ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ最新文献_第5页

МЛЭ твёрдых растворов GaPxAs1-x на вицинальных подложках: влияние отклоненияна состав пленок 胶片成分偏差影响

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-38

Евгений Александрович Емельянов, М. О. Петрушков, Иван Дмитриевич Лошкарев

{"title":"МЛЭ твёрдых растворов GaPxAs1-x на вицинальных подложках: влияние отклонения\u0000на состав пленок","authors":"Евгений Александрович Емельянов, М. О. Петрушков, Иван Дмитриевич Лошкарев","doi":"10.34077/rcsp2021-38","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-38","url":null,"abstract":"В данной работе было исследовано влияние отклонения подложки GaAs от сингулярной грани (100)\u0000в направлении [110] на 0°, 1°, 2°, 3°, 5° и 7° на состав твёрдых растворов GaPxAs1-x. Слой твёрдого\u0000раствора выращивался одновременно на положках всех ориентаций. Использовались потоки молекул\u0000As2 и P2, скорость роста составляла 1 МС/с, Ts = 500°С, толщина плёнки - 1 мкм. Выращенные образцы\u0000были исследованы методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"28 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116777046","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Матричное тепловидение нового поколения в химии и химической физике 化学和化学物理学新一代的矩阵热视觉

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-89

Б. Г. Вайнер

{"title":"Матричное тепловидение нового поколения в химии и химической физике","authors":"Б. Г. Вайнер","doi":"10.34077/rcsp2021-89","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-89","url":null,"abstract":"Большинство химических реакций сопровождается выделением теплоты. При этом, как отражалось\u0000в литературе, наблюдаемые температурные изменения способны служить количественным\u0000показателем химических процессов [1]. Более того, информация о температуре в ряде случаев является\u0000решающей для понимания термодинамики и кинетики реакций [2].\u0000Уникальные технические возможности современной ИК термографии (количественного\u0000матричного тепловидения), позволяющие без физического вмешательства в объект исследования\u0000проводить температурные измерения с чувствительностью порядка 0.01 C и выше, реализовать\u0000временное разрешение порядка 0.01 с и короче, дают основания считать этот метод одним из наиболее\u0000подходящих для химических приложений, в том числе, для адсорбции и катализа. Благодаря\u0000современной доступности и своим беспрецедентным свойствам тепловизионный метод исследования\u0000по сути породил новое экспериментальное направление в изучении разнообразных экзотермических и\u0000эндотермических процессов, протекающих в на поверхности твердых тел. Высокая эффективность\u0000применения тепловизионного подхода для этой цели была обоснована и продемонстрирована автором\u0000настоящего доклада в недавнем обзоре [3].","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"19 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"125825171","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Неупругое рассеяние горячих фотоэлектронов при выходе в вакуум из p-GaAs(Cs,O) 当p-GaAs(Cs,O)进入真空时，热光电子的非均匀散射

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-126

В.В. Бакин, С. А. Рожков, С. Н. Косолобов

{"title":"Неупругое рассеяние горячих фотоэлектронов при выходе в вакуум из p-GaAs(Cs,O)","authors":"В.В. Бакин, С. А. Рожков, С. Н. Косолобов","doi":"10.34077/rcsp2021-126","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-126","url":null,"abstract":"Полупрозрачные p-GaAs(Cs,O)-фотокатоды с эффективным отрицательным электронным\u0000сродством (ОЭС) применяются в настоящее время в электронно-оптических преобразователях,\u0000координатно-чувствительных детекторах, в источниках спин-поляризованных и монохроматических\u0000электронов. Каждая из областей практического применения требует оптимизации параметров pGaAs(Cs,O)-фотокатода. Научно-обоснованный подход к такой оптимизации предполагает, что\u0000хорошо известны: атомная структура ОЭС-интерфейса, его энергетическая диаграмма и процессы\u0000рассеяния, сопровождающие выход фотоэлектронов в вакуум. Наиболее информативный метод\u0000изучения энергетической диаграммы и процессов рассеяния основан на анализе энергетических и\u0000угловых распределений эмитированных в вакуум фотоэлектронов. С помощью данного метода, ранее,\u0000были проанализированы энергетические [1] и угловые [2] распределения термализованных\u0000фотоэлектронов. В результате, была предложена модель, в которой предполагалось, что выход в\u0000вакуум представляет собой “двухступенчатый процесс” и сопровождается “промежуточным захватом”\u0000фотоэлектронов в приповерхностные зоны размерного квантования.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"67 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"124343082","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Пленение излучения и субподзонный пик в спектрахквантового выхода фотоэмиссии p-GaAs(Cs,O) p-GaAs光电发射(Cs,O)光谱输出中的辐射捕获和次区域峰值

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-130

Д.Е. Протопопов, В. С. Хорошилов, Д. М. Казанцев

{"title":"Пленение излучения и субподзонный пик в спектрах\u0000квантового выхода фотоэмиссии p-GaAs(Cs,O)","authors":"Д.Е. Протопопов, В. С. Хорошилов, Д. М. Казанцев","doi":"10.34077/rcsp2021-130","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-130","url":null,"abstract":"Поверхности р-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода широко используются для\u0000создания фотокатодов с эффективным отрицательным электронным сродством (ОЭС) [1]. Поверхности\u0000полупроводников с относительно небольшим (0.2-0.4 эВ) положительным электронным сродством\u0000(ПЭС) привлекают внимание в связи с возможностью использования фотонно-усиленной\u0000термоэлектронной эмиссии (photon-enhanced thermionic emission, PETE) для повышения\u0000эффективности преобразователей солнечной энергии [2]. В [3,4] методом спектроскопии квантового\u0000выхода фотоэмиссии изучен переход между состояниями с отрицательным и положительным\u0000сродством путем нанесения избыточного цезия или кислорода на оптимально активированную\u0000поверхность p-GaAs(Cs,O). Зависимости вероятностей выхода горячих и термализованных электронов\u0000от величины сродства, полученные сопоставлением измеренных спектров с расчетом, свидетельствуют\u0000о смене механизма эмиссии при переходе от ОЭС к ПЭС [3]. При этом, в области энергий фотонов ħ\u0000ниже ширины запрещенной зоны g, проявились ранее не наблюдавшиеся спектральные особенности\u0000в виде отчетливого \"плеча\", а при некоторых условиях – пика, которые не получили ясного объяснения\u0000[4]. Данная работа посвящена выяснению возможных причин этих особенностей.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130464043","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке дляэлектрооптического модулятора Маха-Цендера 马赫- sender光电调制器磷化/InAlAs异质结构

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-87

Дмитрий Владимирович Гуляев, Д. В. Дмитриев, Е. А. Колосовский

{"title":"Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для\u0000электрооптического модулятора Маха-Цендера","authors":"Дмитрий Владимирович Гуляев, Д. В. Дмитриев, Е. А. Колосовский","doi":"10.34077/rcsp2021-87","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-87","url":null,"abstract":"В данной статье мы приводим результаты работы по получению и изучению свойств\u0000гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) InAlGaAs/InAlAs на подложке InP предназначенных для\u0000создания на их основе электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта\u0000Штарка. Особенностью предлагаемой конструкции модулятора является размещение слоя из\u0000нескольких InAlGaAs квантовых ям над толстым буферным слоем In0.52Al0.48As с показателем\u0000преломления, превышающим показатель преломления подложки InP. В этом случае слой\u0000множественных квантовых ям остается волноводным и в нем формируется основная оптическая мода\u0000с небольшим сечением. Оптическая мода во втором волноводе, сформированном из буферного слоя\u0000In0.52Al0.48As, характеризуется гораздо большим поперечным сечением, что может обеспечить удобное\u0000соединение с оптическим волокном.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"106 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130670050","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Исследование работы диода Ганна в рамках новой многодолинной модели зоныпроводимости 冈纳二极管在新多项式区域传导模型下的研究

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-68

А. М. Можаров, К.Ю. Шугуров, Г.А. Сапунов

引用次数: 0

Фотоэдс на поверхности сильнолегированного p-GaAs с адсорбированными слоямицезия и кислорода 强力p-GaAs表面光电电动势，吸附层和氧

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-133

В. С. Хорошилов, Д.Е. Протопопов, Д. М. Казанцев

{"title":"Фотоэдс на поверхности сильнолегированного p-GaAs с адсорбированными слоями\u0000цезия и кислорода","authors":"В. С. Хорошилов, Д.Е. Протопопов, Д. М. Казанцев","doi":"10.34077/rcsp2021-133","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-133","url":null,"abstract":"Уменьшение изгиба зон из-за поверхностной фотоэдс лежит в основе работы фотоприемников на\u0000барьерах Шоттки и влияет на работу p\u0000+\u0000-GaAs(Cs,О)-фотокатодов с отрицательным электронным\u0000сродством (ОЭС). Ранее фотоэдс на поверхности p-GaAs(Cs,O) изучалась бесконтактным методом\u0000фотоотражения на UP+\u0000-структурах с тонким (≈ 100 нм) нелегированным слоем [1] и на образцах с\u0000умеренным уровнем легирования p  3×1017 см-3\u0000[2]. При больших концентрациях дырок, определение\u0000фотоэдс этим методом затруднено из-за малой величины сигнала фотоотражения.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"86 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133388283","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Полуэмпирическая формула для оценки эффективной длины диффузиифотогенерированных носителей заряда в фотоприемных КРТ-матрицах с квадратнымидиодами в условиях сканирования линейного пятна засветки диодом примаксимальном отборе фототока из абсорбера 半经验公式评估在光电接收矩阵中扩散光电载体的有效长度

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-158

В.А. Стучинский, А. В. Вишняков

{"title":"Полуэмпирическая формула для оценки эффективной длины диффузии\u0000фотогенерированных носителей заряда в фотоприемных КРТ-матрицах с квадратными\u0000диодами в условиях сканирования линейного пятна засветки диодом при\u0000максимальном отборе фототока из абсорбера","authors":"В.А. Стучинский, А. В. Вишняков","doi":"10.34077/rcsp2021-158","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-158","url":null,"abstract":"Знание величин длин диффузии фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в фотоприемных\u0000матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в разных режимах работы таких матриц\u0000важно как для анализа фотоэлектрических процессов в фотоприемных приборных структурах, так и\u0000для понимания того, какие факторы и каким образом определяют значения приборных характеристик\u0000соответствующих фотоприемных устройств.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"22 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114319940","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Измерение оптических свойств металл-диэлектрических поверхностей с помощьютерагерцовой поверхностно-плазмонной интерферометрии 金属-介质表面光学特性测量

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-65

Виталий Владимирович Герасимов, А.К. Никитин, О. В. Хитров

{"title":"Измерение оптических свойств металл-диэлектрических поверхностей с помощью\u0000терагерцовой поверхностно-плазмонной интерферометрии","authors":"Виталий Владимирович Герасимов, А.К. Никитин, О. В. Хитров","doi":"10.34077/rcsp2021-65","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-65","url":null,"abstract":"В данной работе представляются первые экспериментальные результаты по измерению реальной и\u0000мнимой частей показателя преломления ППП с помощью плазмонного интерферометра Майкельсона\u0000с использованием монохроматического перестраиваемого терагерцового Новосибирского лазера на\u0000свободных электронах (ЛСЭ). Это стало возможным благодаря предшествующим\u0000экспериментальным исследованиям по генерации и распространению ППП, их отражению плоскими\u0000зеркалами, делению с помощью тонких диэлектрических пленок. В качестве образцов использовались\u0000полированные стеклянные пластины с непрозрачным золотым напылением, покрытые слоем ZnS\u0000толщиной от 90 до 1000 нм. Точность измерения реальной части показателя преломления ППП\u0000зависела от толщины диэлектрического покрытия и стабильности работы ЛСЭ, достигая 3∙10-4 RIU.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"124 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116517662","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Особенности энергетической структуры и оптических свойств квантовых точексульфида кадмия, синтезированных с помощью технологии Ленгмюра-Блоджетт lengmur - blogett技术合成的量子点数镉的能量结构和光学特性

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI: 10.34077/rcsp2021-125

К.А. Свит, А.А. Зарубанов, К. С. Журавлев

{"title":"Особенности энергетической структуры и оптических свойств квантовых точек\u0000сульфида кадмия, синтезированных с помощью технологии Ленгмюра-Блоджетт","authors":"К.А. Свит, А.А. Зарубанов, К. С. Журавлев","doi":"10.34077/rcsp2021-125","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-125","url":null,"abstract":"Квантовые точки (КТ) из полупроводниковых материалов группы А2В6 в настоящее время уже\u0000нашли практическое применение в дисплеях, где они используются как в качестве активного\u0000светоизлучающего элемента, так и в виде люминофора. Однако, дальнейшее развитие технологии на\u0000основе КТ требует повышения значения квантового выхода приборов на их основе. Для получения\u0000высокого квантового выхода важнейшим элементом является понимание энергетической структуры\u0000КТ, которая определяется материалом и геометрией КТ точки, кристаллической структурой, а также\u0000состоянием ее поверхности.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"19 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133427565","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0