Физика и техника полупроводников最新文献_第9页

Исследование влияния отжига и состава на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Si с множественными квантовыми ямами 退火和化合物对多量子坑gesn /Si纳米异质结构红外光照发光的影响研究

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.08.53142.28

Д.В. Коляда, Д. Д. Фирсов, В. А. Тимофеев, В И Машанов, А.А. Караборчев, О. С. Комков

{"title":"Исследование влияния отжига и состава на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Si с множественными квантовыми ямами","authors":"Д.В. Коляда, Д. Д. Фирсов, В. А. Тимофеев, В И Машанов, А.А. Караборчев, О. С. Комков","doi":"10.21883/ftp.2022.08.53142.28","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.08.53142.28","url":null,"abstract":"The results of studying the photoluminescence of nanoheterostructures with multiple Ge1-x-ySixSny/Si quantum wells grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates and annealed at different temperatures are presented. As a result of the annealing of the structures, a multifold increase in the intensity of the luminescence peak close in energy to the optical transitions within the multiple quantum wells is observed. The optimal annealing temperature and duration are determined in terms of the intensity of photoluminescence. The luminescent properties of a series of annealed Ge0.93-xSixSn0.07/Si structures with different Ge compositions are investigated. As a result, a shift of the low-temperature photoluminescence peak towards lower energies with an increase in the fraction of germanium in the alloy composition is shown. Thus, the possibility of controlling the luminescence spectrum of Ge0.93-xSixSn0.07/Si nanoheterostructures in the wavelength range of 1.3 −2.0 µm is demonstrated.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"201 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"73265734","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Ток утечки через подзатворный диэлектрик в транзисторах с длиной канала до 100 нм 通道长100纳米晶体管内的封闭介质泄漏电流

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.07.52762.17

Т.А. Шоболова, В.В. Гасенин, Е.Л. Шоболов, С. В. Оболенский

{"title":"Ток утечки через подзатворный диэлектрик в транзисторах с длиной канала до 100 нм","authors":"Т.А. Шоболова, В.В. Гасенин, Е.Л. Шоболов, С. В. Оболенский","doi":"10.21883/ftp.2022.07.52762.17","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.07.52762.17","url":null,"abstract":"Опытным путем получена зависимость тока утечки через подзатворный диэлектрик от температуры в металл-оксид-полупроводник транзисторе с проектной нормой 90 нм, изготовленном на структуре кремний-на-изоляторе. Определены вклады таких механизмов переноса носителей заряда в ток утечки через подзатворный диэлектрик толщиной 18 Angstrem, как термоэлектронная эмиссия, полевое туннелирование и эмиссия Пула--Френкеля. Посредством численного моделирования была разработана модель транзистора, калиброванная по геометрическим, структурным и электрофизическим характеристикам изготовленного образца, определено распределение составляющих плотности тока, дрейфовой скорости и поля, ортогональных границе раздела кремний-подзатворный оксид транзистора. Определена длина волны электрона вблизи подзатворного диэлектрика транзистора при максимальной ортогональной составляющей дрейфовой скорости. Показано, что в исследуемых транзисторах основным механизмом переноса носителей заряда через подзатворный диэлектрик является полевое туннелирование. Также для определения вклада эмиссии Пула--Френкеля в ток утечки через подзатворный диэлектрик было исследовано влияние дозы γ-облучения на величину туннельного тока утечки через подзатворный диэлектрик. Показано, что данный вклад является незначительным, так как изменение дозы облучения слабо влияет на туннельный ток утечки. Это характерно для подзатворных диэлектриков высокого качества. Ключевые слова: МОП-транзистор, кремний-на-изоляторе, высокая степень интеграции, субмикронные нормы, короткоканальный эффект, температурное воздействие, туннельный ток, γ-воздействие.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"74 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"73592297","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Связь длины волны и усиления в лазерах на квантовых ямах, точках и яма-точках 量子坑、点和点激光器波长和放大耦合

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.12.54514.4408

Г.О. Корнышов, Н.Ю. Гордеев, Ю.М. Шерняков, А.А. Бекман, А.С. Паюсов, С.А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Максим Владимирович Максимов

引用次数: 0

Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии 测定在Al- 2-= -2-= -O- 3-= - 0001上形成的胚胎层厚度

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.08.53137.23

Д.С. Милахин, Т. В. Малин, В.Г. Мансуров, А. С. Кожухов, Надежда Николаевна Новикова, Владимир Александрович Яковлев, К. С. Журавлев

{"title":"Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии","authors":"Д.С. Милахин, Т. В. Малин, В.Г. Мансуров, А. С. Кожухов, Надежда Николаевна Новикова, Владимир Александрович Яковлев, К. С. Журавлев","doi":"10.21883/ftp.2022.08.53137.23","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.08.53137.23","url":null,"abstract":"The effect of different degrees of the sapphire surface nitridation process completion on the AlN buffer layer morphology has been studied. It was found that ~85% completion of the AlN crystalline phase formation promotes the growth of a two dimensional AlN buffer layer with a smooth surface morphology, regardless of the substrate temperature and ammonia flux. In contrast, during the AlN nucleation layer formation as a result of weak or excessive sapphire nitridation, a polycrystalline or three-dimensional AlN structures with a high density of inversion domains, respectively, were formed. Using independent methods of X-ray photoelectron spectroscopy and infrared spectroscopy of surface polaritons, the thickness of the AlN nucleation layer was determined at ~85% degree of the nitridation process completion, which amounted to ~1 monolayer.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"44 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"84489144","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединния GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием 非线性DpHEMT结构分析基于GaAs/InGaAs连接与双向德尔塔合金

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.09.53402.37

Е. А. Тарасова, C.В. Хазанова, О.Л. Голиков, Александр Сергеевич Пузанов, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков

{"title":"Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединния GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием","authors":"Е. А. Тарасова, C.В. Хазанова, О.Л. Голиков, Александр Сергеевич Пузанов, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков","doi":"10.21883/ftp.2022.09.53402.37","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.09.53402.37","url":null,"abstract":"Проведены расчетно-экспериментальные исследования характеристик мощного AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT. При помощи самосогласованного численного решения уравнений Шредингера и Пуассона рассчитана зонная диаграмма исследуемого транзистора, получена концентрация электронов в канале. Экспериментально оценена подвижность электронов в канале транзистора, которая составила 9300 см2/В·с. На основе полученной проходной вольт-амперной характеристики транзистора рассчитаны параметры модельного дифференциального усилителя: малосигнальный коэффициент усиления и коэффициент нелинейных искажений 3-го порядка. Ключевые слова: AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT, нелинейные искажения, спейсерные слои.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"16 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"81972576","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN 热退火对mott /AlGaN/GaN低壁垒二极管运输性能的影响

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.07.52749.04

Н.В. Востоков, М. Н. Дроздов, С.А. Краев, О И Хрыкин, П.А. Юнин

引用次数: 0

Эффективность возбуждения центров дислокационной люминесценции в кремнии с кислородными преципитатами 硅中氧精华发光中心激励效率

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.06.52585.9832

Н. А. Соболев, А. Калядин, К.Ф. Штельмах, Е.И. Шек, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков

引用次数: 0

Формирование слоев InGaN средних составов методом МПЭ ПА для лазерных источников красного и ИК диапазона

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.07.52763.18

Б.А. Андреев, Д.Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, К.Е. Кудрявцев, Андрей Викторович Новиков, П.А. Юнин, М.А. Калинников, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник

{"title":"Формирование слоев InGaN средних составов методом МПЭ ПА для лазерных источников красного и ИК диапазона","authors":"Б.А. Андреев, Д.Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, К.Е. Кудрявцев, Андрей Викторович Новиков, П.А. Юнин, М.А. Калинников, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник","doi":"10.21883/ftp.2022.07.52763.18","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.07.52763.18","url":null,"abstract":"This paper presents the results of studying the growth of InGaN layers with a high (50-80%) indium content by molecular beam epitaxy with nitrogen plasma activation on sapphire substrates with GaN/AlN buffer layers. It is shown that the processes of dissociation and phase separation of the growing InGaN layer, which occur in structures with an indium fraction of about 50%, cannot be suppressed due to the transition to a lower temperature growth (470°C - 390°C) without significant degradation of the crystalline quality of the formed structures and a sharp decrease in their emissivity. As an alternative approach to suppressing diffusion processes on the growth surface and, as a result, obtaining homogeneous InGaN layers with an [In] content of ~ 50%, high-temperature (470°C) growth under highly nitrogen-enriched conditions (flux ratio III/V ~ 0.6) was tested. The InGaN layers grown in this way show intense photoluminescence, while at the same time showing no signs of phase separation according to X-ray diffraction data. This is critically important for the possibility of implementing optical amplification and laser generation in such structures in the red region of the spectrum and in the immediately adjacent part of the near infrared region.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"1 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"89340252","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации 六角质氮化硼(hBN)生长在碳化硅底座上

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.10.53964.9961

Евгений Николаевич Мохов, В Ю Давыдов, Андрей Николаевич Смирнов, С. С. Нагалюк

{"title":"Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации","authors":"Евгений Николаевич Мохов, В Ю Давыдов, Андрей Николаевич Смирнов, С. С. Нагалюк","doi":"10.21883/ftp.2022.10.53964.9961","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.10.53964.9961","url":null,"abstract":"Продемонстрирована возможность роста с использованием метода высокотемпературной сублимации из газовой фазы гексагонального нитрида бора (hBN) высокого структурного совершенства на подложках гексагонального карбида кремния (SiC). Полученные результаты указывают на перспективность использования данного метода для формирования в ходе одного технологического процесса высококачественных гетероструктур hBN/SiC большой площади, которые имеют высокий потенциал для приборных применений. Ключевые слова: гексагональный нитрид бора, высокотемпературная сублимация из газовой фазы, рамановская спектроскопия, фотолюминесценция.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"11 7 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"86440184","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Irradiation of Cu(In, Ga)Se-=SUB=-2-=/SUB=- Thin Films by 10 MeV Electrons at 77 K: Effect on Photoluminescence Spectra 77 K下10 MeV电子辐照Cu(In, Ga)Se-=SUB=-2-=/SUB=-薄膜:对光致发光光谱的影响

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.06.52617.9841a

M. A. Sulimov, M. Sarychev, I. A. Mogilnikov, V. Ivanov, V.A. Volkov, V. Zhivulko, A. Mudryi, M. Yakushev

引用次数: 0