Выбор оптимальной структуры фоточувствительной гибридной сборки на охлаждаемом пьедестале криостата

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-151

П.С. Загубисало, А.Р. Новоселов

{"title":"Выбор оптимальной структуры фоточувствительной гибридной сборки на\nохлаждаемом пьедестале криостата","authors":"П.С. Загубисало, А.Р. Новоселов","doi":"10.34077/rcsp2021-151","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Проведено сравнение известных способов фиксации фоточувствительной гибридной сборки на\nохлаждаемом пьедестале криостата. Оно осуществлялось на модели сборки, состоящей из пластин:\nGaAs / In / Si / GaAs (опциональный компенсационный слой). Способы фиксации: закрепление сборки,\nпозволяющее свободно изгибаться при охлаждении, жесткое крепление сборки на сапфировом растре\nсо стороны кремниевой микросхемы. Варьирование толщин в рамках сравниваемых способов\nфиксации, позволило выбрать оптимальную конструкцию крепления гибридной сборки в охлаждаемом\nкриостате. Исследование проводилось с помощью радиально-симметричной модели, в которой\nнапряжения при охлаждении моделировались методом конечных элементов. Диаметр всех слоёв\nравнялся 10 мм. Толщины слоёв GaAs и кремния варьировались от 50 мкм до 700 мкм,\nкомпенсационного слоя GaAs – от 0 мкм до 700 мкм. Толщина слоя сапфира бралась много больше\nисследованных толщин GaAs и кремния.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-151","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Проведено сравнение известных способов фиксации фоточувствительной гибридной сборки на охлаждаемом пьедестале криостата. Оно осуществлялось на модели сборки, состоящей из пластин: GaAs / In / Si / GaAs (опциональный компенсационный слой). Способы фиксации: закрепление сборки, позволяющее свободно изгибаться при охлаждении, жесткое крепление сборки на сапфировом растре со стороны кремниевой микросхемы. Варьирование толщин в рамках сравниваемых способов фиксации, позволило выбрать оптимальную конструкцию крепления гибридной сборки в охлаждаемом криостате. Исследование проводилось с помощью радиально-симметричной модели, в которой напряжения при охлаждении моделировались методом конечных элементов. Диаметр всех слоёв равнялся 10 мм. Толщины слоёв GaAs и кремния варьировались от 50 мкм до 700 мкм, компенсационного слоя GaAs – от 0 мкм до 700 мкм. Толщина слоя сапфира бралась много больше исследованных толщин GaAs и кремния.

查看原文本刊更多论文

选择光敏混合底座低温器的最佳结构

通过比较已知的方法来定位光敏混合动力车的低温底座。它是在一个板块模型中完成的:可选补偿层(GaAs / In / Si / GaAs)。固定方法:在冷却时可以自由弯曲的装配，硅电路蓝宝石破碎时的固定装置。在比较固定的方式下，厚度的变化使得在冷却冷却器中选择混合安装的最佳结构。研究是用径向对称模型进行的，在这种模型中，冷却电压是由有限元素模拟的。它的直径是10毫米。GaAs和硅的厚度从50 m到700 m不等，补偿层从0 m到700 m不等。蓝宝石层厚度吸收了许多被探索过的GaAs和硅厚度。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量