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Simulation à l’échelle atomique en ALD des oxydes ultra-minces
La simulation a l’echelle atomique permet de predire, quantifier et interroger avec force details la chimie des interactions entre atomes et d’en deduire leur organisation a l’echelle des interfaces. Cet article a pour ambition de presenter une demarche de la simulation a l’echelle atomique qui combine calculs quantiques et simulations par Monte Carlo Cinetique respectivement pour predire la chimie des processus elementaires qui gouvernent le depot par ALD et pour bâtir une simulation a l’echelle du procede technologique. Quelques exemples d’etude concernant le depot d’oxydes pour la microelectronique et la realisation de couches barrieres pour les materiaux energetiques seront proposes.
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