М.С. Кораблин, Владимир Васильевич Гончаров, А. В. Никонов
{"title":"QWIP结构控制AlGaAs化合物的光学特性设计模型","authors":"М.С. Кораблин, Владимир Васильевич Гончаров, А. В. Никонов","doi":"10.34077/rcsp2021-120","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В технологии изготовления гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами\n(QWIP-структур), применяемых для создания матричных фотоприемных устройств среднего и\nдальнего ИК-диапазона, существенную роль играет прецизионный контроль свойств\nфоточувствительных материалов [1]. Критически важными контролируемыми характеристиками\nявляются распределение коэффициентов пропускания и отражения структуры по длинам волн\nизлучения. В связи с топологической сложностью QWIP-структур на основе гетеропары AlGaAs/GaAs\n(количество и наноразмерная толщина эпитаксиальных слоев в активной области) актуальной задачей,\nстоящей перед разработчиками, является реализация расчётных методов, позволяющих как\nпрогнозировать параметры структур с высокой точностью, так и предоставлять необходимые данные\nдля обеспечения технологического процесса эпитаксиального роста.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"8 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Расчётная модель оптических характеристик соединения AlGaAs для контроля\\nпараметров QWIP-структур\",\"authors\":\"М.С. Кораблин, Владимир Васильевич Гончаров, А. В. Никонов\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2021-120\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В технологии изготовления гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами\\n(QWIP-структур), применяемых для создания матричных фотоприемных устройств среднего и\\nдальнего ИК-диапазона, существенную роль играет прецизионный контроль свойств\\nфоточувствительных материалов [1]. Критически важными контролируемыми характеристиками\\nявляются распределение коэффициентов пропускания и отражения структуры по длинам волн\\nизлучения. В связи с топологической сложностью QWIP-структур на основе гетеропары AlGaAs/GaAs\\n(количество и наноразмерная толщина эпитаксиальных слоев в активной области) актуальной задачей,\\nстоящей перед разработчиками, является реализация расчётных методов, позволяющих как\\nпрогнозировать параметры структур с высокой точностью, так и предоставлять необходимые данные\\nдля обеспечения технологического процесса эпитаксиального роста.\",\"PeriodicalId\":356596,\"journal\":{\"name\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"volume\":\"8 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2021-09-27\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-120\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-120","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Расчётная модель оптических характеристик соединения AlGaAs для контроля
параметров QWIP-структур
В технологии изготовления гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами
(QWIP-структур), применяемых для создания матричных фотоприемных устройств среднего и
дальнего ИК-диапазона, существенную роль играет прецизионный контроль свойств
фоточувствительных материалов [1]. Критически важными контролируемыми характеристиками
являются распределение коэффициентов пропускания и отражения структуры по длинам волн
излучения. В связи с топологической сложностью QWIP-структур на основе гетеропары AlGaAs/GaAs
(количество и наноразмерная толщина эпитаксиальных слоев в активной области) актуальной задачей,
стоящей перед разработчиками, является реализация расчётных методов, позволяющих как
прогнозировать параметры структур с высокой точностью, так и предоставлять необходимые данные
для обеспечения технологического процесса эпитаксиального роста.
求助内容：
应助结果提醒方式：
京公网安备 11010802042870号
