Innovations technologiques最新文献

{"title":"ALD pour les piles à combustible à haute température","authors":"Michel Cassir, Dorra Dallel, A. Meléndez-Ceballos, Marie-Hélène Chavanne, Armelle Ringuedé","doi":"10.51257/a-v1-re256","DOIUrl":"https://doi.org/10.51257/a-v1-re256","url":null,"abstract":"La nanostructuration par couches minces de differentes zones interfaciales des piles a combustible a haute temperature, notamment celles a oxyde solide (SOFC), est primordiale pour ameliorer les performances et la duree de vie de ces dispositifs de generation d’energie. Le depot par couches atomiques (ALD) est une technique de choix pour la mise en œuvre de films minces de tres grande qualite, homogenes, denses et conformes. Cet article montre les avancees et le potentiel de l’ALD essentiellement pour les systemes SOFC, mais aussi pour les piles a combustibles a carbonates fondus (MCFC) et a oxyde solide conducteur de protons (PCFC).","PeriodicalId":222334,"journal":{"name":"Innovations technologiques","volume":"24 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2016-10-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114891583","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Atomic Layer Deposition (ALD) - Principes généraux, matériaux et applications","authors":"Nathanaelle Schneider, Frédérique Donsanti","doi":"10.51257/a-v1-re253","DOIUrl":"https://doi.org/10.51257/a-v1-re253","url":null,"abstract":"Cet article detaille le principe de la methode de depot chimique par flux alternes appelee Atomic Layer Deposition (ALD). A l’issue d’un inventaire des differents materiaux pouvant etre deposes par cette technique, il est suivi d’un bref resume de ses applications principales et emergentes.","PeriodicalId":222334,"journal":{"name":"Innovations technologiques","volume":"8 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2016-10-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"127371226","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"ALD pour des applications capteurs, biocapteurs et membranes","authors":"C. Marichy, Mikhael Bechelany","doi":"10.51257/a-v1-re265","DOIUrl":"https://doi.org/10.51257/a-v1-re265","url":null,"abstract":"Les performances des capteurs, biocapteurs et membranes ainsi que leurs selectivites dependent de la structuration, de la morphologie et de la nature des materiaux utilises. La technique de depot par couche atomique ou ALD apparait comme une technique de choix de par sa simplicite et l’homogeneite des depots, ainsi que du controle de l’epaisseur au niveau atomique. Cet article presente l’utilisation de l’ALD pour la fabrication de capteurs, biocapteurs et membranes avec les realisations possibles en termes de detection et de separation. L’avantage de cette technique par rapport a des approches plus conventionnelles est mis en evidence par quelques exemples choisis dans la litterature.","PeriodicalId":222334,"journal":{"name":"Innovations technologiques","volume":"55 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2016-10-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"125997997","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Apport de la caractérisation in situ dans les procédés ALD","authors":"Jean-Luc Deschanvres, C. Jimenez","doi":"10.51257/a-v1-re263","DOIUrl":"https://doi.org/10.51257/a-v1-re263","url":null,"abstract":"Pour affiner la comprehension et le controle des mecanismes de croissance qui gouvernent le processus de depot ALD, les techniques de caracterisation in situ constituent des voies d’investigation de premier ordre. Dans cet article, les differentes techniques utilisees seront presentees en fonction de l’information apportee pour la connaissance du procede de depot ALD : en premier lieu, pour la determination de la fenetre de depot ALD, puis pour la determination des mecanismes reactionnels, et enfin pour la correlation avec les proprietes des films elabores.","PeriodicalId":222334,"journal":{"name":"Innovations technologiques","volume":"22 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2016-10-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114355610","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Évaluation thermodynamique des précurseurs ALD","authors":"I. Nuta, E. Blanquet","doi":"10.51257/a-v1-re252","DOIUrl":"https://doi.org/10.51257/a-v1-re252","url":null,"abstract":"L’evaluation thermodynamique de la phase gazeuse des precurseurs pour les procedes de depots de couches atomiques (ALD) permet de definir les conditions operatoires optimales, de prevoir toutes les reactions possibles et d’estimer la consommation d'energie associee a d’eventuelles transformations. Cet article offre a l’ingenieur qui utilise le procede ALD avec des precurseurs organometalliques une methode de construction des proprietes de la phase gazeuse a partir des donnees structurelles des molecules. Les techniques experimentales qui permettent d’obtenir directement les informations sur la phase gazeuse et l’illustration d’exploitation de ces donnees thermodynamiques sont donnees.","PeriodicalId":222334,"journal":{"name":"Innovations technologiques","volume":"97 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2016-10-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116333612","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"ALD assistée par plasma (PEALD)","authors":"C. Vallée","doi":"10.51257/a-v1-re260","DOIUrl":"https://doi.org/10.51257/a-v1-re260","url":null,"abstract":"Cet article a pour but de montrer l’interet d’une assistance plasma dans un procede ALD. La premiere section de cet article permet d’introduire et de definir les plasmas froids ainsi que les reacteurs associes. La seconde section porte sur les avantages d’une assistance plasma dans un procede ALD. Dans cette section, de nombreux exemples de materiaux deposes par PEALD sont donnes avec a chaque fois une discussion sur l’impact de l’assistance plasma sur leurs proprietes physico-chimiques ou electriques. Enfin, quelques limites actuelles de ce procede sont donnees en fin d’article avant de conclure.","PeriodicalId":222334,"journal":{"name":"Innovations technologiques","volume":"27 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2016-10-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"125136498","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"ALD pour les cellules photovoltaïques","authors":"D. Pélissier, Nathanaelle Schneider","doi":"10.51257/a-v1-re257","DOIUrl":"https://doi.org/10.51257/a-v1-re257","url":null,"abstract":"La conversion photovoltaique (PV) est une composante incontournable du mix energetique et connait une tres forte croissance grâce aux baisses de couts combinees aux politiques de soutien et aux avancees technologiques. Cet article analyse la contribution du depot par couche atomique ou ALD ( Atomic Layer Deposition ) aux technologies de cellules solaires. L’ALD est une technique de depot chimique en phase vapeur qui permet la croissance de materiaux inorganiques en couches ultraminces, uniformes, conformes, d’epaisseur subnanometrique. Basee sur l’introduction sequentielle de precurseurs, elle met en jeu des reactions chimiques de surface et des mecanismes de saturation autolimitants qui permettent une ingenierie de materiaux a l’echelle atomique. Les applications de l’ALD pour le PV sont diverses, avec des degres de maturite differents : de la passivation de cellules de type industriel en silicium aux nouvelles architectures innovantes. Cet article presente les principales utilisations de l’ALD pour le PV et discute des atouts et des limites du procede dans un domaine ou toute innovation doit satisfaire aux contraintes de couts, de dimensions et de stabilite dans le temps. Nota : le lecteur trouvera en fin d’article un tableau des sigles, notations et symboles utilises tout au long de l’article. Points cles Domaine  : Techniques de depot de couches minces Degre de diffusion de la technologie  : Croissance Technologies impliquees  : Depot par couche atomique (ALD, Atomic Layer Deposition ) Domaines d’application  : Photovoltaique Principaux acteurs francais  : Poles de competitivite : Tenerrdis Centres de competence : CEA-INES, IPVF, Institut des nanotechnologies de Lyon, IRDEP, Institut d’electronique, de microelectronique et de nanotechnologie (Lille) , Laboratoire des materiaux et du genie physique (Grenoble) Industriels : Air Liquide, EDF, Encapsulix, Enhelios Autres acteurs dans le monde  : Argonne National Laboratory, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Eindhoven University of Technology, Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems, Stanford University, Nanyang Technological University, Uppsala University, Energy research Centre of the Netherlands (ECN), Beneq, Levitech, Picosun, SolayTec, Solliance, TNO. Contact  : daniele.blanc@insa-lyon.fr, n.schneider@chimie-paristech.fr","PeriodicalId":222334,"journal":{"name":"Innovations technologiques","volume":"24 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2016-10-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126751617","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Encapsulation des diodes organiques électroluminescentes et microbatteries par ALD","authors":"Tony Maindron, Messaoud Bedjaoui","doi":"10.51257/a-v1-re261","DOIUrl":"https://doi.org/10.51257/a-v1-re261","url":null,"abstract":"Le probleme des diodes electroluminescentes organiques (OLED) et des microbatteries a base d’une technologie lithium reside en leur degradation rapide en presence des gaz oxydants de l’atmosphere, eau et oxygene. Des technologies d’encapsulation avancees sont donc developpees afin de proposer des niveaux barriere aux gaz tres eleves et permettre la realisation de dispositifs de nouvelle generation : plus fiables, flexibles ou conformables et moins chers. La technologie ALD (Atomic Layer Deposition) est tres bien adaptee a la realisation de couches barrieres pour ces circuits.","PeriodicalId":222334,"journal":{"name":"Innovations technologiques","volume":"13 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2016-10-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"134178146","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Simulation à l’échelle atomique en ALD des oxydes ultra-minces","authors":"Alain Estève, M. D. Rouhani, C. Rossi","doi":"10.51257/a-v1-re259","DOIUrl":"https://doi.org/10.51257/a-v1-re259","url":null,"abstract":"La simulation a l’echelle atomique permet de predire, quantifier et interroger avec force details la chimie des interactions entre atomes et d’en deduire leur organisation a l’echelle des interfaces. Cet article a pour ambition de presenter une demarche de la simulation a l’echelle atomique qui combine calculs quantiques et simulations par Monte Carlo Cinetique respectivement pour predire la chimie des processus elementaires qui gouvernent le depot par ALD et pour bâtir une simulation a l’echelle du procede technologique. Quelques exemples d’etude concernant le depot d’oxydes pour la microelectronique et la realisation de couches barrieres pour les materiaux energetiques seront proposes.","PeriodicalId":222334,"journal":{"name":"Innovations technologiques","volume":"50 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2016-10-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"129245662","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Chimie des précurseurs pour le procédé ALD","authors":"S. Daniele","doi":"10.51257/a-v1-re251","DOIUrl":"https://doi.org/10.51257/a-v1-re251","url":null,"abstract":"Le procede d’ALD (Atomic Layer Deposition) necessite des precurseurs qui presentent une volatilite et une stabilite thermique importante pour permettre leur transport en phase gaz mais egalement une forte reactivite avec le substrat. Rassembler toutes ces proprietes physico-chimiques au sein d’un meme compose requiert une ingenierie moleculaire precise en termes de structure tridimensionnelle et de force des interactions intra- (liaisons chimiques) et inter-moleculaires (liaisons hydrogenes ou de type Van der Waals). L’article presente les differents parametres disponibles aux chimistes et utilisateurs pour permettre de selectionner la famille de precurseurs appropriee a un procede.","PeriodicalId":222334,"journal":{"name":"Innovations technologiques","volume":"58 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2016-10-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126357214","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}