{"title":"Особенности магнитных и диэлектрических свойств -MnS в области\nмагнитного перехода / Абрамова Г.М., Великанов Д.А., Еремин Е.В.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-286","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Моносульфид марганца -MnS, относящийся к группе веществ с кубической NaCl структурой\n(типа MnO) и сильными электронными корреляциями (СЭК), является матрицей для создания\nтвердых растворов (например, FexMn1-xS). Интерес к исследованию таких систем связан с\nособенностями соединений с СЭК, такими как, переход металл-диэлектрик, спиновый кроссовер,\nреализующимися при изменении температуры, давления, химического состава. Вопрос о наличии\nдвух фазовый переходов в области формирования\nмагнито-упорядоченного состояния -MnS\nобсуждался в работе [1]. В данной работе\nпредставлены новые данные о поведении\nмагнитных и диэлектрических свойств\nмонокристаллов -MnS. Исследования показали,\nчто при 0.5 kOe поведение магнитной\nвосприимчивости кристаллов типично,\nна температурной зависимости наблюдается один\nмаксимум с температурой Нееля TN=149±1K. В\nполях Н от 5 kOe до 50 kOe на температурной\nзависимости фиксируется второй максимум при\nтемпературе T1=130 K, что близко к данным [1].\nТемпература второго максимума χ(Т) понижается\nдо 125±1 К с ростом Н. В области магнитного\nперехода обнаружена аномалия диэлектрической\nпроницаемости в нулевом магнитном поле и поле\n10 кОе. Критическая температура положительного\nмагнитоемкостного эффекта δε(Н) = (ε(Н,T) −\nε(0,Т))/ε(0,Т) при 1 kHz составляла 130\nК и возрастала до 164 К при f= 2 MHz, тогда как\nдля мнимой части диэлектрической\nпроницаемости эта температура\nизменялась от 134 К (f=100 kHz) до 154 К (при f\n=2 MHz). Обнаружено, что при частотах f ≥100\nkHz на температурной зависимости δε''(Н) =\n(ε'' (Н,T) − ε'' (0,Т))/ε'' (0,Т) проявляется\nотрицательная составляющая, что свидетельствует о разных механизмах проводимости.\nОбсуждаются возможные механизмы обнаруженного поведения магнитных и диэлектрических свойств -MnS.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"172 4","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-09-05","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-286","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Особенности магнитных и диэлектрических свойств -MnS в области
магнитного перехода / Абрамова Г.М., Великанов Д.А., Еремин Е.В.
Моносульфид марганца -MnS, относящийся к группе веществ с кубической NaCl структурой
(типа MnO) и сильными электронными корреляциями (СЭК), является матрицей для создания
твердых растворов (например, FexMn1-xS). Интерес к исследованию таких систем связан с
особенностями соединений с СЭК, такими как, переход металл-диэлектрик, спиновый кроссовер,
реализующимися при изменении температуры, давления, химического состава. Вопрос о наличии
двух фазовый переходов в области формирования
магнито-упорядоченного состояния -MnS
обсуждался в работе [1]. В данной работе
представлены новые данные о поведении
магнитных и диэлектрических свойств
монокристаллов -MnS. Исследования показали,
что при 0.5 kOe поведение магнитной
восприимчивости кристаллов типично,
на температурной зависимости наблюдается один
максимум с температурой Нееля TN=149±1K. В
полях Н от 5 kOe до 50 kOe на температурной
зависимости фиксируется второй максимум при
температуре T1=130 K, что близко к данным [1].
Температура второго максимума χ(Т) понижается
до 125±1 К с ростом Н. В области магнитного
перехода обнаружена аномалия диэлектрической
проницаемости в нулевом магнитном поле и поле
10 кОе. Критическая температура положительного
магнитоемкостного эффекта δε(Н) = (ε(Н,T) −
ε(0,Т))/ε(0,Т) при 1 kHz составляла 130
К и возрастала до 164 К при f= 2 MHz, тогда как
для мнимой части диэлектрической
проницаемости эта температура
изменялась от 134 К (f=100 kHz) до 154 К (при f
=2 MHz). Обнаружено, что при частотах f ≥100
kHz на температурной зависимости δε''(Н) =
(ε'' (Н,T) − ε'' (0,Т))/ε'' (0,Т) проявляется
отрицательная составляющая, что свидетельствует о разных механизмах проводимости.
Обсуждаются возможные механизмы обнаруженного поведения магнитных и диэлектрических свойств -MnS.