Полуэмпирическая формула для оценки эффективной длины диффузии
фотогенерированных носителей заряда в фотоприемных КРТ-матрицах с квадратными
диодами в условиях сканирования линейного пятна засветки диодом при
максимальном отборе фототока из абсорбера
{"title":"Полуэмпирическая формула для оценки эффективной длины диффузии\nфотогенерированных носителей заряда в фотоприемных КРТ-матрицах с квадратными\nдиодами в условиях сканирования линейного пятна засветки диодом при\nмаксимальном отборе фототока из абсорбера","authors":"В.А. Стучинский, А. В. Вишняков","doi":"10.34077/rcsp2021-158","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Знание величин длин диффузии фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в фотоприемных\nматрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в разных режимах работы таких матриц\nважно как для анализа фотоэлектрических процессов в фотоприемных приборных структурах, так и\nдля понимания того, какие факторы и каким образом определяют значения приборных характеристик\nсоответствующих фотоприемных устройств.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"22 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-158","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
Знание величин длин диффузии фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в фотоприемных
матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в разных режимах работы таких матриц
важно как для анализа фотоэлектрических процессов в фотоприемных приборных структурах, так и
для понимания того, какие факторы и каким образом определяют значения приборных характеристик
соответствующих фотоприемных устройств.