Генерация терагерцового излучения токами фотонного увлечения в квантовых ямах a-Sn/Ge

В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования фототоков в наноструктурах на основе квантовых ям α-Sn/Ge при их возбуждении фемтосекундными оптическими импульсами, как непосредственно контактным методом, так и регистрацией терагерцового излучения, индуцированного этими фототоками. Данная структура представляет интерес с точки зрения получения нового топологического материала. Исследуемые образцы представляли собой нанометровые слои Ge и α-Sn, синтезированные методом электронно-лучевого осаждения на поверхность подложки кремния с верхним слоем SiO2.