Евгений Николаевич Мохов, В Ю Давыдов, Андрей Николаевич Смирнов, С. С. Нагалюк
{"title":"六角质氮化硼(hBN)生长在碳化硅底座上","authors":"Евгений Николаевич Мохов, В Ю Давыдов, Андрей Николаевич Смирнов, С. С. Нагалюк","doi":"10.21883/ftp.2022.10.53964.9961","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Продемонстрирована возможность роста с использованием метода высокотемпературной сублимации из газовой фазы гексагонального нитрида бора (hBN) высокого структурного совершенства на подложках гексагонального карбида кремния (SiC). Полученные результаты указывают на перспективность использования данного метода для формирования в ходе одного технологического процесса высококачественных гетероструктур hBN/SiC большой площади, которые имеют высокий потенциал для приборных применений. Ключевые слова: гексагональный нитрид бора, высокотемпературная сублимация из газовой фазы, рамановская спектроскопия, фотолюминесценция.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"11 7 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации\",\"authors\":\"Евгений Николаевич Мохов, В Ю Давыдов, Андрей Николаевич Смирнов, С. С. Нагалюк\",\"doi\":\"10.21883/ftp.2022.10.53964.9961\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Продемонстрирована возможность роста с использованием метода высокотемпературной сублимации из газовой фазы гексагонального нитрида бора (hBN) высокого структурного совершенства на подложках гексагонального карбида кремния (SiC). Полученные результаты указывают на перспективность использования данного метода для формирования в ходе одного технологического процесса высококачественных гетероструктур hBN/SiC большой площади, которые имеют высокий потенциал для приборных применений. Ключевые слова: гексагональный нитрид бора, высокотемпературная сублимация из газовой фазы, рамановская спектроскопия, фотолюминесценция.\",\"PeriodicalId\":24054,\"journal\":{\"name\":\"Физика и техника полупроводников\",\"volume\":\"11 7 1\",\"pages\":\"\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2022-01-01\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Физика и техника полупроводников\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.10.53964.9961\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Физика и техника полупроводников","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.10.53964.9961","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации
Продемонстрирована возможность роста с использованием метода высокотемпературной сублимации из газовой фазы гексагонального нитрида бора (hBN) высокого структурного совершенства на подложках гексагонального карбида кремния (SiC). Полученные результаты указывают на перспективность использования данного метода для формирования в ходе одного технологического процесса высококачественных гетероструктур hBN/SiC большой площади, которые имеют высокий потенциал для приборных применений. Ключевые слова: гексагональный нитрид бора, высокотемпературная сублимация из газовой фазы, рамановская спектроскопия, фотолюминесценция.
求助内容：
应助结果提醒方式：
京公网安备 11010802042870号
