Л.А. Снигирев, В.И. Ушанов, А. А. Иванов, Н.А. Берт, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б.Р. Семягин, И. А. Касаткин, В.В. Чалдышев
{"title":"СтруктураиоптическиесвойствакомпозитногометаматериалаAsSb-Al - =子= -0.6 = / SUB = ga - -0.4 =子= - = / SUB =——=子= -0.97,= / SUB =某人- -0.03 =子= - = / SUB =","authors":"Л.А. Снигирев, В.И. Ушанов, А. А. Иванов, Н.А. Берт, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б.Р. Семягин, И. А. Касаткин, В.В. Чалдышев","doi":"10.21883/ftp.2023.01.54933.4545","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре с использованием прерываний роста успешно выращены эпитаксиальные слои AlxGa1-xAs1-ySby с содержанием алюминия x~60% и содержанием сурьмы y~3%. Путем последующего отжига в полупроводниковой матрице сформирована развитая система нановключений AsSb. Увеличенное окно прозрачности полученного метаматериала позволило надежно документировать широкую полосу поглощения света вблизи края межзонного поглощения полупроводниковой матрицы AlxGa1-xAs1-ySby. Параметры наблюдаемой полосы экстинкции позволяют связать такое поглощение света с плазмонным резонансом в системе нановключений AsSb. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, рентгенодифракционный анализ, просвечивающая электронная микроскопия, оптические свойства, плазмонный резонанс.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"1 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb-Al-=SUB=-0.6-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.4-=/SUB=-As-=SUB=-0.97-=/SUB=-Sb-=SUB=-0.03-=/SUB=-\",\"authors\":\"Л.А. Снигирев, В.И. Ушанов, А. А. Иванов, Н.А. Берт, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б.Р. Семягин, И. А. Касаткин, В.В. Чалдышев\",\"doi\":\"10.21883/ftp.2023.01.54933.4545\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре с использованием прерываний роста успешно выращены эпитаксиальные слои AlxGa1-xAs1-ySby с содержанием алюминия x~60% и содержанием сурьмы y~3%. Путем последующего отжига в полупроводниковой матрице сформирована развитая система нановключений AsSb. Увеличенное окно прозрачности полученного метаматериала позволило надежно документировать широкую полосу поглощения света вблизи края межзонного поглощения полупроводниковой матрицы AlxGa1-xAs1-ySby. Параметры наблюдаемой полосы экстинкции позволяют связать такое поглощение света с плазмонным резонансом в системе нановключений AsSb. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, рентгенодифракционный анализ, просвечивающая электронная микроскопия, оптические свойства, плазмонный резонанс.\",\"PeriodicalId\":24054,\"journal\":{\"name\":\"Физика и техника полупроводников\",\"volume\":\"1 1\",\"pages\":\"\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2023-01-01\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Физика и техника полупроводников\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.21883/ftp.2023.01.54933.4545\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Физика и техника полупроводников","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/ftp.2023.01.54933.4545","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb-Al-=SUB=-0.6-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.4-=/SUB=-As-=SUB=-0.97-=/SUB=-Sb-=SUB=-0.03-=/SUB=-
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре с использованием прерываний роста успешно выращены эпитаксиальные слои AlxGa1-xAs1-ySby с содержанием алюминия x~60% и содержанием сурьмы y~3%. Путем последующего отжига в полупроводниковой матрице сформирована развитая система нановключений AsSb. Увеличенное окно прозрачности полученного метаматериала позволило надежно документировать широкую полосу поглощения света вблизи края межзонного поглощения полупроводниковой матрицы AlxGa1-xAs1-ySby. Параметры наблюдаемой полосы экстинкции позволяют связать такое поглощение света с плазмонным резонансом в системе нановключений AsSb. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, рентгенодифракционный анализ, просвечивающая электронная микроскопия, оптические свойства, плазмонный резонанс.
求助内容：
应助结果提醒方式：
京公网安备 11010802042870号
