Влияние ориентации поверхности на характеристики высокотемпературных отжигов подложек арсенида галлия

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-71

Н. Л. Шварц, А.А. Спирина

{"title":"Влияние ориентации поверхности на характеристики высокотемпературных отжигов\nподложек арсенида галлия","authors":"Н. Л. Шварц, А.А. Спирина","doi":"10.34077/rcsp2021-71","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В работе представлены результаты Монте-Карло моделирования ленгмюровского\nиспарения подложек арсенида галлия. Анализировалось влияние ориентации поверхности\nподложек на характеристики неравновесных высокотемпературных отжигов.\nРассматривались сингулярные и вицинальные поверхности GaAs(111)A и GaAs(111)В с\nразными углами разориентации. Моделирование осуществлялось в температурном диапазоне\n700 – 1000 K, включающем температуры конгруэнтного испарения Тс подложек с разным\nуглом отклонения.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"140 6 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-71","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

В работе представлены результаты Монте-Карло моделирования ленгмюровского испарения подложек арсенида галлия. Анализировалось влияние ориентации поверхности подложек на характеристики неравновесных высокотемпературных отжигов. Рассматривались сингулярные и вицинальные поверхности GaAs(111)A и GaAs(111)В с разными углами разориентации. Моделирование осуществлялось в температурном диапазоне 700 – 1000 K, включающем температуры конгруэнтного испарения Тс подложек с разным углом отклонения.

查看原文本刊更多论文

表面定向对阿森尼德·高卢高温退火特性的影响

本文介绍了蒙特卡洛对阿森尼德·高卢勺子蒸发模拟的结果。分析了表面定向对非平衡高温退火特性的影响。在不同的方向上，GaAs(111)A和GaAs(111)的奇点和副胞面被观察。在700 - 1000 K的温度范围内进行了模拟，包括汤匙的全等蒸发温度和不同的偏差。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量