Пленение излучения и субподзонный пик в спектрах квантового выхода фотоэмиссии p-GaAs(Cs,O)

Abstract

Поверхности р-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода широко используются для создания фотокатодов с эффективным отрицательным электронным сродством (ОЭС) [1]. Поверхности полупроводников с относительно небольшим (0.2-0.4 эВ) положительным электронным сродством (ПЭС) привлекают внимание в связи с возможностью использования фотонно-усиленной термоэлектронной эмиссии (photon-enhanced thermionic emission, PETE) для повышения эффективности преобразователей солнечной энергии [2]. В [3,4] методом спектроскопии квантового выхода фотоэмиссии изучен переход между состояниями с отрицательным и положительным сродством путем нанесения избыточного цезия или кислорода на оптимально активированную поверхность p-GaAs(Cs,O). Зависимости вероятностей выхода горячих и термализованных электронов от величины сродства, полученные сопоставлением измеренных спектров с расчетом, свидетельствуют о смене механизма эмиссии при переходе от ОЭС к ПЭС [3]. При этом, в области энергий фотонов ħ ниже ширины запрещенной зоны g, проявились ранее не наблюдавшиеся спектральные особенности в виде отчетливого "плеча", а при некоторых условиях – пика, которые не получили ясного объяснения [4]. Данная работа посвящена выяснению возможных причин этих особенностей.