МЛЭ рост сложных фотоприёмных, лазерных и nBn структур на основе твердых растворов CdHgTe

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-45

Николай Николаевич Михайлов, Сергей Алексеевич Дворецкий, Р. В. Меньшиков

{"title":"МЛЭ рост сложных фотоприёмных, лазерных и nBn структур на основе твердых\nрастворов CdHgTe","authors":"Николай Николаевич Михайлов, Сергей Алексеевич Дворецкий, Р. В. Меньшиков","doi":"10.34077/rcsp2021-45","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Рассмотрены особенности выращивания сложных гетероструктур на основе твердого раствора\nCdHgTe и HgCdTe/HgTe квантовых ям (КЯ) на альтернативных подложках из (013) CdTe/ZnTe/GaAs\nдиаметром до 3-х дюймов методом молекулярно-лучевой эпитаксии с in situ эллипсометрическим\nконтролем состава и толщины на сверхвысоковакуумной установке “Обь-М” с модернизированной\nсистемой молекулярных источников. Для лазерных структур при последовательно росте\nвыращиваются толстые волноводные слои CdHgTe с составами 0,7-0,95 молярных долей CdTe и\nтолщиной 0.3-10 мкм, в объеме которых встроены квантовые ямы (КЯ) HgCdTe/HgTe/HgCdTe в\nколичестве от 3 до 15 КЯ с такими параметрами: состав в КЯ и барьерах 30 нм составлял менее 0,05 и\n0,7-0,95 и толщиной 2.5 - 7,8 нм и 30 нм соответственно. Такие структуры обеспечивают длину волны\nстимулированного излучения в диапазоне от 3 до 31 мкм.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"12 4","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-45","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Рассмотрены особенности выращивания сложных гетероструктур на основе твердого раствора CdHgTe и HgCdTe/HgTe квантовых ям (КЯ) на альтернативных подложках из (013) CdTe/ZnTe/GaAs диаметром до 3-х дюймов методом молекулярно-лучевой эпитаксии с in situ эллипсометрическим контролем состава и толщины на сверхвысоковакуумной установке “Обь-М” с модернизированной системой молекулярных источников. Для лазерных структур при последовательно росте выращиваются толстые волноводные слои CdHgTe с составами 0,7-0,95 молярных долей CdTe и толщиной 0.3-10 мкм, в объеме которых встроены квантовые ямы (КЯ) HgCdTe/HgTe/HgCdTe в количестве от 3 до 15 КЯ с такими параметрами: состав в КЯ и барьерах 30 нм составлял менее 0,05 и 0,7-0,95 и толщиной 2.5 - 7,8 нм и 30 нм соответственно. Такие структуры обеспечивают длину волны стимулированного излучения в диапазоне от 3 до 31 мкм.

查看原文本刊更多论文

复杂光电接收器、激光和nBn结构的生长是基于CdHgTe固定器。

研究了复杂的异质结构，基于固体溶液和HgCdTe/ hgdte / hgt量子洞(013)的替代基质(013)，用分子束束束/ZnTe/ gaast(3英寸)由分子束/ZnTe/ gaast(3英寸)由分子束/ZnTe/ gaast(3英寸)由分子束/ZnTe/ gaast(3英寸)组成和厚度的分子量控制与超高真空/ o - m系统升级的分子源系统。对于激光结构序列ростевыращива胖波导层和质量浓度为0.7 - 0.95 CdHgTe techsystems份额итолщин0.3 - 10μm,内置的容量量子阱(КЯ)HgCdTe / HgTe / HgCdTeвколичеств3到15КЯКЯ参数:构成和壁垒30 nm低于0.05и0,7 - 0.95%和厚度分别为2.5 - 780 nm和30 nm。这些结构提供了3到31 mkm波动性辐射的长度。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量