Резонансные оптические покрытия, состоящие из массивов частиц SiGe и Ge на подложках Si

Abstract

Экспериментальные работы в области изучения эффективности оптоэлектронных элементов часто опережаются теоретическими исследованиями. Взаимодействие ЭМ волн с диэлектрическими частицами субволнового размера не имеет простой интерпретации для описания спектров отражения и пропускания. Единственным простым оценочным соотношением является формула m=nd, где m – длина волны магнитного дипольного резонанса, n – показатель преломления материала частицы и d – диаметр частицы. Была показано, что эта формула с высокой точностью выполняется для сферических частиц в среде воздуха. Для расчётов более сложных случаев могут быть использованы коммерческие программные пакеты.