Расчётная модель оптических характеристик соединения AlGaAs для контроля параметров QWIP-структур

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-120

М.С. Кораблин, Владимир Васильевич Гончаров, А. В. Никонов

{"title":"Расчётная модель оптических характеристик соединения AlGaAs для контроля\nпараметров QWIP-структур","authors":"М.С. Кораблин, Владимир Васильевич Гончаров, А. В. Никонов","doi":"10.34077/rcsp2021-120","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В технологии изготовления гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами\n(QWIP-структур), применяемых для создания матричных фотоприемных устройств среднего и\nдальнего ИК-диапазона, существенную роль играет прецизионный контроль свойств\nфоточувствительных материалов [1]. Критически важными контролируемыми характеристиками\nявляются распределение коэффициентов пропускания и отражения структуры по длинам волн\nизлучения. В связи с топологической сложностью QWIP-структур на основе гетеропары AlGaAs/GaAs\n(количество и наноразмерная толщина эпитаксиальных слоев в активной области) актуальной задачей,\nстоящей перед разработчиками, является реализация расчётных методов, позволяющих как\nпрогнозировать параметры структур с высокой точностью, так и предоставлять необходимые данные\nдля обеспечения технологического процесса эпитаксиального роста.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"8 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-120","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

В технологии изготовления гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами (QWIP-структур), применяемых для создания матричных фотоприемных устройств среднего и дальнего ИК-диапазона, существенную роль играет прецизионный контроль свойств фоточувствительных материалов [1]. Критически важными контролируемыми характеристиками являются распределение коэффициентов пропускания и отражения структуры по длинам волн излучения. В связи с топологической сложностью QWIP-структур на основе гетеропары AlGaAs/GaAs (количество и наноразмерная толщина эпитаксиальных слоев в активной области) актуальной задачей, стоящей перед разработчиками, является реализация расчётных методов, позволяющих как прогнозировать параметры структур с высокой точностью, так и предоставлять необходимые данные для обеспечения технологического процесса эпитаксиального роста.

查看原文本刊更多论文

QWIP结构控制AlGaAs化合物的光学特性设计模型

在制造具有多个量子坑(QWIP结构)的异形体结构(QWIP结构)的技术中，用于创建基质光电接收设备(1)的作用很大。重要的控制特性是通过波长分布和反射结构系数。由于基于AlGaAs/GaAs异质异质对QWIP结构的拓扑复杂性(活动区域内外延层的数量和纳米厚度)，开发人员面临的挑战是实现计算方法，使预测结构的参数精确，并提供必要的数据以确保外延增长。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量