследование выполнено на оборудовании Центра коллективного пользования «Спектроскопия и оптика» ИАиЭ СО РАН.

求助全文

通过发布文献求助，成功后即可免费获取论文全文。去求助

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量