{"title":"p-GaAs光电发射(Cs,O)光谱输出中的辐射捕获和次区域峰值","authors":"Д.Е. Протопопов, В. С. Хорошилов, Д. М. Казанцев","doi":"10.34077/rcsp2021-130","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Поверхности р-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода широко используются для\nсоздания фотокатодов с эффективным отрицательным электронным сродством (ОЭС) [1]. Поверхности\nполупроводников с относительно небольшим (0.2-0.4 эВ) положительным электронным сродством\n(ПЭС) привлекают внимание в связи с возможностью использования фотонно-усиленной\nтермоэлектронной эмиссии (photon-enhanced thermionic emission, PETE) для повышения\nэффективности преобразователей солнечной энергии [2]. В [3,4] методом спектроскопии квантового\nвыхода фотоэмиссии изучен переход между состояниями с отрицательным и положительным\nсродством путем нанесения избыточного цезия или кислорода на оптимально активированную\nповерхность p-GaAs(Cs,O). Зависимости вероятностей выхода горячих и термализованных электронов\nот величины сродства, полученные сопоставлением измеренных спектров с расчетом, свидетельствуют\nо смене механизма эмиссии при переходе от ОЭС к ПЭС [3]. При этом, в области энергий фотонов ħ\nниже ширины запрещенной зоны g, проявились ранее не наблюдавшиеся спектральные особенности\nв виде отчетливого \"плеча\", а при некоторых условиях – пика, которые не получили ясного объяснения\n[4]. Данная работа посвящена выяснению возможных причин этих особенностей.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Пленение излучения и субподзонный пик в спектрах\\nквантового выхода фотоэмиссии p-GaAs(Cs,O)\",\"authors\":\"Д.Е. Протопопов, В. С. Хорошилов, Д. М. Казанцев\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2021-130\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Поверхности р-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода широко используются для\\nсоздания фотокатодов с эффективным отрицательным электронным сродством (ОЭС) [1]. Поверхности\\nполупроводников с относительно небольшим (0.2-0.4 эВ) положительным электронным сродством\\n(ПЭС) привлекают внимание в связи с возможностью использования фотонно-усиленной\\nтермоэлектронной эмиссии (photon-enhanced thermionic emission, PETE) для повышения\\nэффективности преобразователей солнечной энергии [2]. В [3,4] методом спектроскопии квантового\\nвыхода фотоэмиссии изучен переход между состояниями с отрицательным и положительным\\nсродством путем нанесения избыточного цезия или кислорода на оптимально активированную\\nповерхность p-GaAs(Cs,O). Зависимости вероятностей выхода горячих и термализованных электронов\\nот величины сродства, полученные сопоставлением измеренных спектров с расчетом, свидетельствуют\\nо смене механизма эмиссии при переходе от ОЭС к ПЭС [3]. При этом, в области энергий фотонов ħ\\nниже ширины запрещенной зоны g, проявились ранее не наблюдавшиеся спектральные особенности\\nв виде отчетливого \\\"плеча\\\", а при некоторых условиях – пика, которые не получили ясного объяснения\\n[4]. Данная работа посвящена выяснению возможных причин этих особенностей.\",\"PeriodicalId\":356596,\"journal\":{\"name\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"volume\":\"1 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2021-09-27\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-130\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-130","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
摘要
r -GaAs表面具有吸附的铯和氧,被广泛用于产生具有有效负电子亲和力的光电阴极。相对较小的半导体(0.2-0.4 eb)正电子亲和力(photon-增强热电发射,皮特)引起了人们的注意,以提高太阳能转换器的效率(2)。在(3.4)光电发射光谱学中,通过将多余的铯或氧气引入最活跃的p-GaAs表面(Cs,O),研究了光发射状态之间的转变。热输出和热化电子的概率与测量光谱与计算的相似性有关,这表明排放机制在从欧共体转移到pass(3)时发生了变化。能源领域中,光子ħ宽度禁区g以下,表现出早期观测光谱尤其是看到清晰的“肩膀”,在某些条件下峰没有得到明确的解释[4]。这项工作旨在查明这些特征的可能原因。
Пленение излучения и субподзонный пик в спектрах
квантового выхода фотоэмиссии p-GaAs(Cs,O)
Поверхности р-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода широко используются для
создания фотокатодов с эффективным отрицательным электронным сродством (ОЭС) [1]. Поверхности
полупроводников с относительно небольшим (0.2-0.4 эВ) положительным электронным сродством
(ПЭС) привлекают внимание в связи с возможностью использования фотонно-усиленной
термоэлектронной эмиссии (photon-enhanced thermionic emission, PETE) для повышения
эффективности преобразователей солнечной энергии [2]. В [3,4] методом спектроскопии квантового
выхода фотоэмиссии изучен переход между состояниями с отрицательным и положительным
сродством путем нанесения избыточного цезия или кислорода на оптимально активированную
поверхность p-GaAs(Cs,O). Зависимости вероятностей выхода горячих и термализованных электронов
от величины сродства, полученные сопоставлением измеренных спектров с расчетом, свидетельствуют
о смене механизма эмиссии при переходе от ОЭС к ПЭС [3]. При этом, в области энергий фотонов ħ
ниже ширины запрещенной зоны g, проявились ранее не наблюдавшиеся спектральные особенности
в виде отчетливого "плеча", а при некоторых условиях – пика, которые не получили ясного объяснения
[4]. Данная работа посвящена выяснению возможных причин этих особенностей.