{"title":"Аномальное магнитосопротивление в системах с киральными\nспиновыми текстурами / Денисов К.С, Голуб Л.Е.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-289","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Физика киральных магнитных систем привлекает сегодня значительное внимание. Различные киральные спиновые текстуры, такие как магнитные скирмионы, мероны и антискирмионы широко\nобсуждаются как с теоретической, так и с экспериментальной точек зрения. По мере того, как число\nматериальных систем, демонстрирующих формирование кирального спинового порядка, неуклонно\nрастет, особенно остро встает проблема развития новых методов экспериментального детектирования\nкирального упорядочения спинов. В данной работе мы демонстрируем, что различные киральные\nспиновые текстуры, например магнитные скирмионы, нетривиально влияют на аномальное\nмагнитосопротивление в области классически слабых магнитных полей, когда имеют место\nинтерференционные поправки к проводимости за счет эффекта слабой локализации. Мы показываем,\nчто анализ магнитополевых зависимостей сопротивления можно использовать в качестве\nнезависимого инструмента, указывающего на присутствие киральных спиновых текстур в образце.\nМы теоретически исследовали аномальное магнитосопротивление для неупорядоченного массива\nкиральных спиновых структур и скирмионного кристалла. В обоих случае кривые\nмагнитосопротивления демонстрируют ряд особенностей, которые не воспроизводятся прочими\nмеханизмами, влияющими на эффект слабой локализации. Наблюдение данных особенностей\nоднозначно свидетельствует о присутствии кирального спинового порядка в системе.\nАномальное магнитосопротивление, обусловленное интереференционными поправками к\nпроводимости, чувствительно к процессам спиновой релаксации носителей заряда. Сложное\nпространственное распределение намагниченности внутри киральной спиновой текстуры приводит к\nанизотропии времени спиновой релаксации электрона, обусловленной спин-зависимым рассеянием\nна текстурах. Степень анизотропии определяется внутренними особенностями текстуры, в частности\nдиаметром и степенью наклона спина в плоскость движения электронов. В результате внутреннее\nстроение спиновых текстур определяет форму аномального магнитосопротивления в слабых\nмагнитных полях, что открывает доступ к информации о системе. Данный механизм реализуется в\nнеупорядоченных системах со слабым обменным взаимодействием. Аномальное\nмагнитосопротивление также имеет нетривиальное поведение в скирмионных кристаллах с сильным\nобменным взаимодействием. В данном случае роль регулярного упорядочения скирмионов сводится\nк действию на электроны эффективного магнитного поля, характеризующегося противоположным\nзнаком в двух электронных спиновых подзонах. Включение внешнего магнитниго поля\nнакладывается на эффективные поля противоположных знаков, что приводит к знакопеременной\nвеличине аномального магнитосопротивления. Анализируя положение экстремума сопротивления в\nэтом режиме можно определить постоянную решетки скирмионного кристалла.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"96 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-09-05","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-289","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
Физика киральных магнитных систем привлекает сегодня значительное внимание. Различные киральные спиновые текстуры, такие как магнитные скирмионы, мероны и антискирмионы широко
обсуждаются как с теоретической, так и с экспериментальной точек зрения. По мере того, как число
материальных систем, демонстрирующих формирование кирального спинового порядка, неуклонно
растет, особенно остро встает проблема развития новых методов экспериментального детектирования
кирального упорядочения спинов. В данной работе мы демонстрируем, что различные киральные
спиновые текстуры, например магнитные скирмионы, нетривиально влияют на аномальное
магнитосопротивление в области классически слабых магнитных полей, когда имеют место
интерференционные поправки к проводимости за счет эффекта слабой локализации. Мы показываем,
что анализ магнитополевых зависимостей сопротивления можно использовать в качестве
независимого инструмента, указывающего на присутствие киральных спиновых текстур в образце.
Мы теоретически исследовали аномальное магнитосопротивление для неупорядоченного массива
киральных спиновых структур и скирмионного кристалла. В обоих случае кривые
магнитосопротивления демонстрируют ряд особенностей, которые не воспроизводятся прочими
механизмами, влияющими на эффект слабой локализации. Наблюдение данных особенностей
однозначно свидетельствует о присутствии кирального спинового порядка в системе.
Аномальное магнитосопротивление, обусловленное интереференционными поправками к
проводимости, чувствительно к процессам спиновой релаксации носителей заряда. Сложное
пространственное распределение намагниченности внутри киральной спиновой текстуры приводит к
анизотропии времени спиновой релаксации электрона, обусловленной спин-зависимым рассеянием
на текстурах. Степень анизотропии определяется внутренними особенностями текстуры, в частности
диаметром и степенью наклона спина в плоскость движения электронов. В результате внутреннее
строение спиновых текстур определяет форму аномального магнитосопротивления в слабых
магнитных полях, что открывает доступ к информации о системе. Данный механизм реализуется в
неупорядоченных системах со слабым обменным взаимодействием. Аномальное
магнитосопротивление также имеет нетривиальное поведение в скирмионных кристаллах с сильным
обменным взаимодействием. В данном случае роль регулярного упорядочения скирмионов сводится
к действию на электроны эффективного магнитного поля, характеризующегося противоположным
знаком в двух электронных спиновых подзонах. Включение внешнего магнитниго поля
накладывается на эффективные поля противоположных знаков, что приводит к знакопеременной
величине аномального магнитосопротивления. Анализируя положение экстремума сопротивления в
этом режиме можно определить постоянную решетки скирмионного кристалла.