{"title":"选择光敏混合底座低温器的最佳结构","authors":"П.С. Загубисало, А.Р. Новоселов","doi":"10.34077/rcsp2021-151","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Проведено сравнение известных способов фиксации фоточувствительной гибридной сборки на\nохлаждаемом пьедестале криостата. Оно осуществлялось на модели сборки, состоящей из пластин:\nGaAs / In / Si / GaAs (опциональный компенсационный слой). Способы фиксации: закрепление сборки,\nпозволяющее свободно изгибаться при охлаждении, жесткое крепление сборки на сапфировом растре\nсо стороны кремниевой микросхемы. Варьирование толщин в рамках сравниваемых способов\nфиксации, позволило выбрать оптимальную конструкцию крепления гибридной сборки в охлаждаемом\nкриостате. Исследование проводилось с помощью радиально-симметричной модели, в которой\nнапряжения при охлаждении моделировались методом конечных элементов. Диаметр всех слоёв\nравнялся 10 мм. Толщины слоёв GaAs и кремния варьировались от 50 мкм до 700 мкм,\nкомпенсационного слоя GaAs – от 0 мкм до 700 мкм. Толщина слоя сапфира бралась много больше\nисследованных толщин GaAs и кремния.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Выбор оптимальной структуры фоточувствительной гибридной сборки на\\nохлаждаемом пьедестале криостата\",\"authors\":\"П.С. Загубисало, А.Р. Новоселов\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2021-151\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Проведено сравнение известных способов фиксации фоточувствительной гибридной сборки на\\nохлаждаемом пьедестале криостата. Оно осуществлялось на модели сборки, состоящей из пластин:\\nGaAs / In / Si / GaAs (опциональный компенсационный слой). Способы фиксации: закрепление сборки,\\nпозволяющее свободно изгибаться при охлаждении, жесткое крепление сборки на сапфировом растре\\nсо стороны кремниевой микросхемы. Варьирование толщин в рамках сравниваемых способов\\nфиксации, позволило выбрать оптимальную конструкцию крепления гибридной сборки в охлаждаемом\\nкриостате. Исследование проводилось с помощью радиально-симметричной модели, в которой\\nнапряжения при охлаждении моделировались методом конечных элементов. Диаметр всех слоёв\\nравнялся 10 мм. Толщины слоёв GaAs и кремния варьировались от 50 мкм до 700 мкм,\\nкомпенсационного слоя GaAs – от 0 мкм до 700 мкм. Толщина слоя сапфира бралась много больше\\nисследованных толщин GaAs и кремния.\",\"PeriodicalId\":356596,\"journal\":{\"name\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"volume\":\"1 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2021-09-27\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-151\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-151","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
摘要
通过比较已知的方法来定位光敏混合动力车的低温底座。它是在一个板块模型中完成的:可选补偿层(GaAs / In / Si / GaAs)。固定方法:在冷却时可以自由弯曲的装配，硅电路蓝宝石破碎时的固定装置。在比较固定的方式下，厚度的变化使得在冷却冷却器中选择混合安装的最佳结构。研究是用径向对称模型进行的，在这种模型中，冷却电压是由有限元素模拟的。它的直径是10毫米。GaAs和硅的厚度从50 m到700 m不等，补偿层从0 m到700 m不等。蓝宝石层厚度吸收了许多被探索过的GaAs和硅厚度。
Выбор оптимальной структуры фоточувствительной гибридной сборки на
охлаждаемом пьедестале криостата
Проведено сравнение известных способов фиксации фоточувствительной гибридной сборки на
охлаждаемом пьедестале криостата. Оно осуществлялось на модели сборки, состоящей из пластин:
GaAs / In / Si / GaAs (опциональный компенсационный слой). Способы фиксации: закрепление сборки,
позволяющее свободно изгибаться при охлаждении, жесткое крепление сборки на сапфировом растре
со стороны кремниевой микросхемы. Варьирование толщин в рамках сравниваемых способов
фиксации, позволило выбрать оптимальную конструкцию крепления гибридной сборки в охлаждаемом
криостате. Исследование проводилось с помощью радиально-симметричной модели, в которой
напряжения при охлаждении моделировались методом конечных элементов. Диаметр всех слоёв
равнялся 10 мм. Толщины слоёв GaAs и кремния варьировались от 50 мкм до 700 мкм,
компенсационного слоя GaAs – от 0 мкм до 700 мкм. Толщина слоя сапфира бралась много больше
исследованных толщин GaAs и кремния.
求助内容：
应助结果提醒方式：
京公网安备 11010802042870号
