Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединния GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI:10.21883/ftp.2022.09.53402.37

Е. А. Тарасова, C.В. Хазанова, О.Л. Голиков, Александр Сергеевич Пузанов, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков

{"title":"Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединния GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием","authors":"Е. А. Тарасова, C.В. Хазанова, О.Л. Голиков, Александр Сергеевич Пузанов, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков","doi":"10.21883/ftp.2022.09.53402.37","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Проведены расчетно-экспериментальные исследования характеристик мощного AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT. При помощи самосогласованного численного решения уравнений Шредингера и Пуассона рассчитана зонная диаграмма исследуемого транзистора, получена концентрация электронов в канале. Экспериментально оценена подвижность электронов в канале транзистора, которая составила 9300 см2/В·с. На основе полученной проходной вольт-амперной характеристики транзистора рассчитаны параметры модельного дифференциального усилителя: малосигнальный коэффициент усиления и коэффициент нелинейных искажений 3-го порядка. Ключевые слова: AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT, нелинейные искажения, спейсерные слои.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"16 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Физика и техника полупроводников","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.09.53402.37","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Проведены расчетно-экспериментальные исследования характеристик мощного AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT. При помощи самосогласованного численного решения уравнений Шредингера и Пуассона рассчитана зонная диаграмма исследуемого транзистора, получена концентрация электронов в канале. Экспериментально оценена подвижность электронов в канале транзистора, которая составила 9300 см2/В·с. На основе полученной проходной вольт-амперной характеристики транзистора рассчитаны параметры модельного дифференциального усилителя: малосигнальный коэффициент усиления и коэффициент нелинейных искажений 3-го порядка. Ключевые слова: AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT, нелинейные искажения, спейсерные слои.

查看原文本刊更多论文

非线性DpHEMT结构分析基于GaAs/InGaAs连接与双向德尔塔合金

对强大的AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT的特性进行了计算和实验研究。施罗德丁格方程和泊松方程的自协调数值解计算了研究晶体管的区域图，在通道中获得了电子浓度。在实验中，晶体管中电子的可移动性估计为9300 cm2 / b。晶体管的通过电压特性是基于晶体管模型微分放大器的参数:小信号放大系数和非线性扭曲系数3。关键词:AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT，非线性畸变，空间层。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

Физика и техника полупроводников

自引率

0.00%

发文量