Sel''skokhoziaistvennye mashiny i tekhnologii最新文献_第10页

Электронные свойства улучшенного металлургического мультикремния (UMG-Si) 改进冶金多硅的电子性能(UMG-Si)

Sel''skokhoziaistvennye mashiny i tekhnologii Pub Date : 2022-09-02 DOI: 10.34077/silicon2022-97

引用次数: 0

Модели контентно-адресуемой памяти на основе двухзатворных сегнетоэлектрических КНИ транзисторов 双封闭式银电晶体管存储器模型

Sel''skokhoziaistvennye mashiny i tekhnologii Pub Date : 2022-09-02 DOI: 10.34077/silicon2022-85

М.С. Тарков, А.Н. Леушин, Ф.В. Тихоненко, Василий Петрович Попов

引用次数: 0

Изучение поверхностной рекомбинации гетероструктуры на основе CdTe-SiO2-Si с глубокими примесными уровнями 研究基于CdTe-SiO2-Si的异质结构表面重组，深度杂质水平

Sel''skokhoziaistvennye mashiny i tekhnologii Pub Date : 2022-09-02 DOI: 10.34077/silicon2022-130

引用次数: 0

Гексагональный кремний в структуре {113} дефектов как результат совместной кластеризации вакансий и междоузельных атомов 六角质硅结构(113)缺陷是由于空缺和间隙原子的联合集群化造成的。

Sel''skokhoziaistvennye mashiny i tekhnologii Pub Date : 2022-09-02 DOI: 10.34077/silicon2022-69

引用次数: 0

Динамика адатомов Sn вблизи ступени на поверхности Si(111)- √3 × √3-Sn 在Si(111)- g3 g3 -Sn上的阶梯附近的Sn动力学

Sel''skokhoziaistvennye mashiny i tekhnologii Pub Date : 2022-09-02 DOI: 10.34077/silicon2022-103

引用次数: 0

Эллипсометры – прецизионные средства контроля кремниевых нанотехнологий 椭圆计是硅纳米技术的精密控制工具。

Sel''skokhoziaistvennye mashiny i tekhnologii Pub Date : 2022-09-02 DOI: 10.34077/silicon2022-114

引用次数: 0

Влияние условий роста МЛЭ на кинетику сближения ступеней поверхности Si(100)

Sel''skokhoziaistvennye mashiny i tekhnologii Pub Date : 2022-09-02 DOI: 10.34077/silicon2022-104

М Ю Есин, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров

{"title":"Влияние условий роста МЛЭ на кинетику сближения ступеней поверхности Si(100)","authors":"М Ю Есин, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров","doi":"10.34077/silicon2022-104","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/silicon2022-104","url":null,"abstract":"\u0000 In this work, the convergence kinetics investigations of the SA and SB steps on Si(100) substrates with inclination 0.5o and 0.1o were carried out. Analysis of the time dependence of reflection high-energy electron diffraction (RHEED) intensity was used to establish the growth kinetics character on vicinal Si(100) surfaces. It is shown that, in a Si flow at the growth rate of 0.37 ML/s, the step convergence velocity has a decreasing exponential dependence with the temperature increase. It is determined that the single-domain surface formation velocity increases with an increase in the terrace width on the surface, which may be due to the partial participation of growth due to the formation of two-dimensional islands. Above a temperature of 650°C, the dominant growth mode is due to the step movement and the single-domain surface formation velocity decreases with an increase in the terrace width. Thus, the single-layer step convergence is determined by both the MBE growth conditions and the Si(100) substrate orientation. The convergence of SA and SB steps of the Si(100) surface is explained by the slowdown of the step SA motion, which is associated with complex permeability mechanisms and a kink formation of steps. It is assumed that the reason for the slowdown of the step convergence with increasing temperature is an increase in the kink density at the SA step, which reduces the step SA permeability coefficient.\u0000","PeriodicalId":32503,"journal":{"name":"Sel''skokhoziaistvennye mashiny i tekhnologii","volume":"121 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-09-02","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"88282092","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Влияние состава травителя и геометрии Au катализатора на формирование упорядоченных массивов наностолбиков при метал-стимулированном каталитическом травлении кремния 催化剂成分和Au催化剂几何影响在催化金属腐蚀下形成有序的纳米柱阵列

Sel''skokhoziaistvennye mashiny i tekhnologii Pub Date : 2022-09-02 DOI: 10.34077/silicon2022-125

引用次数: 0

Перенос тонких пленок кремния с SiO2 и HfO2 на С-сапфир: влияние толщины подложки на сегнетоэлектрические свойства гафния 将硅薄膜从SiO2和HfO2转移到c - sappher:底座厚度的影响

Sel''skokhoziaistvennye mashiny i tekhnologii Pub Date : 2022-09-02 DOI: 10.34077/silicon2022-52

引用次数: 0

Диэлектрические резонаторы на SiGe гетероструктурах для кремниевой фотоники

Sel''skokhoziaistvennye mashiny i tekhnologii Pub Date : 2022-09-02 DOI: 10.34077/silicon2022-61

М. В. Степихова, С. А. Дьяков, Д.В. Юрасов, М. В. Шалеев, А. Н. Яблонский, А.В. Перетокин, Валерий Альфонасович Вербус, Е. В. Скороходов, Е. Е. Родякина, К. В. Барышникова, Михаил Игоревич Петров, V. V. Rutckaia, З. Ф. Красильник

{"title":"Диэлектрические резонаторы на SiGe гетероструктурах для кремниевой фотоники","authors":"М. В. Степихова, С. А. Дьяков, Д.В. Юрасов, М. В. Шалеев, А. Н. Яблонский, А.В. Перетокин, Валерий Альфонасович Вербус, Е. В. Скороходов, Е. Е. Родякина, К. В. Барышникова, Михаил Игоревич Петров, V. V. Rutckaia, З. Ф. Красильник","doi":"10.34077/silicon2022-61","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/silicon2022-61","url":null,"abstract":"Последние годы активно развивается подход к созданию эффективных, миниатюрных источников изучения основанный на использовании различных резонаторов. При этом особое внимание привлекают к себе диэлектрические резонаторы, в которых можно реализовать моды с очень высокой добротностью. В данной работе показано, что структуры с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками, выращенные на подложках «кремний на изоляторе» являются удобным объектом для исследования характеристик мод различных диэлектрических резонаторов и особенностей их взаимодействия с активной средой [1-5]. В работе представлены результаты по исследованию диэлектрических резонаторов на основе фотонных кристаллов, одиночных и связанных Ми-резонаторов. В качестве активной среды в резонаторах использовались выращенные на SOI подложках светоизлучающие структуры с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками, а также слои n-Ge и локально растянутые микроструктуры на их основе. Представлены результаты анализа реализации в двумерных фотонных кристаллов (ФК) с различной решеткой высокодобротные моды связанных состояний в континууме («bound states in the continuum», BIC). Показано, что для ФК с гексагональной решеткой существует область параметров, при которых в спектральную область люминесценции Ge(Si) островков попадают только высокодобротные моды BIC, что более чем на 2 порядка увеличенить интенсивности сигнала фотолюминесценции ФЛ островков при комнатной температуре за счет их взаимодействия данными модами [3]. При этом экспериментально измеренная добротность линий в спектрах микро-ФЛ, связанных с BIC модами, составила более 2000 [3], что превосходит значения, полученные в прямозонных материалах в режиме лазерной генерации. В докладе представлены первые результаты по реализации электрической накачки ФК с Ge(Si) островками с использованием ионной имплантации низкотемпературного отжига структур. Для Ми-резонаторов в виде дисков отработана технология их формирования на структурах с Ge(Si) островками и исследован модовый состав одиночных и связанных ансамблей Ми-резонаторов. Продемонстрировано, что для активной среды на основе n-Ge/Si(001) слое формирование ФК позволяет увеличить более чем на порядок интенсивность сигнала ФЛ в области 1.5-1.6 мкм, связанного с прямыми переходами в Ge [4]. Для локально растянутых Ge микроструктур, которые в настоящее время являются перспективными с точки зрения достижения стимулированного излучения, сформированы резонаторы, позволяющие эффективно локализовать э/м поля в растянутой области структуры при минимальном влиянии на величину и распределение деформаций в ней [4]. Определен дизайн двумерных ФК, который может быть использован в одноосно растянутых Ge микроструктурах.","PeriodicalId":32503,"journal":{"name":"Sel''skokhoziaistvennye mashiny i tekhnologii","volume":"29 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-09-02","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"78587709","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 0