Chimie des précurseurs pour le procédé ALD

Abstract

Le procede d’ALD (Atomic Layer Deposition) necessite des precurseurs qui presentent une volatilite et une stabilite thermique importante pour permettre leur transport en phase gaz mais egalement une forte reactivite avec le substrat. Rassembler toutes ces proprietes physico-chimiques au sein d’un meme compose requiert une ingenierie moleculaire precise en termes de structure tridimensionnelle et de force des interactions intra- (liaisons chimiques) et inter-moleculaires (liaisons hydrogenes ou de type Van der Waals). L’article presente les differents parametres disponibles aux chimistes et utilisateurs pour permettre de selectionner la famille de precurseurs appropriee a un procede.