Определение объемной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в МЛЭ КРТ n-типа проводимости с x=0.295 методом сканирования светового пятна диодом фотоприёмной матрицы

С целью определения объемной длины диффузии ld фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в материале кадмий-ртуть-теллур (КРТ) n-типа проводимости были проведены измерения профилей сканирования диодом p-на-n фотоприёмной матрицы пятна засветки в виде узкой засвеченной полоски при последовательном уменьшении отбираемого из слоя абсорбера фототока. В эксперименте использовался фотоприемник средневолнового ИК-диапазона, абсорбер которого был легирован индием до концентрации 3.9·1015 см-3 в процессе роста материала методом МЛЭ. Стехиометрический коэффициент материала КРТ абсорбера был равен x=0.295. Период матрицы составлял 15 мкм, а размер её диодов был равен ≈ 5x5 мкм.