Физика и техника полупроводников最新文献_第10页

Фотопроводимость монокристаллов слоистого полупроводника p-GaSe, легированного редкоземельными элементами, и многодиапазонный фотоприемник света на их основе p-GaSe分层半导体光电导，由稀土合金和多波段光接收器基于

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.05.52346.8902

А. Ш. Абдинов, Р. Ф. Бабаева

{"title":"Фотопроводимость монокристаллов слоистого полупроводника p-GaSe, легированного редкоземельными элементами, и многодиапазонный фотоприемник света на их основе","authors":"А. Ш. Абдинов, Р. Ф. Бабаева","doi":"10.21883/ftp.2022.05.52346.8902","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.05.52346.8902","url":null,"abstract":"The main characteristics of intrinsic photoconductivity and the spectra of negative photoconductivity induced by impurity photoconductivity, infrared quenching of intrinsic photoconductivity in doped REE (gadolinium and dysprosium) at N = 0−10−1 at%, p-GaSe single crystals are experimentally investigated. It is shown that the instability and irreproducibility of the photoelectric characteristics of this semiconductor are due to fluctuations in the electronic potential associated with the presence of random macroscopic defects. The dependence of photoelectric parameters and characteristics on N, as well as ensuring a high degree of their stability and reproducibility at N ≈ 10−1 at%, are associated with the corresponding changes in the fluctuations of the electronic potential and the fraction of covalent bonds between the layers, depending on N. Shown is the possibility of creating a multi-range photodetector of light with stable, reproducible parameters and characteristics based on p-GaSe at N = 10−2−10−1 at%.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"1999 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"88258939","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха--Цендера 设计一个隧道连接量子坑设计一个调制器在maha - cender电路。

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.09.53400.35

А. И. Бобров, Н.В. Байдусь, С.В. Хазанова, А. П. Горшков, К. В. Сидоренко, А. Н. Шушунов, Н. В. Малехонова, А. В. Нежданов, А. В. Здоровейщев, В. Н. Трушин, Е.В. Убыйвовк, А. И. Охапкин, Д.С. Клементьев, З.Ш. Гасайниев, А. В. Харламов

引用次数: 0

Термоэлектрические свойства твердых растворов Ag-=SUB=-8-=/SUB=-Ge-=SUB=-1-x-=/SUB=-Mn-=SUB=-x-=/SUB=-Te-=SUB=-6-=/SUB=- ТермоэлектрическиесвойстватвердыхрастворовAg - =子= 8 - = / SUB = ge - =子= 1 - x = / SUB = mn - =子= - x = / SUB = te - =子= 6 - = / SUB =

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.09.53406.9760

Р. Н. Рагимов, А.С. Кахраманова, Д. Г. Араслы, А. А. Халилова, И. Х. Мамедов, А.Р. Халилзаде

引用次数: 0

Изучение многополосного экситонного спектра ZnSe в области 477-490 нм 研究477-490纳米多频谱的ZnSe

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.01.51816.9741

Н.К. Морозова, И.И. Аббасов, Е. М. Гаврищук, М. А. Мусаев, Дж. И. Гусейнов, А.Дж. Маммадова

{"title":"Изучение многополосного экситонного спектра ZnSe в области 477-490 нм","authors":"Н.К. Морозова, И.И. Аббасов, Е. М. Гаврищук, М. А. Мусаев, Дж. И. Гусейнов, А.Дж. Маммадова","doi":"10.21883/ftp.2022.01.51816.9741","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.01.51816.9741","url":null,"abstract":"Изучены спектры фотолюминесценции поликристаллического CVD (chemical vapour deposition) ZnSe, выращенного с большим избытком селена и содержащего комплексы O*Se-Cu+i на дефектах упаковки. Измерено поглощение, дополняющее эти данные. Рассмотрены особенности спектров фотолюминесценции по сравнению с катодолюминесценцией. Показано, что идентичные полосы фотолюминесценции наблюдаются как несколько более коротковолновые, чем полосы катодолюминесценции. Для исследованных кристаллов представлена зонная модель согласно результатам, полученным в данной работе. Длинноволновое смещение спектров фотолюминесценции при уменьшении энергии возбуждения соответствует сдвигу по энергетической шкале зонной модели с соответствующим изменением типа излучательных переходов. Внесены изменения, определяющие природу группы эквидистантных полос 477-490 нм, характерных для образцов ZnSe с избытком кислорода и Se. Результаты могут быть полезны для более полного изучения структуры многофононных экситонных спектров фото- и катодолюминесценции кристаллов АIIВVI. Ключевые слова: зонная модель, узколинейчатые многофононные спектры, экситонное излучение, дефекты упаковки, изоэлектронная примесь кислорода, несущая эффективный отрицательный заряд.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"1 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"90287582","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs 在InGaAs量子点的辐射时间和非辐射时间的温度关系

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.10.53961.9963

А.М. Надточий, И.А. Мельниченко, К. А. Иванов, С.А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Максим Владимирович Максимов, Н.В. Крыжановская, А. Е. Жуков

引用次数: 0

Особенности люминесценции объемных кристаллов β-(Ga-=SUB=-x-=/SUB=-Al-=SUB=-1-x-=/SUB=-)-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=- Особенностилюминесценцииобъемныхкристалловβ- (Ga - =子= - x = / SUB =过程- =子= 1 - x = / SUB = -) - =子= 2 = / SUB = - o - =子= 3 = /子= -

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.04.52193.9776

Е. В. Дементьева, П.А. Дементьев, Н.П. Коренко, И.И. Шкарупа, А.В. Кремлева, Д.И. Панов, В. А. Спиридонов, М. В. Заморянская, Д.А. Бауман, М.А. Одноблюдов, А. Е. Романов, В Е Бугров

{"title":"Особенности люминесценции объемных кристаллов β-(Ga-=SUB=-x-=/SUB=-Al-=SUB=-1-x-=/SUB=-)-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-","authors":"Е. В. Дементьева, П.А. Дементьев, Н.П. Коренко, И.И. Шкарупа, А.В. Кремлева, Д.И. Панов, В. А. Спиридонов, М. В. Заморянская, Д.А. Бауман, М.А. Одноблюдов, А. Е. Романов, В Е Бугров","doi":"10.21883/ftp.2022.04.52193.9776","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.04.52193.9776","url":null,"abstract":"Работа посвящена исследованиям природы неоднородности люминесценции объемных образцов (GaxAl1-x)2O3, выращенных методом Чохральского. При исследовании сколов образцов методом локальной катодолюминесценции наблюдались области с различной люминесценцией. Для определения природы катодолюминесцентного контраста были проведены исследования однородности распределения алюминия, топографии поверхности, сравнение спектров люминесценции и кинетики полос излучения для различных областей образца. Также для определения природы полос люминесценции был проведен отжиг кристалла на воздухе при 1000oC. Это позволило наблюдать изменение люминесценции для того же участка образца. На основании проведенных исследований был сделан вывод о том, что неоднородная люминесценция связана с распределением точечных дефектов. При отжиге на воздухе наблюдалась трансформация центров безызлучательной рекомбинации в люминесцентные центры. Ключевые слова: оксид галлия, люминесценция, точечные дефекты.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"1076 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"76692296","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Структурные изменения в пленках кремний-на-изоляторе нанометровой толщины при высокотемпературном отжиге 热退火时纳米绝缘体上硅薄膜的结构变化

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.03.52118.9766

И.Е. Тысченко, Е. В. Спесивцев, А. А. Шкляев, В.П. Попов

{"title":"Структурные изменения в пленках кремний-на-изоляторе нанометровой толщины при высокотемпературном отжиге","authors":"И.Е. Тысченко, Е. В. Спесивцев, А. А. Шкляев, В.П. Попов","doi":"10.21883/ftp.2022.03.52118.9766","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.03.52118.9766","url":null,"abstract":"Термическая стабильность пленок кремний-на-изоляторе толщиной 4.7 и 2.2 нм исследовалась в зависимости от температуры отжига в интервале T=800-1200oС методами сканирующей электронной микроскопии и спектральной эллипсометрии. Никаких признаков плавления пленок не наблюдалось, пленки оставались протяженными в указанном интервале температур. Обнаружено уменьшение толщины пленок и изменение их фазового состава с ростом температуры. По данным спектральной эллипсометрии, с увеличением температуры отжига доля кристаллической фазы в пленках уменьшается, а доля аморфной растет. Определена энергия активации процесса аморфизации пленок. Обнаруженный эффект обсуждается с точки зрения диффузии атомов кислорода в пленку кремния и перестройки Si-Si-связей. Ключевые слова: кремний-на-изоляторе, термическая стабильность, наноструктуры, аморфизация.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"11 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"82793239","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Локализованные состояния π-электронов в спектре оптического поглощения высокотетраэдрического аморфного углерода 高四面体无定形碳光吸收光谱中b -电子的局部状态

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.04.52199.9757

М.С. Чекулаев, С.Г. Ястребов

{"title":"Локализованные состояния π-электронов в спектре оптического поглощения высокотетраэдрического аморфного углерода","authors":"М.С. Чекулаев, С.Г. Ястребов","doi":"10.21883/ftp.2022.04.52199.9757","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.04.52199.9757","url":null,"abstract":"The paper presents result of ab initio methods exploiting to calculate the molar extinction spectrum of some model clusters, the molecular hybrid C24H30 included. Based on the comparison of the calculation with the experimental spectra of the main allotropic modifications of carbon, the absorption maximum with an energy of ~ 6 eV in the absorption spectrum of highly tetrahedral amorphous carbon (tа-C) attributed to the π → π * optical transitions of electrons in a single aromatic ring. The edge sites of the ring covalently bonded with the sp3 hybridised carbon atoms of the amorphous matrix. The manifestation of a shoulder in the spectrum of the imaginary part of the refractive index of a film of highly tetrahedral amorphous carbon (tа-C), 4.6 eV, is assigned to π → π * optical transitions of clusters distorted with hybrid Stone-Wallace-like defect, also covalently bonded with the amorphous matrix. Key words: interaction of light with matter, new forms of carbon, tetrahedrally coordinated amorphous carbon, Stone–Wales defect","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"1 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"88849289","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

The Analytical Effects of a Hydrostatic Pressure on the Ground State Energy of GaAs Quantum Dot at Low-Temperature: Algebraic Method 静水压力对低温下GaAs量子点基态能的解析影响:代数方法

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.10.53959.9847

F. S. Nammas, E. H. Hasan

{"title":"The Analytical Effects of a Hydrostatic Pressure on the Ground State Energy of GaAs Quantum Dot at Low-Temperature: Algebraic Method","authors":"F. S. Nammas, E. H. Hasan","doi":"10.21883/ftp.2022.10.53959.9847","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.10.53959.9847","url":null,"abstract":"This analytical study focused on discussing the collective effects of hydrostatic pressure and temperature on the ground state energy for two electrons trapped in GaAs parabolic quantum dot in the presence of a magnetic field using the effective mass approximation. The electronic interaction was approximated by the Johnson-Payne potential model, where its parameters were carefully chosen to match the Coulomb interaction. It is noted that the ground state energy decreases with an increment in pressure while it increases linearly slightly with increasing temperature. As is customary, it was found that ground state energy decreases with increasing dot size and reach its bulk value as the dot becomes wider. Among the most prominent notes related to this study were as follows: (i) The largest contribution to the total ground state energy is caused by the relative motion since the effect of pressure on this part is more pronounced than the part of the center of mass that often does not feel the presence of pressure. (ii) Ground state energy shows temperature insensitivity while pressure exerts a tangible effect on the ground state energy in the strong magnetic field confinement. (iii) The effect of temperature on the ground state energy is always the opposite of the pressure effect. (iv) With regard to the increase in pressure, it was found that it reduces the electron separation (r), therefore the ground state energy decreases in the presence of the harmonic interaction that is directly proportional to the square of r, but compared to previous works mentioned in the literature, energy showed increased behavior because Coulomb's interaction is inversely proportional to the electron separation. (v) In the region of weak confinement (R>aB*), the effect of pressure on ground state energy becomes neglected, while this effect becomes noticeable in the region of ??strong confinement (R<aB*). Keywords: Quantum Dots, Hydrostatic Pressure, Harmonic e-e Interaction.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"21 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"88807371","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=--=SUP=-*-=/SUP=-

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.02.51969.30

Алексей Евгеньевич Климов, В. А. Голяшов, Д В Горшков, Е.В. Матюшенко, Игорь Георгиевич Неизвестный, Г. И. Сидоров, Н. С. Пащин, С.П. Супрун, О. Е. Терещенко

引用次数: 0