Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»最新文献

{"title":"Неравновесные процессы релаксации в композитных структурах на\u0000основе ZnO с внедренными нанокристаллами CsPbBr3/\u0000Крылов И.В., Дроздов К.А., Чижов А.С., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-269","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-269","url":null,"abstract":"Композитные структуры c галогенидными перовскитами являются перспективными\u0000материалами для различных оптоэлектронных устройств, в том числе для создания светоизлучающих\u0000диодов, фотоприемников и лазеров, солнечных элементов. Неорганические галогенидные перовскиты\u0000характеризуются высоким квантовым выходом фотолюминесценции, отличной стабильностью и\u0000низкой пороговой генерацией. В ряде работ рассматривается возможность существенной\u0000модификации спектральных характеристик нанокристаллов CsPbBr3 за счет эффекта размерного\u0000квантования [1], что позволяет получить узкий пик поглощения или фотолюминесценции в\u0000спектральном диапазоне λ = 410-530 нм.\u0000Для практических приложений ключевым элементом для диодов и солнечных элементов\u0000является композит на основе широкозонной пористой матрицы оксида металла с внедренными в нее\u0000нанокристаллами CsPbBr3. Однако в трехкомпонентном нанокристалле CsPbBr3 неизбежно возникают\u0000дефекты. Дефекты могут влиять не только на свойства самого нанокристалла, но и на процессы\u0000зарядового обмена между частями композита.\u0000В работе исследовались процессы генерации и рекомбинации фотовозбужденных носителей\u0000заряда в композите на основе ZnO с внедренными нанокристаллами CsPbBr3 при засветке в видимом\u0000спектральном диапазоне. Коллоидные нанокристаллов CsPbBr3 были синтезированны на кафедре\u0000неорганической химии химического факультета МГУ высокотемпературным инжекционным\u0000способом [3].\u0000Матрица ZnO и композиты на ее основе имели электронную проводимость. Кинетика и\u0000спектры фотопроводимости исследованы при комнатной температуре. В качестве подсветки\u0000использовался монохроматический источник на основе монохроматора МДР-206 и лампы белого\u0000света с известным спектром. Засветка образцов осуществлялась на длинах волн, отвечающих\u0000собственному оптическому поглощению широкозонной матрицы ZnO (λ = 390 нм) и нанокристаллов\u0000CsPbBr3 (λ = 480 и 515 нм).\u0000Внедрение в пористую матрицу ZnO нанокристаллов CsPbBr3 приводит к сенсибилизации\u0000композита в видимом спектральном диапазоне. Измерения спектральных зависимостей поглощения,\u0000фотолюминесценции и фотопроводимости пoказали, что форма и положение пика\u0000фотолюминесценции связаны с дефектами в CsPbBr3. Анализ кинетики релаксации\u0000фотопроводимости показывает возможность ускорения процесса более чем на порядок. Обсуждаются\u0000механизмы, ответственные за эффект.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"96 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-09-05","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115653157","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Скирмионные текстуры в магнитных полупроводниках с\u0000электростатическим беспорядком / Денисов К.С., Рожанский И.В., Аверкиев Н.С., Lahderanta E.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-285","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-285","url":null,"abstract":"Исследование механизмов кирального спинового упорядочения имеет большое значение для\u0000физики спин-зависимых явлений. Формирование киральных спиновых текстур, таких как магнитные\u0000скирмионы, приводит к ряду новых явлений, обусловленных сложным пространственным\u0000распределением магнитных моментов. В этой работе мы показываем, что магнитные системы\u0000подвержены образованию термодинамически-равновесных киральных спиновых возмущений\u0000электронного газа, наведенных в результате электростатического беспорядка. Многочисленные\u0000дефекты любой реальной системы, такие как примесные центры, вакансии или встроенные\u0000напряжения являются источниками локального кирального спинового упорядочения в\u0000поляризованном электронном газе. Это явление проявляется тем значительнее, чем сильнее спинорбитальное взаимодействие в системе. Теория показывает, что различные полупроводниковые\u0000магнитные системы со спин-орбитальным расщеплением спектра, такие как топологические\u0000изоляторы с магнитными примесями или асимметричные квантовые ямы разбавленных магнитных\u0000полупроводников, заполнены скирмионными текстурами, локализованными вблизи неоднородностей\u0000структуры. Развитие кирального спинового порядка существенным образом влияет на кинетические\u0000свойства таких систем в силу топологического эффекта Холла. В случае открытой поверхности\u0000исследуемый эффект может рассматриваться в качестве инструмента для анализа свойств\u0000поверхностного электронного газа методами спин-разрешенной сканирующей туннельной\u0000микроскопии.\u0000В работе мы исследовали реакцию спин-поляризованного двумерного электронного газа\u0000(2DEG) со спин-орбитальным взаимодействием на электростатическое возмущение. Показано, что\u0000при наличии градиента потенциальной энергии термодинамически равновесная спиновая плотность\u0000электронного газа наклоняется в плоскость движения электронов. Механизм этого процесса связан с\u0000процессией электронного спина при его движении в области с неоднородным потенциалом.\u0000Ориентация спина однозначно определяется направлением градиента потенциала, таким образом\u0000вокруг сферически симметричных дефектов формируются равновесные скирмионные текстуры.\u0000Спиновый отклик электронного газа на изменение скалярного потенциала описывается\u0000корреляционной функцией типа спин-плотность. В работе получены точные аналитические\u0000выражения корреляционных функций для типичных двумерных систем, а именно для квадратичного\u0000спектра с линейным по импульсу спин-орбитальным расщеплением (асимметричные квантовые ямы),\u0000а также для дираковского спектра, описывающего поверхностные состояния объемного\u0000топологического изолятора с магнитными примесями. На основе корреляционных функций\u0000анализируется локальный и нелокальный (пространственная дисперсия) спиновые отклики 2DEG на\u0000различные дефекты. Обнаружено, что в результате клейновского туннелирования, поддерживающего\u0000дрейфовый поток электронов, системы с дираковским спектром являются аномально\u0000восприимчивыми к образованию скирмионных текстур.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"6 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-09-05","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"125482108","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Особенности магнитных и диэлектрических свойств -MnS в области\u0000магнитного перехода / Абрамова Г.М., Великанов Д.А., Еремин Е.В.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-286","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-286","url":null,"abstract":"Моносульфид марганца -MnS, относящийся к группе веществ с кубической NaCl структурой\u0000(типа MnO) и сильными электронными корреляциями (СЭК), является матрицей для создания\u0000твердых растворов (например, FexMn1-xS). Интерес к исследованию таких систем связан с\u0000особенностями соединений с СЭК, такими как, переход металл-диэлектрик, спиновый кроссовер,\u0000реализующимися при изменении температуры, давления, химического состава. Вопрос о наличии\u0000двух фазовый переходов в области формирования\u0000магнито-упорядоченного состояния -MnS\u0000обсуждался в работе [1]. В данной работе\u0000представлены новые данные о поведении\u0000магнитных и диэлектрических свойств\u0000монокристаллов -MnS. Исследования показали,\u0000что при 0.5 kOe поведение магнитной\u0000восприимчивости кристаллов типично,\u0000на температурной зависимости наблюдается один\u0000максимум с температурой Нееля TN=149±1K. В\u0000полях Н от 5 kOe до 50 kOe на температурной\u0000зависимости фиксируется второй максимум при\u0000температуре T1=130 K, что близко к данным [1].\u0000Температура второго максимума χ(Т) понижается\u0000до 125±1 К с ростом Н. В области магнитного\u0000перехода обнаружена аномалия диэлектрической\u0000проницаемости в нулевом магнитном поле и поле\u000010 кОе. Критическая температура положительного\u0000магнитоемкостного эффекта δε(Н) = (ε(Н,T) −\u0000ε(0,Т))/ε(0,Т) при 1 kHz составляла 130\u0000К и возрастала до 164 К при f= 2 MHz, тогда как\u0000для мнимой части диэлектрической\u0000проницаемости эта температура\u0000изменялась от 134 К (f=100 kHz) до 154 К (при f\u0000=2 MHz). Обнаружено, что при частотах f ≥100\u0000kHz на температурной зависимости δε''(Н) =\u0000(ε'' (Н,T) − ε'' (0,Т))/ε'' (0,Т) проявляется\u0000отрицательная составляющая, что свидетельствует о разных механизмах проводимости.\u0000Обсуждаются возможные механизмы обнаруженного поведения магнитных и диэлектрических свойств -MnS.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"172 4","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-09-05","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"120841010","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Особенности температурной зависимости времени жизни в нанокристаллах CdS, сформированных с помощью метода Ленгмюра-Блоджетт/Зарубанов А.А., Свит К.А., Журавлев К.С.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-271","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-271","url":null,"abstract":"Исследование полупроводниковых нанокристаллов (НК) представляет большой интерес из-завозможностисозданиянаихосновеновыхоптическихиэлектронныхприборов. ОднимизперспективныхнаправленийвэтойобластиявляетсяиспользованиеНКнаосновеширокозонныхматериаловтипаАIIВVIдлясозданиясветоизлучающихприборовнасинююобластьспектра [1]. НК CdS получаютметодоммолекулярно-лучевойэпитаксиисиспользованиемэффектовсамоорганизации, атакжеметодамиколлоиднойхимиииЛенгмюра−Блоджетт (ЛБ) . ДостоинствомдвухпоследнихметодовявляетсяпростотаихреализациииневысокаястоимостьпроцессовполученияНК. Вданнойработеисследоваласькинетикафотолюминесценции (ФЛ) НК CdS , сформированныхвматрицепленкиЛБвдиапазонетемператур 5-300 К. Былообнаружено, чтокинетиказатуханияФЛбиэкспоненциальнаяпривсехисследуемыхтемпературахисодержитдваучастка: быстрыйимедленный. ЗависимостьинтенсивностиФЛотвремениописываетсясуммойдвухэкспонент, схарактернымивременамижизни (при 5 К) 40 и150 нсек. БыстроевремязатуханияинтенсивностиФЛсвязанособусловленорекомбинациейотрицательныхтрионов [2]. Обсуждаетсятемпературнаязависимостьизлучательноговременижизниотрицательноготриона, котораянаиболеевероятносвязанасегодиссоциацией, когда kT превышаетэнергиюсвязитриона [3]. МедленныйучастоккинетикиФЛобусловленрекомбинациейтемногоэкситона [4]. Сучетомтонкойструктурытемногоэкситонатемпературнуюзависимостьмедленноговременижизниможноописатьпростой 3-хуровневоймодельюсразнымискоростямирекомбинации [4]. Изаппроксимацииэкспериментальнойзависимостивременижизнитемногоэкситонаоттемпературы полученыэнергетическиезазорымеждууровнямиэкситонов: 7 мэВи 86 мэВ","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"8 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-09-05","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"125269341","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Обменное взаимодействие темного экситона с поверхностными\u0000парамагнитными центрами в наноплателетах CdSe / Головатенко А. А., Родина А.В., Шорникова Е.В., Яковлев Д.Р., Biadala L., Qiang G., Kuntzmann A., Nasilowski M., Dubertret B., Polovitsyn A., Moreels, Bayer M.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-287","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-287","url":null,"abstract":"Коллоидные квантовые ямы CdSe, иначе называемые наноплателетами, являются аналогом\u0000хорошо изученных ранее эпитаксиальных квантовых ям CdSe, получаемых методом молекулярнолучевой эпитаксии. В результате эффекта диэлектрического конфайнмента и малой толщины\u0000наноплателетов (~ 1 нм) сильно возрастает обменное взаимодействие электрона и дырки в экситоне.\u0000Это приводит к расщеплению состояний светлого и темного экситона на энергию порядка 3-5 мэВ\u0000[1]. Таким образом, при низких температурах фотолюминесценция (ФЛ) коллоидных наноплателетов\u0000CdSe определяется рекомбинацией темного экситона за счет конкурирующих активационных\u0000механизмов [2]. Один из наиболее эффективных механизмов активации обусловлен обменным\u0000взаимодействием темного экситона с поверхностными парамагнитными центрами.\u0000Нами проведено теоретическое рассмотрение степени циркулярной поляризации ФЛ темного\u0000экситона во внешнем магнитном поле в зависимости от знака константы обменного взаимодействия с\u0000поверхностными парамагнитными центрами. Мы показываем, что обменное взаимодействие\u0000экситона с поверхностными центрами может приводить к инверсии знака степени циркулярной\u0000поляризации ФЛ темного экситона за счет двух механизмов. Первый механизм связан с эффективным\u0000обменным полем поверхностных центров, изменяющим знак зеемановского расщепления спиновых\u0000подуровней экситона в малых магнитных полях. При этом\u0000величина магнитного поля Bc, при котором степень\u0000циркулярной поляризации обращается в ноль, убывает с\u0000ростом температуры. Второй\u0000механизм связан со спин-зависимой рекомбинацией\u0000подуровней темного экситона за счет flip-flop\u0000взаимодействия с поверхностными парамагнитными\u0000центрами. При данном механизме критическое магнитное\u0000поле возрастает с увеличением температуры. Теоретическая зависимость температурного\u0000сдвига критического магнитного поля, рассчитанная с\u0000учетом обоих эффектов, приводит к немонотонной\u0000зависимости сдвига критического поля и качественно\u0000согласуется с экспериментально наблюдаемой\u0000зависимостью в ансамблях коллоидных наноплателетов\u0000CdSe толщиной 1.2 нм.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"32 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-09-05","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114394631","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Модифицирование границы раздела металл/полупроводник в\u0000спиновых светоизлучающих диодах СoPt/(In)GaAs / Дёмина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Кудрин А.В., Буданов А.В., Власов Ю.Н., Котов Г.И., Крюков Р.Н., Вихрова О.В.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-288","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-288","url":null,"abstract":"Создание неравновесной спиновой поляризации носителей заряда в полупроводниковых\u0000материалах является одним из основополагающих принципов полупроводниковой спинтроники [1].\u0000Известно, что одним из важнейших параметров, влияющих на степень инжекции спинполяризованных носителей заряда из ферромагнитного металлического электрода в\u0000полупроводниковую гетероструктуру, является качество границы раздела, которое должно\u0000обеспечивать минимальное спиновое рассеяние. В процессе формирования диодной структуры при\u0000нанесении металла на поверхность полупроводника туннельно-тонкая прослойка диэлектрика\u0000позволяет существенно снизить количество дефектов на границе раздела. Кроме того, такая\u0000прослойка изменяет механизм протекания носителей на границе раздела с дрейфово-диффузионного\u0000на туннельный [2], что позволяет решить проблему рассогласования проводимостей в системе\u0000металл/полупроводник.\u0000В настоящей работе приведены результаты исследования спиновой инжекции в спиновых\u0000светоизлучающих диодах (ССИД) с контактом СoPt/туннельно-тонкий оксид/ (In)GaAs. Выполнено\u0000варьирование свойств гетерограниц за счёт использования различных оксидов: Al2O3:MgO (поликор),\u0000Al2O3:Ti (сапфир), HfO2, стабилизированный ZrO2-Y2O3, MgO, термический TiO2. Кроме того, были\u0000проведены дополнительные обработки поверхности перед нанесением оксидов, в том числе отжиг в\u0000парах селена (с образованием на поверхности Ga2Se3) и отжиг в кислородной плазме.\u0000В качестве метода определения эффективности инжекции спин-поляризованных носителей\u0000использовалось измерение магнитополевой зависимости степени циркулярной поляризации\u0000электролюминесценции диодов (PEL) в диапазоне температур от 15 до 300К. При всех прочих равных\u0000условиях, максимальное значение PEL получено для стабилизированного ZrO2. Такой эффект,\u0000вероятно, обусловлен снижением спинового рассеяния за счет получения более качественной\u0000границы раздела оксид/полупроводник благодаря лучшему совмещению решетки GaAs с кубической\u0000решеткой стабилизированного ZrO2. Аналогично достаточно высокая степень поляризации излучения\u0000достигается при использовании оксида магния, но такие диоды обладают низкой стабильностью и\u0000быстрой деградируют с течением времени. Вероятно, это обусловлено высокой гигроскопичностью\u0000MgO. Эффект значительного повышения PEL также даёт обработка поверхности диода в кислородной\u0000плазме перед нанесением Al2O3. Наблюдаемое повышение РEL после отжига в парах селена связано с уменьшением скорости спиновой релаксации при инжекции через гетерограницу\u0000CoPt/Al2O3/Ga2Se3/GaAs по сравнению с CoPt/Al2O3/GaAs, что обусловлено пассивацией\u0000поверхностных состояний образовавшимся слоем Ga2Se3. Отметим, что наибольшая стабильность\u0000диодов и широкий интервал рабочих токов были характерны для случая прослойки из TiO2.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"41 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-09-05","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122839207","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Электрический контроль оптической ориентации в AlGaAs/GaAs\u0000гетероструктуре / Кен О.С., Жуков Е.А., Коптева Н.Е., Aкимов И.A, Калитухо И.В., Сапега В.Ф., Коренев В.Л., Яковлев Д.Р., Кусраев Ю. Г., Bayer M.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-292","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-292","url":null,"abstract":"Электрическое управление магнитными свойствами электронной системы полупроводника:\u0000спиновой поляризацией, времени спиновой релаксации и т.п. – представляет собой задачу, важную\u0000как с фундаментальной, так и с прикладной точки зрения, с перспективой интеграции магнетизма и\u0000полупроводниковой электроники. В данной работе обнаружено влияние внешнего латерального\u0000электрического поля на время спиновой памяти электронов в AlGaAs/GaAs гетероструктуре.\u0000Исследована т.н. H-полоса [1, 2] фотолюминесценции (ФЛ) AlGaAs/100нм GaAs/AlGaAs\u0000двойной гетероструктуры, которая обусловлена рекомбинацией электронов в слое GaAs c дырками,\u0000локализованными вблизи гетероинтерфейса. Были проведены измерения с помощью непрерывной и\u0000время-разрешенной поляризационной спектроскопии ФЛ, а также измерения угла Керровского\u0000вращения плоскости поляризации света с временным разрешением. Было показано, что в режиме\u0000оптической ориентации H-полоса проявляет высокую спиновую поляризацию (~40%) и время\u0000спиновой релаксации > 5 нс. С увеличением электрического поля обнаружено сужение кривых\u0000магнитной деполяризации ФЛ.\u0000Полученные результаты говорят об удлинении времени жизни и времени спиновой релаксации\u0000электронов в электрическом поле: при увеличении приложенного напряжения от 0 до 3 В время\u0000жизни увеличивается с 4 до 90 нс, а время спиновой релаксации – с 3 до 9 нс. Полученные результаты\u0000объясняются разделением носителей заряда в электрическом поле. Увеличение времени спиновой\u0000релаксации связано с подавлением релаксации спина электрона на дырке (механизма Бира-АроноваПикуса). В согласии с этим эксперименты по измерению угла Керровского вращения плоскости\u0000поляризации света в режиме «накачка-зондирование» выявили рост времени затухания спиновых\u0000биений в магнитном поле с увеличением электрического поля.\u0000Полученные результаты открывают возможность управления спиновой поляризацией в\u0000полупроводниках слабым (~100 В/см) электрическим полем.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"69 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-09-05","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115129618","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Образование нанокристаллов GaN на графеноподобных g-AlN и g-\u0000Si3N3 методом аммиачной МЛЭ/\u0000Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Журавлев К.С.,\u0000Лебедок Е.В., Разумец Е.А.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-270","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-270","url":null,"abstract":"После успеха в синтезировании графена, бинарные соединения AlN и GaN привлекли большой\u0000исследовательский интерес благодаря возможности формирования в виде сверхтонких слоёв с\u0000графеноподобной гексагональной структурой, имеющей sp2-гибридизованные электронные\u0000состояния [1]. Графеноподобные слои A3-нитридов представляют\u0000собой неполярный материал, имеющий ненулевую ширину\u0000запрещенной зоны. Графеноподобный AlN (g-AlN) может быть\u0000использован в качестве подзатворного диэлектрика для изоляции\u0000двумерных проводников типа графена или силицена с нулевой\u0000запрещенной зоной. Синтез g-AlN/g-GaN слоёв и формирование\u0000квантовых точек (КТ) разного размера и плотности на\u0000графеноподобных слоях A3-нитридов открывает возможности для\u0000создания различных светоизлучающих приборов. В связи с этим\u0000важно изучить эпитаксиальный рост GaN на таких поверхностях.\u0000Данная работа посвящена изучению процессов\u0000формирования нанокристаллов GaN на графеноподобных (g-Si3N3\u0000и g-AlN) слоях методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ).\u0000Образцы исследовались in situ методом дифракции быстрых\u0000электронов на отражение. На дифракционных картинах (ДК)\u0000наблюдалось появление разориентированных нанокристаллов\u0000либо 3D островков GaN в зависимости от выбранных условий\u0000роста и поверхности зарождения (g-Si3N3 или g-AlN).\u0000Рост GaN на g-Si3N3 в диапазоне температур 600°С-850°С с использованием потока аммиака\u0000275 ст. см3/мин. приводил к формированию поликристаллического GaN. При эпитаксиальном росте GaN на g-AlN/Si(111) были использованы стандартные ростовые условия двумерного роста w-\u0000GaN на w-AlN. Наблюдался эпитаксиальный рост хорошо ориентированных 3D-островков GaN. Важно отметить, что характерной особенностью, наблюдаемой ДК, являлось наличие на ДК\u0000рефлексов реконструкции (8х8) от g-Si3N3 и (4х4) от g-AlN, что указывает на неполное покрытие\u0000подложки вновь синтезируемым GaN. Измеренное, с использованием параметра решётки кремния,\u0000значение параметра решётки трёхмерных островков GaN составило 3,19Ǻ, что соответствует\u0000параметру решетки w-GaN.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"25 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-09-05","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133915561","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Аномальное магнитосопротивление в системах с киральными\u0000спиновыми текстурами / Денисов К.С, Голуб Л.Е.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-289","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-289","url":null,"abstract":"Физика киральных магнитных систем привлекает сегодня значительное внимание. Различные киральные спиновые текстуры, такие как магнитные скирмионы, мероны и антискирмионы широко\u0000обсуждаются как с теоретической, так и с экспериментальной точек зрения. По мере того, как число\u0000материальных систем, демонстрирующих формирование кирального спинового порядка, неуклонно\u0000растет, особенно остро встает проблема развития новых методов экспериментального детектирования\u0000кирального упорядочения спинов. В данной работе мы демонстрируем, что различные киральные\u0000спиновые текстуры, например магнитные скирмионы, нетривиально влияют на аномальное\u0000магнитосопротивление в области классически слабых магнитных полей, когда имеют место\u0000интерференционные поправки к проводимости за счет эффекта слабой локализации. Мы показываем,\u0000что анализ магнитополевых зависимостей сопротивления можно использовать в качестве\u0000независимого инструмента, указывающего на присутствие киральных спиновых текстур в образце.\u0000Мы теоретически исследовали аномальное магнитосопротивление для неупорядоченного массива\u0000киральных спиновых структур и скирмионного кристалла. В обоих случае кривые\u0000магнитосопротивления демонстрируют ряд особенностей, которые не воспроизводятся прочими\u0000механизмами, влияющими на эффект слабой локализации. Наблюдение данных особенностей\u0000однозначно свидетельствует о присутствии кирального спинового порядка в системе.\u0000Аномальное магнитосопротивление, обусловленное интереференционными поправками к\u0000проводимости, чувствительно к процессам спиновой релаксации носителей заряда. Сложное\u0000пространственное распределение намагниченности внутри киральной спиновой текстуры приводит к\u0000анизотропии времени спиновой релаксации электрона, обусловленной спин-зависимым рассеянием\u0000на текстурах. Степень анизотропии определяется внутренними особенностями текстуры, в частности\u0000диаметром и степенью наклона спина в плоскость движения электронов. В результате внутреннее\u0000строение спиновых текстур определяет форму аномального магнитосопротивления в слабых\u0000магнитных полях, что открывает доступ к информации о системе. Данный механизм реализуется в\u0000неупорядоченных системах со слабым обменным взаимодействием. Аномальное\u0000магнитосопротивление также имеет нетривиальное поведение в скирмионных кристаллах с сильным\u0000обменным взаимодействием. В данном случае роль регулярного упорядочения скирмионов сводится\u0000к действию на электроны эффективного магнитного поля, характеризующегося противоположным\u0000знаком в двух электронных спиновых подзонах. Включение внешнего магнитниго поля\u0000накладывается на эффективные поля противоположных знаков, что приводит к знакопеременной\u0000величине аномального магнитосопротивления. Анализируя положение экстремума сопротивления в\u0000этом режиме можно определить постоянную решетки скирмионного кристалла.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"96 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-09-05","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"125992569","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Управление электронной локализацией за счет деформационных\u0000полей в группах Ge/Si квантовых точек / Зиновьева А.Ф., Зиновьев В.А., Ненашев А.В., Кулик Л.В., Двуреченский А.В.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-290","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-290","url":null,"abstract":"Новые тенденции в электронике требуют создания полупроводниковых наноструктур с\u0000контролируемыми оптическими и спиновыми свойствами. Одной из перспективных систем для\u0000манипулирования электронной структурой является система с Ge/Si квантовыми точками (КТ),\u0000создаваемыми за счет самоорганизации в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Здесь электроны\u0000локализуются за счет деформаций в потенциальных ямах в Si вблизи КТ. Меняя пространственную\u0000конфигурацию КT, их размер, форму, взаимное\u0000расположение, можно контролировать\u0000распределение деформаций, и соответственно\u0000энергетический спектр электронов.\u0000В данной работе были разработаны и\u0000созданы специальные структуры с Ge/Si КТ,\u0000позволяющие реализовать одновременную\u0000локализацию электронов в разных Δ долинах в\u0000упорядоченной группе КТ [1]. Электроны имеют\u0000разную пространственную локализацию (один\u0000локализован на вершине КТ, а другой на одном из\u0000ребер основания КТ), характеризуются разными gфакторами и могут рассматриваться как пара\u0000кубитов, связанных постоянным обменным\u0000взаимодействием. Структуры представляют собой\u0000комбинацию (~200 нм) больших дискообразных\u0000КТ (нанодисков) и групп КТ меньшего размера\u0000(~30 нм), выращенных на расстоянии 35 нм от слоя нанодисков. Для увеличения деформаций и,\u0000соответственно, энергии связи электронов на КТ, были выращены 4-слойные стеки упорядоченных\u0000групп КТ с различным расстоянием между слоями КТ в стеке d. Для локализации электронов в\u0000боковых Δx,y долинах было использовано расстояние d=3 нм. Для одновременной локализации\u0000электронов в разных Δ долинах была создана структура с варьируемым расстояние d в стеке: между\u00002-м и 3-м слоем КТ d=5 нм, остальные прослойки имели толщину d=3 нм. Локализация электронов\u0000была исследована методом ЭПР. Интерпретация результатов ЭПР была проведена на основе анализа\u0000значений g-факторов и их ориентационных зависимостей и сопоставления с результатами\u0000вычислений энергетического спектра и волновых функций электронов. Расчеты проводились с\u0000учетом элементного состава КТ и реальной геометрии нанообъектов. Получено, что деформационное\u0000поле нанодиска играет ключевую роль в реализации одновременной локализации электронов в\u0000разных Δ долинах, позволяя регулировать положение энергетических уровней электронов.\u0000Полученные результаты могут лечь в основу создания базовых элементов для квантовых вычислений\u0000на основе структур с Ge/Si КТ.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"275 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-09-05","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121528151","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}