Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха--Цендера

А. И. Бобров, Н.В. Байдусь, С.В. Хазанова, А. П. Горшков, К. В. Сидоренко, А. Н. Шушунов, Н. В. Малехонова, А. В. Нежданов, А. В. Здоровейщев, В. Н. Трушин, Е.В. Убыйвовк, А. И. Охапкин, Д.С. Клементьев, З.Ш. Гасайниев, А. В. Харламов
{"title":"Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха--Цендера","authors":"А. И. Бобров, Н.В. Байдусь, С.В. Хазанова, А. П. Горшков, К. В. Сидоренко, А. Н. Шушунов, Н. В. Малехонова, А. В. Нежданов, А. В. Здоровейщев, В. Н. Трушин, Е.В. Убыйвовк, А. И. Охапкин, Д.С. Клементьев, З.Ш. Гасайниев, А. В. Харламов","doi":"10.21883/ftp.2022.09.53400.35","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"In this paper, we propose a method for predicting the refractive index variation in InGaAlAs tunnel-coupled quantum wells under the action of an electric field. Complex of mathematical and experimental studies to optimize the heterosystems design forthe semiconductor modulator construction according to a planar Mach-Zehnder interferometer scheme is demonstrated.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"6 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Физика и техника полупроводников","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.09.53400.35","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

In this paper, we propose a method for predicting the refractive index variation in InGaAlAs tunnel-coupled quantum wells under the action of an electric field. Complex of mathematical and experimental studies to optimize the heterosystems design forthe semiconductor modulator construction according to a planar Mach-Zehnder interferometer scheme is demonstrated.
设计一个隧道连接量子坑设计一个调制器在maha - cender电路。
本文提出了一种预测InGaAlAs隧道耦合量子阱在电场作用下折射率变化的方法。根据平面马赫-曾德尔干涉仪方案,对半导体调制器结构的异质系统优化设计进行了复杂的数学和实验研究。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 求助全文
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术官方微信