{"title":"Генерация терагерцового излучения токами фотонного увлечения\nв квантовых ямах a-Sn/Ge","authors":"В.Н. Трухин, И. А. Мустафин, F. V. Kusmartsev","doi":"10.34077/rcsp2021-69","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования фототоков в\nнаноструктурах на основе квантовых ям α-Sn/Ge при их возбуждении фемтосекундными оптическими\nимпульсами, как непосредственно контактным методом, так и регистрацией терагерцового излучения,\nиндуцированного этими фототоками. Данная структура представляет интерес с точки зрения\nполучения нового топологического материала. Исследуемые образцы представляли собой\nнанометровые слои Ge и α-Sn, синтезированные методом электронно-лучевого осаждения на\nповерхность подложки кремния с верхним слоем SiO2.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"57 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-69","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования фототоков в
наноструктурах на основе квантовых ям α-Sn/Ge при их возбуждении фемтосекундными оптическими
импульсами, как непосредственно контактным методом, так и регистрацией терагерцового излучения,
индуцированного этими фототоками. Данная структура представляет интерес с точки зрения
получения нового топологического материала. Исследуемые образцы представляли собой
нанометровые слои Ge и α-Sn, синтезированные методом электронно-лучевого осаждения на
поверхность подложки кремния с верхним слоем SiO2.