Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI:10.21883/ftp.2022.10.53964.9961

Евгений Николаевич Мохов, В Ю Давыдов, Андрей Николаевич Смирнов, С. С. Нагалюк

{"title":"Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации","authors":"Евгений Николаевич Мохов, В Ю Давыдов, Андрей Николаевич Смирнов, С. С. Нагалюк","doi":"10.21883/ftp.2022.10.53964.9961","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Продемонстрирована возможность роста с использованием метода высокотемпературной сублимации из газовой фазы гексагонального нитрида бора (hBN) высокого структурного совершенства на подложках гексагонального карбида кремния (SiC). Полученные результаты указывают на перспективность использования данного метода для формирования в ходе одного технологического процесса высококачественных гетероструктур hBN/SiC большой площади, которые имеют высокий потенциал для приборных применений. Ключевые слова: гексагональный нитрид бора, высокотемпературная сублимация из газовой фазы, рамановская спектроскопия, фотолюминесценция.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"11 7 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Физика и техника полупроводников","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.10.53964.9961","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Продемонстрирована возможность роста с использованием метода высокотемпературной сублимации из газовой фазы гексагонального нитрида бора (hBN) высокого структурного совершенства на подложках гексагонального карбида кремния (SiC). Полученные результаты указывают на перспективность использования данного метода для формирования в ходе одного технологического процесса высококачественных гетероструктур hBN/SiC большой площади, которые имеют высокий потенциал для приборных применений. Ключевые слова: гексагональный нитрид бора, высокотемпературная сублимация из газовой фазы, рамановская спектроскопия, фотолюминесценция.

查看原文本刊更多论文

六角质氮化硼(hBN)生长在碳化硅底座上

在六角形碳化硅基质(SiC)底座上的高结构完善阶段(hBN)显示了通过高温升华的可能性。结果表明，在一个高质量的hBN/SiC技术流程中使用这种方法形成高质量的hBN/SiC异质结构的可能性很大，具有很高的仪表应用潜力。关键字:六聚硝酸盐硼，高温气体升华，拉马光谱学，光照发光。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

Физика и техника полупроводников

自引率

0.00%

发文量