Физика и техника полупроводников最新文献_第6页

Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок "сверху-вниз" 生物相容的SiC-纳米管的形成

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2023-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2023.05.56201.28k

А Д Буравлев, А.Н. Казакин, Ю. А. Нащекина, А. В. Нащекин, Е.В. Убыйвовк, В.А. Астраханцева, Андрей Викторович Осипов, Г.В. Святец, Сергей Арсеньевич Кукушкин

{"title":"Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок \"сверху-вниз\"","authors":"А Д Буравлев, А.Н. Казакин, Ю. А. Нащекина, А. В. Нащекин, Е.В. Убыйвовк, В.А. Астраханцева, Андрей Викторович Осипов, Г.В. Святец, Сергей Арсеньевич Кукушкин","doi":"10.21883/ftp.2023.05.56201.28k","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2023.05.56201.28k","url":null,"abstract":"При проведении экспериментов по синтезу слоев карбида кремния на монокристаллических подложках кремния с помощью метода согласованного замещения атомов обнаружено, что образование тонких пленок карбида кремния может сопровождаться формированием массивов нанотрубок карбида кремния произрастающих в глубь кремниевых подложек. Таким образом, впервые обнаружен новый механизм образования карбид-кремниевых нанотрубок ---\"сверху-вниз\". Ключевые слова: карбид кремния, нанотрубки, пар-жидкость-кристалл, формирование наноструктур.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"3 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2023-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"85983852","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb-Al-=SUB=-0.6-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.4-=/SUB=-As-=SUB=-0.97-=/SUB=-Sb-=SUB=-0.03-=/SUB=- СтруктураиоптическиесвойствакомпозитногометаматериалаAsSb-Al - =子= -0.6 = / SUB = ga - -0.4 =子= - = / SUB =——=子= -0.97,= / SUB =某人- -0.03 =子= - = / SUB =

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2023-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2023.01.54933.4545

Л.А. Снигирев, В.И. Ушанов, А. А. Иванов, Н.А. Берт, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б.Р. Семягин, И. А. Касаткин, В.В. Чалдышев

{"title":"Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb-Al-=SUB=-0.6-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.4-=/SUB=-As-=SUB=-0.97-=/SUB=-Sb-=SUB=-0.03-=/SUB=-","authors":"Л.А. Снигирев, В.И. Ушанов, А. А. Иванов, Н.А. Берт, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б.Р. Семягин, И. А. Касаткин, В.В. Чалдышев","doi":"10.21883/ftp.2023.01.54933.4545","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2023.01.54933.4545","url":null,"abstract":"Методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре с использованием прерываний роста успешно выращены эпитаксиальные слои AlxGa1-xAs1-ySby с содержанием алюминия x~60% и содержанием сурьмы y~3%. Путем последующего отжига в полупроводниковой матрице сформирована развитая система нановключений AsSb. Увеличенное окно прозрачности полученного метаматериала позволило надежно документировать широкую полосу поглощения света вблизи края межзонного поглощения полупроводниковой матрицы AlxGa1-xAs1-ySby. Параметры наблюдаемой полосы экстинкции позволяют связать такое поглощение света с плазмонным резонансом в системе нановключений AsSb. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, рентгенодифракционный анализ, просвечивающая электронная микроскопия, оптические свойства, плазмонный резонанс.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"1 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2023-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"89745445","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Многослойная сенсорная структура на основе пористого кремния 多层感觉结构

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-09-02 DOI: 10.21883/ftp.2022.06.52592.9819

В. В. Болотов, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, К.Е. Ивлев

引用次数: 0

Низкотемпературные электрические свойства CVD графена на LiNbO-=SUB=-3-=/SUB=-: акустические исследования 低温格拉夫电特性在林博-=SUB -3-=/SUB -:声学研究

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-07-10 DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51822.9733

I. Drichko, I. Smirnov, Y. Galperin, P. A. Dementev, M. Rybin

引用次数: 0

Размерный эффект в МОП-структурах при ионизирующем облучении 电离辐射中mop结构的维效应

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.06.52595.9786

O.B. Александров

引用次数: 0

Переход от экспоненциального к линейному возрастанию плотности энергии спектральной компоненты пикосекундного стимулированного излучения GaAs при насыщении усиления 当加速度饱和时，从指数级到线性能量密度的线性上升。

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.04.52194.9781

Н.Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов

{"title":"Переход от экспоненциального к линейному возрастанию плотности энергии спектральной компоненты пикосекундного стимулированного излучения GaAs при насыщении усиления","authors":"Н.Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов","doi":"10.21883/ftp.2022.04.52194.9781","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.04.52194.9781","url":null,"abstract":"В начале мощной оптической пикосекундной накачки слоя GaAs гетероструктуры AlxGa1-xAs-GaAs-AlxGa1-xAs в нем возникает стимулированное пикосекундное излучение. Возрастание со временем плотности энергии каждой спектральной компоненты излучения в ее активной среде происходит экспоненциально до насыщения усиления, далее возрастание линейное. В настоящей работе экспериментально определено, в зависимости от каких параметров спектральной компоненты излучения и по какому закону меняется: (а) время (отсчитываемое от начала стимулированного излучения), через которое происходит переход от экспоненциального возрастания к линейному; (б) плотность энергии компоненты в \"момент\" перехода; (в) коэффициент усиления на этапе линейного возрастания плотности энергии. В Заключении суммируются явления при насыщении усиления, обнаруженные в наших работах. Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, арсенид галлия, спектральные компоненты излучения, характерное время релаксации излучения, насыщение усиления, энергетический транспорт носителей заряда, скорость вынужденной рекомбинации.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"1 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"75680531","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Влияние нейтронного облучения на спектр дефектов с глубокими уровнями в GaAs, изготовленном методом жидкофазной эпитаксии в атмосфере водорода и аргона 中子辐射对高斯深层缺陷谱的影响，这是由氢和氩大气中液相冲击产生的。

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.01.51812.9729

М.М. Соболев, Ф.Ю. Солдатенков

{"title":"Влияние нейтронного облучения на спектр дефектов с глубокими уровнями в GaAs, изготовленном методом жидкофазной эпитаксии в атмосфере водорода и аргона","authors":"М.М. Соболев, Ф.Ю. Солдатенков","doi":"10.21883/ftp.2022.01.51812.9729","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.01.51812.9729","url":null,"abstract":"The results of experimental studies of capacitance– voltage characteristics, spectra of deep-level transient spectroscopy of graded high-voltage GaAs p+−p0−i−n0 diodes fabricated by liquid-phase epitaxy at a crystallization temperature of 900C from one solution–melt due to autodoping with background impurities, in a hydrogen or argon ambient, before and after irradiation with neutrons. After neutron irradiation, deep-level transient spectroscopy spectra revealed wide zones of defect clusters with acceptor-like negatively charged traps in the n0-layer, which arise as a result of electron emission from states located above the middle of the band gap. It was found that the differences in capacitance–voltage characteristics of the structures grown in hydrogen or argon ambient after irradiation are due to different doses of irradiation of GaAs p+−p0−i−n0 structures and different degrees of compensation of shallow donor impurities by deep traps in the layers.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"6 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"81885697","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Получение и свойства мезопористых пленок MoS-=SUB=-2-=/SUB=-

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.12.54509.4129

А. Б. Логинов, С.Н. Бокова-Сирош, П.В. Федотов, И. В. Сапков, Д. Н. Хмеленин, Р. Р. Исмагилов, Е. Д. Образцова, Б.А. Логинов, А.Н. Образцов

{"title":"Получение и свойства мезопористых пленок MoS-=SUB=-2-=/SUB=-","authors":"А. Б. Логинов, С.Н. Бокова-Сирош, П.В. Федотов, И. В. Сапков, Д. Н. Хмеленин, Р. Р. Исмагилов, Е. Д. Образцова, Б.А. Логинов, А.Н. Образцов","doi":"10.21883/ftp.2022.12.54509.4129","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.12.54509.4129","url":null,"abstract":"Molybdenum disulfide is a crystalline material which attracts considerable attention due to explicit two-dimensional cha- racter of its electronic properties. To obtain MoS2 films thermally evaporated molybdenum and gaseous H2S were used as precursors in this work. As a result of chemical reaction of these precursors films consisting of flake-like of nanometer thickness assembled from parallel atomic layers with predominantly perpendicular (with respect to substrate surface) orientation were deposited on the surface of Si substrate. In this work we investigate the dependence of film morphology on deposition time, substrate temperature and concentration of precursors in gaseous phase. Presence of mono- and bi-layered structures in the film was revealed using Raman spectroscopy and electron microscopy. Dependence of photoluminescence properties on size of crystallites in produced films was also studied.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"5 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"81930016","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Фотодиоды на основе структур Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-/n-GaAs, способные работать в автономном режиме 基于Ga-= -2-= -O-= -3-= -3-= - SUB -GaAs，能够独立工作

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.09.53417.9868

В.М. Калыгина, Ольга Сергеевна Киселева, Б.О. Кушнарев, Владимир Лукич Олейник, Ю. С. Петрова, А.В. Цымбалов

引用次数: 0

Анализ динамики затухания люминесценции в металл-диэлектрических фотонных структурах с органическими слоями 有机层金属介质光电结构中发光衰减动力学分析

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI: 10.21883/ftp.2022.12.54512.4291

К. М. Морозов, А.В. Белоновский, М. А. Калитеевский

引用次数: 0