Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для электрооптического модулятора Маха-Цендера

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-87

Дмитрий Владимирович Гуляев, Д. В. Дмитриев, Е. А. Колосовский

{"title":"Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для\nэлектрооптического модулятора Маха-Цендера","authors":"Дмитрий Владимирович Гуляев, Д. В. Дмитриев, Е. А. Колосовский","doi":"10.34077/rcsp2021-87","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В данной статье мы приводим результаты работы по получению и изучению свойств\nгетероэпитаксиальных структур (ГЭС) InAlGaAs/InAlAs на подложке InP предназначенных для\nсоздания на их основе электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта\nШтарка. Особенностью предлагаемой конструкции модулятора является размещение слоя из\nнескольких InAlGaAs квантовых ям над толстым буферным слоем In0.52Al0.48As с показателем\nпреломления, превышающим показатель преломления подложки InP. В этом случае слой\nмножественных квантовых ям остается волноводным и в нем формируется основная оптическая мода\nс небольшим сечением. Оптическая мода во втором волноводе, сформированном из буферного слоя\nIn0.52Al0.48As, характеризуется гораздо большим поперечным сечением, что может обеспечить удобное\nсоединение с оптическим волокном.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"106 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-87","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

В данной статье мы приводим результаты работы по получению и изучению свойств гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) InAlGaAs/InAlAs на подложке InP предназначенных для создания на их основе электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта Штарка. Особенностью предлагаемой конструкции модулятора является размещение слоя из нескольких InAlGaAs квантовых ям над толстым буферным слоем In0.52Al0.48As с показателем преломления, превышающим показатель преломления подложки InP. В этом случае слой множественных квантовых ям остается волноводным и в нем формируется основная оптическая мода с небольшим сечением. Оптическая мода во втором волноводе, сформированном из буферного слоя In0.52Al0.48As, характеризуется гораздо большим поперечным сечением, что может обеспечить удобное соединение с оптическим волокном.

查看原文本刊更多论文

马赫- sender光电调制器磷化/InAlAs异质结构

在本文中，我们介绍了InAlGaAs/InAlAs的异质异质结构(InAlGaAs)的工作成果。拟议中的调制器设计的一个特点是在In0.52Al0.48As厚缓冲层上放置多个InAlGaAs量子坑，其折射率高于InP底座折射率。在这种情况下，多层量子坑仍然是波导的，它形成了一个基本的光学moda，有一个小截面。在第二个波导中，由缓冲层52al0.48as形成的光学时尚具有更大的横截面，可以提供与光纤的方便连接。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量