Физика и техника полупроводников最新文献_第8页

Функциональные зависимости максимальной плотности энергии спектральной компоненты стимулированного пикосекундного излучения GaAs при насыщении усиления. Остаточное характерное время релаксации излучения 当加速度饱和时，GaAs刺激pick秒辐射的最大能量密度的函数关系。剩余特征辐射放松时间

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.03.52116.9742

Н.Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов

{"title":"Функциональные зависимости максимальной плотности энергии спектральной компоненты стимулированного пикосекундного излучения GaAs при насыщении усиления. Остаточное характерное время релаксации излучения","authors":"Н.Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов","doi":"10.21883/ftp.2022.03.52116.9742","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.03.52116.9742","url":null,"abstract":"Во время мощной оптической пикосекундной накачки слоя GaAs гетероструктуры AlxGa1-xAs-GaAs- AlxGa1-xAs в нем возникает стимулированное пикосекундное излучение. Экспериментально выявлено, как при насыщении усиления излучения максимальная плотность энергии его спектральной компоненты и время достижения этого максимума зависят от энергии фотона, параметров усиления и релаксации компоненты. Из этих зависимостей следует, что на указанные плотность и время влияет замедление транспорта неравновесных носителей в энергетическом пространстве. Замедление вызвано взаимодействием носителей с излучением. Установлено, что при приближении к нулю диаметра активной области измеренное характерное время релаксации компоненты стремится к теоретическому универсальному остаточному времени релаксации, затянутому из-за указанного замедления транспорта. Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, арсенид галлия, спектральные компоненты излучения, коэффициент усиления, характерное время релаксации излучения, насыщение усиления, энергетический транспорт носителей заряда.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"59 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"83391075","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Применение методов радиоспектроскопии для исследования термоэлектриков со структурой халькопирита

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.01.51807.23

В.Л. Матухин, А. Н. Гавриленко, Е. В. Шмидт, С. Б. Орлинский, И. Г. Севастьянов, С.О. Гарькавый, J. Navratil, P. Novak

{"title":"Применение методов радиоспектроскопии для исследования термоэлектриков со структурой халькопирита","authors":"В.Л. Матухин, А. Н. Гавриленко, Е. В. Шмидт, С. Б. Орлинский, И. Г. Севастьянов, С.О. Гарькавый, J. Navratil, P. Novak","doi":"10.21883/ftp.2022.01.51807.23","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.01.51807.23","url":null,"abstract":"Рассмотрены легированные соединения халькопирита. Приведены результаты изучения спектральных параметров методом ядерного магнитного резонанса 63,65Cu в локальном поле, а также методом электронного парамагнитного резонанса в интервале температур 15-300 K. Наблюдаемое уширение резонансных линий спектров ядерного магнитного резонанса и обнаружение парамагнитного сигнала в образце при температуре 15 K свидетельствуют о появлении антиструктурных дефектов. Быстрое изменение формы линии спектра электронного парамагнитного резонанса в интервале температур 100-130 K связывается со структурно-фазовым переходом. Ключевые слова: термоэлектрики, соединения халькопирита, антиструктурные дефекты.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"43 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"89390883","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Формирование методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN на сапфире 蓝宝石上多量子坑的等离子体异质结构的分子束外延形成

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.09.53403.38

М.А. Калинников, Д.Н. Лобанов, К.Е. Кудрявцев, Б.А. Андреев, П.А. Юнин, Л. В. Красильникова, Андрей Викторович Новиков, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник

{"title":"Формирование методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN на сапфире","authors":"М.А. Калинников, Д.Н. Лобанов, К.Е. Кудрявцев, Б.А. Андреев, П.А. Юнин, Л. В. Красильникова, Андрей Викторович Новиков, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник","doi":"10.21883/ftp.2022.09.53403.38","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.09.53403.38","url":null,"abstract":"The features of the process of growth of multilayer heterostructures with InN/InGaN quantum wells (QWs) by the method of molecular-beam epitaxy with nitrogen plasma activation in the mode of modulated metal fluxes are studied. To compensate for elastic stresses in the structure, the active region was formed in the form of an InN/InGaN superlattice matched over the average lattice parameter with the underlying InGaN buffer layer. It has been shown that during the growth of relatively narrow InN QWs up to 3 nm wide, there is no relaxation of elastic stresses in the active region of the structure, and the dislocation density remains at the level ND ∼ (3−4) · 10^10 cm−2, which corresponds to the dislocation density in InGaN buffer. Such structures demonstrate the most intense PL in the wavelength range of 1.3−1.5 µm. With the growth of wider QWs, the imperfection of the structures sharply increases (ND > 10^11 cm−2), which is accompanied by a decrease in the emission intensity. The structures grown with InN/InGaN QWs demonstrated an order of magnitude better temperature stability of PL compared to bulk InN layers (PL quenching by ∼ 3 and ∼ 25 times, respectively, in the temperature range of 77−300 K). Nevertheless, at a low temperature (T = 77 K), the PL intensity of the studied structures with InN/InGaN QWs is noticeably inferior to that for the bulk InN layer, which apparently indicates a significant role of nonradiative recombination by the Shockley−Reed−Hall mechanism in structures with QWs (as opposed to Auger recombination in bulk InN).","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"39 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"88199197","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Рост концентрации носителей заряда в тонких пленках висмута 薄膜电荷载流子浓度上升

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.02.51952.19

Е. В. Демидов, В. М. Грабов, В.А. Комаров, А. В. Суслов, В. А. Герега, А.Н. Крушельницкий

引用次数: 0

Стимулированная эмиссия в сильно легированных Al-=SUB=-0.68-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.32-=/SUB=-N : Si-структурах с поперечной оптической накачкой при комнатной температуре 高合金Al-= - 68-= -Ga-= - SUB - 32-= - SUB -N:在室温下横向光学泵出的Si结构

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.12.54511.4349

П.А. Бохан, К. С. Журавлев, Дм.Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н.В. Фатеев

引用次数: 0

Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN N-极地逆变域从AlGaN层的缓冲层转变

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.07.52759.14

И. В. Осинных, Т. В. Малин, А. С. Кожухов, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, К. С. Журавлев

{"title":"Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN","authors":"И. В. Осинных, Т. В. Малин, А. С. Кожухов, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, К. С. Журавлев","doi":"10.21883/ftp.2022.07.52759.14","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.07.52759.14","url":null,"abstract":"Методами атомно-силовой микроскопии и динамической вторично-ионной масс-спектрометрии были исследованы структурные свойства и структурное совершенство выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака AlxGa1-xN/AlN/Al2O3 гетероструктур с высокой концентрацией кремния в слоях AlxGa1-xN : Si. Показано, что в случае, если буферные слои AlN металлической полярности содержат инверсионные домены азотной полярности, при последующем росте слоев AlxGa1-xN : Si инверсионные домены не прорастают до поверхности, а меняют азотную полярность на металлическую. На месте инверсионных доменов AlN растут уширяющиеся колонны AlxGa1-xN металлической полярности, которые срастаются с окружающей их матрицей металической полярности в однородную пленку. Толщина, на которой происходит полное срастание, увеличивается с увеличением содержания Al в слоях. Ключевые слова: A3-нитриды, инверсионные домены, структурные дефекты, аммиачная-МЛЭ.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"21 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"75157597","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Фазовые переходы в эпитаксиальных слоях карбида кремния, выращенных на кремниевой подложке методом согласованного замещения атомов 碳化硅外层间的相跃迁，在硅基质上生长，通过协调原子位移法

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.07.52766.24

Н. Т. Баграев, Сергей Арсеньевич Кукушкин, Андрей Викторович Осипов, В. Л. Уголков

引用次数: 0

Электрохимическое осаждение контактных материалов в постростовой технологии фотоэлектрических преобразователей 光电变换器制造工艺接触材料的电化学沉积

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.03.52127.9774

А.В. Малевская, Н.Д. Ильинская, Д.А. Малевский, П.В. Покровский

引用次数: 0

Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния 薄膜AlGaN/GaN在含有碳化硅和多孔硅层的混合基质上的异位异质结构的增长

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.06.52587.9816

Павел Владимирович Середин, Али Обаид Радам, Д. Л. Голощапов, Александр Сергеевич Леньшин, Н.С. Буйлов, К.А. Барков, Д.Н. Нестеров, А. М. Мизеров, С.Н. Тимошнев, Елена Викторовна Никитина, И.Н. Арсентьев, Ш. Ш. Шарофидинов, Л.С. Вавилова, Сергей Арсеньевич Кукушкин, И. А. Касаткин

引用次数: 0

Структурные и оптические свойства двумерных слоев Si и Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CаF-=SUB=-2-=/SUB=-/Si(111) 二维Si和Ge的结构和光学特性，由cf -2- 2-= -2-= - SUB - Si(111)底座上的分子射线折射法产生

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.08.53139.25

Виктор Александрович Зиновьев, А.С. Дерябин, А. В. Кацюба, В. А. Володин, А. Ф. Зиновьева, С.Г. Черкова, Ж. В. Смагина, Анатолий Васильевич Двуреченский, А. Ю. Крупин, О. М. Бородавченко, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый

引用次数: 0