Павел Владимирович Середин, Али Обаид Радам, Д. Л. Голощапов, Александр Сергеевич Леньшин, Н.С. Буйлов, К.А. Барков, Д.Н. Нестеров, А. М. Мизеров, С.Н. Тимошнев, Елена Викторовна Никитина, И.Н. Арсентьев, Ш. Ш. Шарофидинов, Л.С. Вавилова, Сергей Арсеньевич Кукушкин, И. А. Касаткин
{"title":"薄膜AlGaN/GaN在含有碳化硅和多孔硅层的混合基质上的异位异质结构的增长","authors":"Павел Владимирович Середин, Али Обаид Радам, Д. Л. Голощапов, Александр Сергеевич Леньшин, Н.С. Буйлов, К.А. Барков, Д.Н. Нестеров, А. М. Мизеров, С.Н. Тимошнев, Елена Викторовна Никитина, И.Н. Арсентьев, Ш. Ш. Шарофидинов, Л.С. Вавилова, Сергей Арсеньевич Кукушкин, И. А. Касаткин","doi":"10.21883/ftp.2022.06.52587.9816","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"We carried out a structural-spectroscopic study of AlGaN/GaN epitaxial layers grown by molecular-beam epitaxy with nitrogen plasma activation on a hybrid substrate containing layers of silicon carbide and porous silicon. Using X-ray diffractometry, Raman and photoluminescence spectroscopy, it is shown that thin films formed on a hybrid substrate have minimal residual stresses and intense photoluminescence.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"29 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния\",\"authors\":\"Павел Владимирович Середин, Али Обаид Радам, Д. Л. Голощапов, Александр Сергеевич Леньшин, Н.С. Буйлов, К.А. Барков, Д.Н. Нестеров, А. М. Мизеров, С.Н. Тимошнев, Елена Викторовна Никитина, И.Н. Арсентьев, Ш. Ш. Шарофидинов, Л.С. Вавилова, Сергей Арсеньевич Кукушкин, И. А. Касаткин\",\"doi\":\"10.21883/ftp.2022.06.52587.9816\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"We carried out a structural-spectroscopic study of AlGaN/GaN epitaxial layers grown by molecular-beam epitaxy with nitrogen plasma activation on a hybrid substrate containing layers of silicon carbide and porous silicon. Using X-ray diffractometry, Raman and photoluminescence spectroscopy, it is shown that thin films formed on a hybrid substrate have minimal residual stresses and intense photoluminescence.\",\"PeriodicalId\":24054,\"journal\":{\"name\":\"Физика и техника полупроводников\",\"volume\":\"29 1\",\"pages\":\"\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2022-01-01\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Физика и техника полупроводников\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.06.52587.9816\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Физика и техника полупроводников","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.06.52587.9816","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния
We carried out a structural-spectroscopic study of AlGaN/GaN epitaxial layers grown by molecular-beam epitaxy with nitrogen plasma activation on a hybrid substrate containing layers of silicon carbide and porous silicon. Using X-ray diffractometry, Raman and photoluminescence spectroscopy, it is shown that thin films formed on a hybrid substrate have minimal residual stresses and intense photoluminescence.
求助内容：
应助结果提醒方式：
京公网安备 11010802042870号
